反向导通损耗降低电路、半导体装置、开关电源的制作方法

本公开涉及反向导通损耗降低电路、半导体装置以及开关电源。

背景技术：

1、近年来，作为小型且能够进行高频驱动的开关元件，gan器件等的实用化不断发展。

2、另外，作为与上述相关的现有技术的一例，能够举出专利文献1(日本特开2022-067768号公报)。

3、但是，gan器件等开关元件与si器件等开关元件相比，存在反向导通损耗较大的缺点。

技术实现思路

1、例如，本公开的反向导通损耗降低电路构成为，在具有与栅极-源极间电压对应的反向导通特性的增强模式的开关元件处于反向导通时，将所述开关元件的所述栅极-源极间电压提高至预定的偏置电压。

2、另外，关于其他的特征、要素、步骤、优点以及特性，通过以下的用于实施发明的方式以及与其相关的附图而变得更加明确。

技术特征：

1.一种反向导通损耗降低电路，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的反向导通损耗降低电路，其特征在于，

3.一种半导体装置，其特征在于，包括：权利要求1或2所述的反向导通损耗降低电路。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求3至8中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

10.一种开关电源，其特征在于，包括：

技术总结
本发明提供一种反向导通损耗降低电路、半导体装置、开关电源。该反向导通损耗降低电路例如在具有与栅极‑源极间电压对应的反向导通特性的增强模式的开关元件处于反向导通时，将所述开关元件的所述栅极‑源极间电压提高至预定的偏置电压。

技术研发人员：藤卷匠
受保护的技术使用者：罗姆股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/24