一种电荷泄放电路、系统、电机驱动器及车辆的制作方法

文档序号:34578828发布日期:2023-06-28 13:46阅读:54来源:国知局
一种电荷泄放电路、系统、电机驱动器及车辆的制作方法

本申请涉及电路,尤其涉及一种电荷泄放电路、系统、电机驱动器及车辆。


背景技术:

1、电荷泄放电路用于泄放高压电容存储的电荷。现有技术中提供了两种电荷泄放电路,下面分别介绍。

2、第一种:在高压电容侧并联大功率电阻进行电荷泄放。并联的方式会导致电路板正常上电时,大功率电阻也在工作,耗电高,发热多。

3、第二种:利用降压芯片。在电路板下电后,降压芯片从高压侧取电后,驱动后级电荷泄放电路工作,在电路板上电后,关闭后级电荷泄放电路,但是降压芯片的成本较高,并且会占用单片机的管脚,造成资源浪费。


技术实现思路

1、本申请提供一种电荷泄放电路、系统、电机驱动器及车辆,能够以较低的成本,较低的功耗进行电荷的泄放。

2、为达到上述目的,本申请采用如下技术方案:

3、第一方面,本申请提供了一种电荷泄放电路,包括:第一pmos管、第二pmos管、npn型三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻和第五电阻;

4、所述npn型三极管的基极用于连接低压供电端的正极,所述低压供电端的电压小于第一预设阈值,所述npn型三极管的发射极用于连接所述低压供电端的负极,所述npn型三极管的集电极用于连接所述第一电阻的第一端;

5、所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端连接,所述第二电阻的第二端与高压电容的正极连接;

6、所述第二pmos管的栅极与所述第一电阻的第二端连接,所述第二pmos管的源极与所述高压电容的正极连接,所述第二pmos管的漏极与所述第三电阻的第一端连接;

7、所述第三电阻的第一端与所述第四电阻的第一端连接,所述第三电阻的第二端与所述高压电容的正极连接;所述第四电阻的第二端与所述高压电容的负极连接;

8、所述第一pmos管的栅极与所述第三电阻的第一端连接,所述第一pmos管的源极与所述高压电容的正极连接,所述第一pmos管的漏极与所述第五电阻的第一端连接,所述第五电阻的第二端与所述高压电容的负极连接。

9、在一些可能的实现方式中,所述电荷泄放电路还包括:第一稳压二极管;

10、所述第一稳压二极管的阴极与所述高压电容的正极连接,所述第一稳压二极管的阳极与所述第一pmos管的栅极连接。

11、在一些可能的实现方式中,所述电荷泄放电路还包括:第二稳压二极管;

12、所述第二稳压二极管的阴极与所述高压电容的正极连接,所述第二稳压二极管的阳极与所述第二电阻的第一端连接。

13、在一些可能的实现方式中,所述电荷泄放电路还包括第六电阻;

14、所述npn型三极管的基极用于连接低压供电端的正极,包括:

15、所述npn型三极管的基极与所述第六电阻的第一端连接,所述第六电阻的第二端与所述低压供电端的正极连接。

16、在一些可能的实现方式中,所述电荷泄放电路还包括第七电阻;

17、所述第七电阻的第一端连接所述npn型三极管的基极,所述第七电阻的第二端连接所述npn型三极管的发射集。

18、在一些可能的实现方式中,所述第一电阻的阻值为300-500欧姆。

19、第二方面,本申请提供了一种电荷泄放系统,包括上述第一方面中任一项所述的电荷泄放电路。

20、第三方面,本申请提供了一种电机驱动器,包括上述第一方面中任一项所述的电荷泄放电路。

21、第四方面,本申请提供了一种车辆,包括上述第一方面中任一项所述的电荷泄放电路。

22、本申请的技术方案具有如下有益效果:

23、本申请中,在低压供电端(电路板)上电后,npn型三极管导通、第二pmos管导通、第一pmos管截止,如此,第五电阻(泄放电阻)中无电流流过,即,在低压供电端正常工作过程中,泄放电阻不会产生损耗,进而降低了损耗;在低压供电端下电后,npn型三极管截止、第二pmos管截止、第一pmos管导通,如此,第五电阻中有电流流过,即高压电容中的电荷通过泄放电阻泄放掉,而无需采用降压芯片,进而降低了成本。

24、应当理解的是,本申请中对技术特征、技术方案、有益效果或类似语言的描述并不是暗示在任意的单个实施例中可以实现所有的特点和优点。相反,可以理解的是对于特征或有益效果的描述意味着在至少一个实施例中包括特定的技术特征、技术方案或有益效果。因此,本说明书中对于技术特征、技术方案或有益效果的描述并不一定是指相同的实施例。进而,还可以任何适当的方式组合本实施例中所描述的技术特征、技术方案和有益效果。本领域技术人员将会理解,无需特定实施例的一个或多个特定的技术特征、技术方案或有益效果即可实现实施例。在其他实施例中,还可在没有体现所有实施例的特定实施例中识别出额外的技术特征和有益效果。



技术特征:

1.一种电荷泄放电路,其特征在于,包括:第一pmos管、第二pmos管、npn型三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻和第五电阻;

2.根据权利要求1所述的电荷泄放电路,其特征在于,所述电荷泄放电路还包括:第一稳压二极管;

3.根据权利要求1或2所述的电荷泄放电路,其特征在于,所述电荷泄放电路还包括:第二稳压二极管;

4.根据权利要求1所述的电荷泄放电路,其特征在于,所述电荷泄放电路还包括第六电阻;

5.根据权利要求1所述的电荷泄放电路,其特征在于,所述电荷泄放电路还包括第七电阻;

6.根据权利要求1所述的电荷泄放电路,其特征在于,所述第一电阻的阻值为300-500欧姆。

7.根据权利要求1所述的电荷泄放电路,其特征在于,在所述低压供电端停止供电后,所述高压电容两端的初始电压大于第二预设阈值。

8.一种电荷泄放系统,其特征在于,包括权利要求1-7任一项所述的电荷泄放电路。

9.一种电机驱动器,其特征在于,包括权利要求1-7任一项所述的电荷泄放电路。

10.一种车辆,其特征在于,包括权利要求1-7任一项所述的电荷泄放电路。


技术总结
本申请公开一种电荷泄放电路、系统、电机驱动器及车辆,涉及电路技术领域,该电路中NPN型三极管的基极与低压供电端的正极连接,NPN型三极管的发射极用于连接低压供电端的负极,NPN型三极管的集电极与第一电阻的第一端连接;第二电阻的第二端与高压电容的正极连接;第二PMOS管的栅极与第一电阻的第二端连接,第二PMOS管的源极与高压电容的正极连接,第二PMOS管的漏极与第三电阻的第一端连接;第一PMOS管的栅极与第三电阻的第一端连接,第一PMOS管的源极与高压电容的正极连接,第一PMOS管的漏极与第五电阻的第一端连接,第五电阻的第二端与高压电容的负极连接。该电路能够减少功耗及成本。

技术研发人员:乔进军,杨英振,倪佳伟,潘计聪,张巧芸
受保护的技术使用者:潍柴动力股份有限公司
技术研发日:20221221
技术公布日:2024/1/12
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1