一种陵阳DSP芯片的防损坏电路的制作方法

一种陵阳dsp芯片的防损坏电路
技术领域
1.本实用新型涉及电子电路领域，特别涉及一种陵阳dsp芯片的防损坏电路。


背景技术：

2.在一些高集成度的dsp芯片中，虽然这种芯片的功能强大、外围元件少、性能优秀而受到广大音响厂家欢迎；特别是陵阳科技公司推出的dsp芯片，由于这种芯片在原设计上有些缺点，在使用过程中发现有个别芯片容易损坏现象，这是由于dsp芯片需要外挂一个flash芯片才能工作，音频数字信号通过iis进来，处理完成后也是iis输出到功率放大器，由于其运行速度高，dsp芯片与flash芯片通信时频率很高，原来5v的电平经过一来回之后有些会变到6v，超过了芯片的电压范围，所以容易损坏芯片，因此，急需一种陵阳dsp芯片的防损坏电路来解决上述问题。


技术实现要素：

3.本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提出一种陵阳dsp芯片的防损坏电路。
4.本实用新型的一种实施例解决其技术问题所采用的技术方案是：一种陵阳dsp芯片的防损坏电路，包括dsp芯片u1以及与dsp芯片u1连接的flash芯片u2和功放芯片u3，dsp芯片u1与flash芯片u2的连接引脚之间以及dsp芯片u1与功放芯片u3的连接引脚之间串接有电阻r。
5.进一步地，dsp芯片u1的型号设置为spa100或spa300。
6.进一步地，电阻r的阻值设置为47ω。
7.进一步地，一种陵阳dsp芯片的防损坏电路还包括与dsp芯片u1连接的遥控模块，用于接收遥控器的遥控芯片。
8.进一步地，遥控模块设置为红外模块。
9.本实用新型的有益效果：一种陵阳dsp芯片的防损坏电路，包括dsp芯片u1以及与dsp芯片u1连接的flash芯片u2和功放芯片u3，dsp芯片u1与flash芯片u2的连接引脚之间以及dsp芯片u1与功放芯片u3的连接引脚之间串接有电阻r；通过上述结构能够使得dsp芯片u1与flash芯片u2之间的连接引脚以及dsp芯片u1与功放芯片u3之间的连接引脚的电平维持在5v以内，可有效降低dsp芯片u1引脚因电压超限而损坏，具有非常好的实用性。
附图说明
10.本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
11.图1为一种陵阳dsp芯片的防损坏电路的电路图。
具体实施方式
12.本部分将详细描述本实用新型的具体实施例，本实用新型之较佳实施例在附图中示出，附图的作用在于用图形补充说明书文字部分的描述，使人能够直观地、形象地理解本实用新型的每个技术特征和整体技术方案，但其不能理解为对本实用新型保护范围的限制。
13.在本实用新型的描述中，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
14.在本实用新型的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
15.本实用新型中，除非另有明确的限定，“设置”、“安装”、“连接”等词语应做广义理解，例如，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连；可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，还可以是一体成型；可以是机械连接；可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本实用新型中的具体含义。
16.参照图1，一种陵阳dsp芯片的防损坏电路，包括dsp芯片u1以及与dsp芯片u1连接的flash芯片u2和功放芯片u3，dsp芯片u1与flash芯片u2的连接引脚之间以及dsp芯片u1与功放芯片u3的连接引脚之间串接有电阻r。
17.作为本实用新型的优选实施例，参照图1，上述的电阻r为图1中的电阻r1-10,其中电阻r1-r4为串接于dsp芯片u1与flash芯片u2的连接引脚之间的电阻，电阻r5-10为串接于dsp芯片u1与功放芯片u3的连接引脚之间的电阻，并且电阻r1-10的阻值设置为47ω，再测试dsp芯片u1与flash芯片u2和功放芯片u3电平的输出引脚的电平均在5v以内，并且经过我们小批量的老化试验，效果很好，dsp芯片u1引脚的损坏率大大降低。
18.优选的，dsp芯片u1的型号设置为陵阳科技公司推出的杜比解码芯片，并且具体型号为spa100或spa300。
19.一种陵阳dsp芯片的防损坏电路还包括与dsp芯片u1连接的遥控模块10，用于接收遥控器的遥控芯片。
20.遥控模块10设置为红外模块。
21.当然，本实用新型并不局限于上述实施方式，熟悉本领域的技术人员在不违背本实用新型精神的前提下还可作出等同变形或替换，这些等同的变形和替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。


技术特征：
1.一种陵阳dsp芯片的防损坏电路，其特征在于：包括dsp芯片u1以及与所述dsp芯片u1连接的flash芯片u2和功放芯片u3，所述dsp芯片u1与所述flash芯片u2的连接引脚之间以及所述dsp芯片u1与所述功放芯片u3的连接引脚之间串接有电阻r。2.根据权利要求1所述的一种陵阳dsp芯片的防损坏电路，其特征在于：所述dsp芯片u1的型号设置为spa100或spa300。3.根据权利要求1所述的一种陵阳dsp芯片的防损坏电路，其特征在于：所述电阻r的阻值设置为47ω。4.根据权利要求1所述的一种陵阳dsp芯片的防损坏电路，其特征在于：还包括与所述dsp芯片u1连接的遥控模块(10)，用于接收遥控器的遥控芯片。5.根据权利要求4所述的一种陵阳dsp芯片的防损坏电路，其特征在于：所述遥控模块(10)设置为红外模块。

技术总结
本实用新型公开了一种陵阳DSP芯片的防损坏电路，包括DSP芯片U1以及与DSP芯片U1连接的FLASH芯片U2和功放芯片U3，DSP芯片U1与FLASH芯片U2的连接引脚之间以及DSP芯片U1与功放芯片U3的连接引脚之间串接有电阻R；通过上述结构能够使得DSP芯片U1与FLASH芯片U2之间的连接引脚以及DSP芯片U1与功放芯片U3之间的连接引脚的电平维持在5V以内，可有效降低DSP芯片U1引脚因电压超限而损坏，具有非常好的实用性。性。性。


技术研发人员：朱文锋 雷彦行 邓家平
受保护的技术使用者：中山市悦辰电子实业有限公司
技术研发日：2022.06.14
技术公布日：2023/2/16