一种瞬态浪涌电压抑制电路及电源系统的制作方法

本技术实施例涉及电源，尤其涉及一种瞬态浪涌电压抑制电路及电源系统。

背景技术：

1、在设备开关机或负载切换等场景时都会产生瞬态浪涌电压，如果在输入端对这种瞬态浪涌电压不加以抑制，一旦超过电源输入端所能承受的最大电压值，将会造成电源系统损坏，现有的浪涌电压抑制电路是通过瞬态印制二极管和若干压敏电阻等无源器件实现，这种电路虽然一定程度上能够实现浪涌电压抑制，但是稳定性和可靠性均比较差，而且控制精度和灵敏度均比较低，元器件易老化，寿命短，在对浪涌电压印制要求较高的电子设备上无法使用。

2、以上问题亟待解决。

技术实现思路

1、为解决相关技术问题，本实用新型提供一种瞬态浪涌电压抑制电路及电源系统，来解决以上背景技术部分提到的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型实施例采用如下技术方案：

3、第一方面，本实用新型实施例提供一种瞬态浪涌电压抑制电路，该电路包括电阻r1、场效应晶体管q1、电阻r2、三极管q2、电阻r3、电阻r4、二极管tvs1、电阻r5、三极管q3以及电阻r6；所述电阻r1的一端与电阻r2的一端、电源正极端dc+连接，场效应晶体管q1的栅极与电阻r1的另一端，电阻r4的一端连接，二极管tvs1的阴极与电源正极端dc+、场效应晶体管q1的源极连接，电阻r2的另一端与电阻r6的一端、三极管q2的基极、三极管q3的集电极连接，三极管q2的集电极与电阻r4的另一端连接，电阻r6的另一端与电源负极端dc-、三极管q2的发射极、三极管q3的发射极、电阻r5的一端连接，电阻r5的另一端与三极管q3的基极、电阻r3的一端连接，电阻r3的另一端与二极管tvs1的阳极连接。

4、作为一种可选的实施方式，所述场效应晶体管q1采用但不限于mos管。

5、作为一种可选的实施方式，所述场效应晶体管q1的漏极与电源输入端vin+连接，所述三极管q3的发射极与电源负极端dc-连接后接地端gnd。

6、作为一种可选的实施方式，所述三极管q2和所述三极管q3采用但不限于双极型晶体管；所述二极管tvs1采用瞬态电压抑制二极管。

7、第二方面，本实用新型实施例提供一种电源系统，该电源系统采用第一方面所述的瞬态浪涌电压抑制电路。

8、本实用新型实施例的技术方案基于场效应晶体管实现瞬态浪涌电压抑制，可对浪涌电压进行精准控制，可以有效降低启动冲击电流，降低对设备的不利影响，钳位浪涌电压，有效保护后级电源，提高电源系统的稳定性，而且结构简单，使用的外围器件少，工作时功耗低，效率高，稳定可靠。

技术特征：

1.一种瞬态浪涌电压抑制电路，其特征在于，包括电阻r1、场效应晶体管q1、电阻r2、三极管q2、电阻r3、电阻r4、二极管tvs1、电阻r5、三极管q3以及电阻r6；所述电阻r1的一端与电阻r2的一端、电源正极端dc+连接，场效应晶体管q1的栅极与电阻r1的另一端，电阻r4的一端连接，二极管tvs1的阴极与电源正极端dc+、场效应晶体管q1的源极连接，电阻r2的另一端与电阻r6的一端、三极管q2的基极、三极管q3的集电极连接，三极管q2的集电极与电阻r4的另一端连接，电阻r6的另一端与电源负极端dc-、三极管q2的发射极、三极管q3的发射极、电阻r5的一端连接，电阻r5的另一端与三极管q3的基极、电阻r3的一端连接，电阻r3的另一端与二极管tvs1的阳极连接。

2.根据权利要求1所述的瞬态浪涌电压抑制电路，其特征在于，所述场效应晶体管q1采用但不限于mos管。

3.根据权利要求2所述的瞬态浪涌电压抑制电路，其特征在于，所述场效应晶体管q1的漏极与电源输入端vin+连接，所述三极管q3的发射极与电源负极端dc-连接后接地端gnd。

4.根据权利要求3所述的瞬态浪涌电压抑制电路，其特征在于，所述三极管q2和所述三极管q3采用但不限于双极型晶体管；所述二极管tvs1采用瞬态电压抑制二极管。

5.一种电源系统，其特征在于，该电源系统采用权利要求1至4任一项所述的瞬态浪涌电压抑制电路。

技术总结
本技术实施例公开了一种瞬态浪涌电压抑制电路及电源系统，该电路包括电阻R1、场效应晶体管Q1、电阻R2、三极管Q2、电阻R3、电阻R4、二极管TVS1、电阻R5、三极管Q3以及电阻R6。本技术基于场效应晶体管实现瞬态浪涌电压抑制，可对浪涌电压进行精准控制，可以有效降低启动冲击电流，降低对设备的不利影响，钳位浪涌电压，有效保护后级电源，提高电源系统的稳定性，而且结构简单，使用的外围器件少，工作时功耗低，效率高，稳定可靠。

技术研发人员：陈尤,李宗阳
受保护的技术使用者：无锡市金赛德电子有限公司
技术研发日：20221231
技术公布日：2024/1/12