一种集成在BMS充电口的低损失零电压电路的制作方法

本申请涉及电子电路，具体涉及一种集成在bms充电口的低损失零电压电路。

背景技术：

1、在电力、通讯等传统应用以及新能源领域，电池一般作为后备电源或能量存储时，大部分采用多电池串联后再进行应用，以适应电压等级要求；同时，电池管理系统(batterymanagementsystem，bms)与电池紧密相连，作为电池不可或缺的部件对电池系统进行管理；一般的充电电路中会存在肖特基二极管，充电过程中会有电压压降，在充电机与电池满充电压相差不大的情况下，会存在电池充电充不满的情况；充电口零电压在使用过程中，因其内部结构的开关作用，对外部环境的使用场景更宽泛，在潮湿环境，以及充电机短路情况下，起到更好的保护作用，如：

2、现有技术1：申请号为cn202222296234.8的一种充电器电路，其提供了一种技术方案，包括依次连接的ac/dc变换器、原边开关单元和变压器t1，ac/dc变换器输入端用于和外部交流电相连，还包括第一副边电路、第二副边电路、控制模块和充电输出端口，控制模块通过第一副边电路和变压器t1第一副边绕组连接，控制模块还通过第二副边电路和变压器t1第二副边绕组连接，控制模块还和充电输出端口相连；第一副边电路包括电容c2和电容c3，电阻r10、电阻r13、电阻r14、电阻r15和电阻r16、二极管d4；上述技术方案中采用二极管d4，在充电机与电池满充电压相差不大的情况下，会存在电池充电充不满的情况，因为二极管d4自身压降问题，导致电压损失，功耗较高。

3、综上所述，需要系统一种新的技术方案解决上述技术问题。

技术实现思路

1、本申请提供了一种集成在bms充电口的低损失零电压电路，包括金属半场效晶体管，所述金属半场效晶体管与二极管控制器连接，二极管控制器包括引脚1、引脚2、引脚3、引脚4、引脚6，其中，所述引脚1与电池连接，引脚2与充电端连接，引脚3与所述金属半场效晶体管的g极连接，芯片的引脚4接地，引脚6与电阻r8的一端连接，电阻r8的另一端与电池连接。

2、作为一种优选方案，所述引脚4与引脚6之间设有电源反接保护电路。

3、作为一种优选方案，所述电源反接保护电路包括并联设置的二极管d3和电容c6，所述二极管d3、电容c6、引脚4共同接地。

4、作为一种优选方案，所述金属半场效晶体管包括两个并联设置的n沟道mos管，两个n沟道mos管的d极相互连接，两个n沟道mos管的s极相互连接，两个n沟道mos管的g极分别与极管控制器的引脚3连接。

5、作为一种优选方案，所述金属半场效晶体管采用ncep40t11g。

6、作为一种优选方案，所述二极管控制器采用ltc4357cdcb。

7、本申请的二极管控制器，通过驱动外部金属半场效晶体管以取代一个肖特基二极管，在二极管或高电流二极管应用过程中使用，当在以二极管的使用过程中，可以避免二极管自身压降问题，从而降低电压损失，降低功耗；在电源发生故障或短路的情况下，快速关断操作可最大限度地减小反向电流瞬变；当在高电流二极管应用中使用时，能够减少能量损失，降低热耗，缩减pcb面积。

技术特征：

1.一种集成在bms充电口的低损失零电压电路，其特征在于，包括金属半场效晶体管，所述金属半场效晶体管与二极管控制器连接，二极管控制器包括引脚1、引脚2、引脚3、引脚4、引脚6，其中，所述引脚1与电池连接，引脚2与充电端连接，引脚3与所述金属半场效晶体管的g极连接，引脚4接地，引脚6与电阻r8的一端连接，电阻r8的另一端与电池连接。

2.根据权利要求1所述的一种集成在bms充电口的低损失零电压电路，其特征在于，所述引脚4与引脚6之间设有电源反接保护电路。

3.根据权利要求2所述的一种集成在bms充电口的低损失零电压电路，其特征在于，所述电源反接保护电路包括并联设置的二极管d3和电容c6，所述二极管d3、电容c6、引脚4共同接地。

4.根据权利要求1所述的一种集成在bms充电口的低损失零电压电路，其特征在于，所述金属半场效晶体管包括两个并联设置的n沟道mos管，两个n沟道mos管的d极相互连接，两个n沟道mos管的s极相互连接，两个n沟道mos管的g极分别与二极管控制器的引脚3连接。

5.根据权利要求1所述的一种集成在bms充电口的低损失零电压电路，其特征在于，所述金属半场效晶体管采用ncep40t11g。

6.根据权利要求1所述的一种集成在bms充电口的低损失零电压电路，其特征在于，所述二极管控制器采用ltc4357cdcb。

技术总结
本申请提供了一种集成在BMS充电口的低损失零电压电路，包括金属半场效晶体管，金属半场效晶体管与二极管控制器连接，二极管控制器的引脚1与电池连接，引脚2与充电端连接，引脚3与金属半场效晶体管的G极连接，芯片的引脚4接地，引脚6与电阻R8的一端连接，电阻R8的另一端与电池连接；本申请的二极管控制器，通过驱动外部金属半场效晶体管以取代一个肖特基二极管，在二极管或高电流二极管应用过程中使用，在以二极管的使用过程中，可以避免二极管自身压降问题，从而降低电压损失，降低功耗；电源发生故障或短路的情况下，快速关断操作可最大限度地减小反向电流瞬变；在高电流二极管应用中使用时，能够减少能量损失，降低热耗，缩减PCB面积。

技术研发人员：王淼,张岩,张雷,张俊佳
受保护的技术使用者：芯锐能（天津）科技有限公司
技术研发日：20221230
技术公布日：2024/1/12