一种储能充电装置的制作方法

本技术涉及恒流充电，尤其涉及一种储能充电装置。

背景技术：

1、储能电容作为脉冲电源的关键组成部分，其充放电控制十分关键。脉冲电源中储能电容的容量一般在f级，当该电容加在充电电源上时，对电源而言基本是短路，这样会给电源造成很大的电流冲击，此时如果电源过流保护处理不当的话会出现电源损坏。电容都有其额定的纹波电流，当其充电电流长期大于额定纹波电流时会对电容造成一定的损伤，影响电容的寿命。

2、常见的电路都是采用电源直接对电容进行充电，很难避免电容损伤。

技术实现思路

1、有鉴于此，本实用新型提供一种储能充电装置，能够限制充电电流、避免电容损伤。

2、为了达到上述目的，本实用新型解决技术问题的技术方案是提供一种储能充电装置，包括：

3、电源、电流限制模组、采样模块、比较模块以及储能模组，所述电流限制模组的输入端、输出端分别与所述电源的输出端以及所述采样模块的输入端电连接，所述采样模块的输出端与所述储能模组电连接，所述比较模块的输入端与所述采样模块的输出端连接，所述比较模块的输出端与所述电流限制模组电连接，由所述电流限制模组对所述电源输出的电流进行限流处理后，输出充电电流至所述储能模组，以使所述储能模组进行充电，所述采样模块对所述电流限制模组输出的充电电流进行采样并生成采样信号后，发送给所述比较模块，所述比较模块接收外部设备的充电控制信号，并根据所述充电控制信号以及采样信号产生调节信号后，将所述调节信号发送至所述电流限制模组，以使所述电流限制模组根据所述调节信号调节输出的充电电流的大小。

4、进一步，所述电流限制模组包括nmos管q1、nmos管q2以及光耦u1，所述nmos管q1的漏极与所述电源电连接，所述nmos管q1的源级与所述nmos管q2的源级以及所述光耦u1的受光器输入端电连接，所述nmos管q1的栅级、所述光耦u1的受光器输出端与所述nmos管q2的栅级电连接，所述nmos管q2的漏极与所述采样模块电连接，所述光耦u1的发光器输入端接供电设备，所述光耦u1的发光器输出端与所述比较模块的输出端电连接。

5、进一步，所述采样模块包括采样电阻r1以及运算放大器u3，所述采样电阻r1的一端以及所述运算放大器u3的反相输入端与所述电流限制模组电连接，所述采样电阻r1的另一端以及所述运算放大器u3的同相输入端与所述储能模组电连接，所述运算放大器u3的输出端与所述比较模块电连接。

6、进一步，所述比较模块包括电阻r2、电阻r3以及运算放大器u2，所述电阻r3一端与所述采样模块电连接，所述电阻r3另一端与所述运算放大器u2的反相输入端电连接，所述电阻r2一端接入外部设备的充电控制信号，所述电阻r2另一端与所述运算放大器u2的反相输入端电连接，所述运算放大器u2的同相输入端接地，所述运算放大器u2的输出端与所述电流限制模组电连接。

7、进一步，所述储能模组包括若干电容c1，若干所述电容c1相互并联且一端与所述采样模块电连接，另一端接地。

8、进一步，所述运算放大器u3的型号为tl-060c。

9、进一步，所述运算放大器u2的型号为tl-060c。

10、进一步，所述nmos管q1和所述nmos管q2的型号为ixfn170n10。

11、进一步，所述光耦u1的型号为pc817。

12、进一步，所述电源为通用电源。

13、与现有技术相比，本实用新型所提供的储能充电装置具有以下有益效果：

14、本实用新型的储能充电装置可以严格的限制充电电流，能够保障充电电流处于设定范围内，减小对电源和储能设备的冲击。

技术特征：

1.一种储能充电装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的一种储能充电装置，其特征在于：

3.如权利要求1所述的一种储能充电装置，其特征在于：

4.如权利要求1所述的一种储能充电装置，其特征在于：

5.如权利要求1所述的一种储能充电装置，其特征在于：

6.如权利要求3所述的一种储能充电装置，其特征在于：

7.如权利要求4所述的一种储能充电装置，其特征在于：

8.如权利要求2所述的一种储能充电装置，其特征在于：

9.如权利要求2所述的一种储能充电装置，其特征在于：

10.如权利要求1所述的一种储能充电装置，其特征在于：

技术总结
本技术涉及一种储能充电装置，包括：电源、电流限制模组、采样模块、比较模块以及储能模组，电流限制模组的输入端、输出端分别与电源的输出端以及采样模块的输入端电连接，采样模块的输出端与储能模组电连接，比较模块的输入端与采样模块的输出端连接，比较模块的输出端与电流限制模组电连接，采样模块对电流限制模组输出的充电电流进行采样并生成采样信号后，发送给比较模块，比较模块接收外部设备的充电控制信号，并根据充电控制信号以及采样信号产生调节信号后，将调节信号发送至电流限制模组，以调节信号调节输出的充电电流的大小。本技术的储能充电装置可以严格的限制充电电流，减小对电源和储能设备的冲击。

技术研发人员：王承,黄秋元,周鹏
受保护的技术使用者：武汉普赛斯仪表有限公司
技术研发日：20211215
技术公布日：2024/1/12