本技术实施例涉及开关电源,尤其涉及一种开关电源输出短路保护电路及开关电源。
背景技术:
1、为了提高开关电源输出短路的自身保护能力以及电力自动化装置在出现短路情况下的抗风险能力,开关电源输出短路的保护方案一直是开关电源不断升级优化的方向,现有的开关电源输出短路保护方案还是通过脉宽调制芯片u1内置的cs脚的限流保护实现短路保护,但是该cs引脚的保护由于内部设有阈值电压,也有防止误动的前沿消隐,这些都导致限流保护会有延迟,也就意味着随着保护时间的延长,短路功率也随之飚升,处于这种情况下,电源的半导体开关器件大概率会烧掉并造成炸机,损坏电力自动化装置的风险很高。
技术实现思路
1、为解决相关技术问题,本实用新型提供一种开关电源输出短路保护电路及开关电源,来解决以上背景技术部分提到的问题。
2、为实现上述目的,本实用新型实施例采用如下技术方案:
3、第一方面,本实用新型实施例提供了一种开关电源输出短路保护电路,该电路包括二极管d1、电阻r1、光耦pc1、电容cd1、三极管q1、电容cd2、稳压管dz1、稳压管dz2、场效应晶体管q2、电阻r3、电阻r4、二极管d2以及电容cd3;所述电阻r1的一端与二极管d1的负极、电容cd1的一端、三极管q1的集电极连接,电阻r1的另一端与三极管q1的基极、光耦pc1输出端pc1b的集电极连接,光耦pc1输出端pc1b的发射极与稳压管dz2的负极连接,稳压管dz2的正极接地,电容cd1的另一端接地,三极管q1的发射极与电容cd2的一端、脉宽调制芯片u1的一端、电阻r4的一端连接,电容cd2的另一端接地,电阻r4的另一端与变压器主绕组tb的一端连接,变压器主绕组tb的另一端与场效应晶体管q2的漏极连接,场效应晶体管q2的栅极接所述脉宽调制芯片u1的控制端,场效应晶体管q2的源极与脉宽调制芯片u1的cs引脚、电阻r3的一端连接,电阻r3的另一端接地,变压器副绕组ta的一端与二极管d2的正极连接,二极管d2的负极与电容cd3的一端、稳压管dz1的负极连接,变压器副绕组ta的另一端接地,稳压管dz1的正极与光耦pc1输入端pc1b的正极连接,电容cd3的另一端接地,光耦pc1输入端pc1b的负极与电阻r2的一端连接,电阻r2的另一端接地。
4、作为一种可选的实施方式,所述电容cd1、电容cd2、电容cd3均采用电解电容。
5、作为一种可选的实施方式,所述场效应晶体管q2采用但不限于mos管。
6、第二方面,本实用新型实施例提供了一种开关电源,该开关电源采用上述第一方面任一项所述的开关电源输出短路保护电路。
7、本实用新型实施例的技术方案对脉宽调制芯片u1的类型无任何限制,在开关电源输出短路时使脉宽调制芯片u1将直接掉电停止工作,在开关电源输出短路时快速进行保护。本实用新型结构简单,成本低,稳定可靠,适宜推广应用。
1.一种开关电源输出短路保护电路,其特征在于,包括二极管d1、电阻r1、光耦pc1、电容cd1、三极管q1、电容cd2、稳压管dz1、稳压管dz2、场效应晶体管q2、电阻r3、电阻r4、二极管d2以及电容cd3;所述电阻r1的一端与二极管d1的负极、电容cd1的一端、三极管q1的集电极连接,电阻r1的另一端与三极管q1的基极、光耦pc1输出端pc1b的集电极连接,光耦pc1输出端pc1b的发射极与稳压管dz2的负极连接,稳压管dz2的正极接地,电容cd1的另一端接地,三极管q1的发射极与电容cd2的一端、脉宽调制芯片u1的一端、电阻r4的一端连接,电容cd2的另一端接地,电阻r4的另一端与变压器主绕组tb的一端连接,变压器主绕组tb的另一端与场效应晶体管q2的漏极连接,场效应晶体管q2的栅极接所述脉宽调制芯片u1的控制端,场效应晶体管q2的源极与脉宽调制芯片u1的cs引脚、电阻r3的一端连接,电阻r3的另一端接地,变压器副绕组ta的一端与二极管d2的正极连接,二极管d2的负极与电容cd3的一端、稳压管dz1的负极连接,变压器副绕组ta的另一端接地,稳压管dz1的正极与光耦pc1输入端pc1b的正极连接,电容cd3的另一端接地,光耦pc1输入端pc1b的负极与电阻r2的一端连接,电阻r2的另一端接地。
2.根据权利要求1所述的开关电源输出短路保护电路,其特征在于,所述电容cd1、电容cd2、电容cd3均采用电解电容。
3.根据权利要求2所述的开关电源输出短路保护电路,其特征在于,所述场效应晶体管q2采用但不限于mos管。
4.一种开关电源,其特征在于,该开关电源采用权利要求1至3任一项所述的开关电源输出短路保护电路。