可控硅整流超大功率直流稳压稳流电源的制作方法

1.本实用新型涉及直流电源技术领域，尤其涉及可控硅整流超大功率直流稳压稳流电源。


背景技术：

2.直流电源在开机时会产生比较大的冲击电流，过大的冲击电流可能会带来电源电压不稳从而导致并联的其他电源重置，也可能会对保险丝、电容及负载等造成冲击影响其寿命。


技术实现要素：

3.本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的可控硅整流超大功率直流稳压稳流电源。
4.为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：可控硅整流超大功率直流稳压稳流电源，包括直流电源dc、可控硅scr、二极管d1、第一电阻r1、第二电阻r2、第三电阻r3、电容c1、三极管q1，所述可控硅scr的第一端与直流电源dc的正极相连，所述可控硅scr的第二端与负载相连，所述可控硅scr的第三端与三极管q1的第三段相连，所述二极管d1的正极与直流电源dc的正极相连，所述二极管d1的负极与第一电阻 r1相连，所述第一电阻r1的另一端与电容c1相连，所述第二电阻r2的两端分别与直流电源dc的正极和三极管q1的第二端相连，所述第三电阻r3的两端分别与三极管q1 的第一端电容c1相连。
5.进一步的，所述可控硅scr的第一端为阳极，所述可控硅scr的第二端为阴极，所述可控硅scr的第三端为门极。
6.进一步的，所述三极管q1的第一端为基极，所述三极管q1的第二端为集电极，所述三极管q1的第三端为发射极。
7.进一步的，所述负载的一端与可控硅scr的第二端相连，所述负载的另一端与直流电源dc的负极相连形成回路。
8.进一步的，所述电容c1的一端与第一电阻r1、第二电阻r3相连，所述电容c1的另一端与直流电源dc的负极相连形成回路。
9.进一步的，所述二极管d1的正极与可控硅scr的第一端相连，所述二极管d1的正极与第二电阻r2相连。
10.本实用新型的有益效果：
11.本实用新型在使用时，通过可控硅scr、二极管d1、电容c1及三极管q1的设置，使得直流电源dc开启后，首先对电容c1充电，电容c1充电后对三极管q1放电使三极管q1导通，三极管q1的发射极控制可控硅scr的门极使可控硅scr导通，从而直流电源dc对负载供电，该过程缓冲直流电源dc的冲击电流，保护负载可保险丝等的使用寿命。
附图说明
12.图1为本实用新型的电路原理图。
13.图例说明：
14.dc、直流电源；scr、可控硅；d1、二极管；r1、第一电阻；r2、第二电阻；r3、第三电阻；c1、电容；q1、三极管。
具体实施方式
15.图1所示，涉及可控硅整流超大功率直流稳压稳流电源，包括直流电源dc、可控硅 scr、二极管d1、第一电阻r1、第二电阻r2、第三电阻r3、电容c1、三极管q1，可控硅scr的第一端与直流电源dc的正极相连，可控硅scr的第二端与负载相连，可控硅scr 的第三端与三极管q1的第三段相连，二极管d1的正极与直流电源dc的正极相连，二极管d1的负极与第一电阻r1相连，第一电阻r1的另一端与电容c1相连，第二电阻r2 的两端分别与直流电源dc的正极和三极管q1的第二端相连，第三电阻r3的两端分别与三极管q1的第一端电容c1相连。
16.在使用该可控硅整流超大功率直流稳压稳流电源时，按图1所示连接负载后，开启直流电源dc，初始状态可控硅scr的第三端门极没有正向电流，可控硅scr处于抑制状态，从而负载上没有电流流过，三极管q1也处于非导通状态，直流电源dc首先通过二极管 d1、第一电阻r1和电容c1形成回路并对电容c1充电，电容c1充电完成后对三极管q1 放电，三极管q1的第一端基极导通，从而直流电源dc通过第二电阻r2使三极管q1导通，三极管q1控制可控硅scr的门极有正向电流通过，从而可控硅scr导通，直流电源 dc对负载供电，有一定的实用性。
17.进一步的方案中，可控硅scr的第一端为阳极，可控硅scr的第二端为阴极，可控硅 scr的第三端为门极，可控硅scr控制直流电源dc延迟与负载接通，从而对负载起到保护作用。
18.进一步的方案中，三极管q1的第一端为基极，三极管q1的第二端为集电极，三极管 q1的第三端为发射极，三极管q1控制可控硅scr的第三端门极，从而控制可控硅scr 是否导通。
19.进一步的方案中，负载的一端与可控硅scr的第二端相连，负载的另一端与直流电源 dc的负极相连形成回路，直流电源dc通过可控硅scr与负载连通对负载供电。
20.进一步的方案中，电容c1的一端与第一电阻r1、第二电阻r3相连，电容c1的另一端与直流电源dc的负极相连形成回路，通过电容c1的充放电功能使三极管q1导通。
21.进一步的方案中，二极管d1的正极与可控硅scr的第一端相连，二极管d1与可控硅 scr并联，二极管d1的正极与第二电阻r2相连，二极管d1与第二电阻r2并联。
22.以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。


技术特征：
1.可控硅整流超大功率直流稳压稳流电源，包括直流电源dc、可控硅scr、二极管d1、第一电阻r1、第二电阻r2、第三电阻r3、电容c1、三极管q1，其特征在于：所述可控硅scr的第一端与直流电源dc的正极相连，所述可控硅scr的第二端与负载相连，所述可控硅scr的第三端与三极管q1的第三段相连，所述二极管d1的正极与直流电源dc的正极相连，所述二极管d1的负极与第一电阻r1相连，所述第一电阻r1的另一端与电容c1相连，所述第二电阻r2的两端分别与直流电源dc的正极和三极管q1的第二端相连，所述第三电阻r3的两端分别与三极管q1的第一端电容c1相连。2.根据权利要求1所述的可控硅整流超大功率直流稳压稳流电源，其特征在于：所述可控硅scr的第一端为阳极，所述可控硅scr的第二端为阴极，所述可控硅scr的第三端为门极。3.根据权利要求1所述的可控硅整流超大功率直流稳压稳流电源，其特征在于：所述三极管q1的第一端为基极，所述三极管q1的第二端为集电极，所述三极管q1的第三端为发射极。4.根据权利要求1所述的可控硅整流超大功率直流稳压稳流电源，其特征在于：所述负载的一端与可控硅scr的第二端相连，所述负载的另一端与直流电源dc的负极相连形成回路。5.根据权利要求1所述的可控硅整流超大功率直流稳压稳流电源，其特征在于：所述电容c1的一端与第一电阻r1、第二电阻r3相连，所述电容c1的另一端与直流电源dc的负极相连形成回路。6.根据权利要求1所述的可控硅整流超大功率直流稳压稳流电源，其特征在于：所述二极管d1的正极与可控硅scr的第一端相连，所述二极管d1的正极与第二电阻r2相连。

技术总结
本实用新型公开了可控硅整流超大功率直流稳压稳流电源，包括直流电源DC、可控硅SCR、二极管D1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、电容C1、三极管Q1，所述可控硅SCR的第一端与直流电源DC的正极相连，所述可控硅SCR的第二端与负载相连，所述可控硅SCR的第三端与三极管Q1的第三段相连。本实用新型中，通过可控硅SCR、二极管D1、电容C1及三极管Q1的设置，使得直流电源DC开启后，首先对电容C1充电，电容C1充电后对三极管Q1放电使三极管Q1导通，三极管Q1的发射极控制可控硅SCR的门极使可控硅SCR导通，从而直流电源DC对负载供电，该过程缓冲直流电源DC的冲击电流，保护负载可保险丝等的使用寿命。的使用寿命。的使用寿命。


技术研发人员：李先辉 刘启华
受保护的技术使用者：苏州固鼎电子有限公司
技术研发日：2021.07.30
技术公布日：2022/2/7