一种交直流变换电路的制作方法

本发明涉及电力电子，特别是涉及一种交直流变换电路。

背景技术：

1、通常情况下，在交直流变换电路中，支撑电容支路与直流侧电容支路并联连接，形成的并联支路设置在压控型单相桥式交直流变换拓扑的直流侧两极之间。

2、但是，在实际应用中，支撑电容支路和直流侧电容支路通常由多个电容串并联连接而成，即包括的电容数量较多，从而导致全部电容的成本较高、全部电容所占空间较大，进而导致交直流变换电路的整体成本偏高。

3、因此，如何在保证交直流变换电路中的开关管不被损坏的同时，降低交直流变换电路的整体成本，是亟待解决的技术问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明提供了一种交直流变换电路，以在保证交直流变换电路中的开关管不被损坏的同时，降低交直流变换电路的整体成本。

2、为实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

3、本身请提供一种交直流变换电路，包括：交直流变换拓扑、直流侧电容支路和至少一个尖峰电压吸收电路；其中：

4、所述交流侧变换拓扑的直流侧正极与所述直流侧电容支路的第一端相连，所述交流侧变换拓扑的直流侧负极与所述直流侧电容支路的第二端相连；

5、所述交直流变换拓扑中的每个开关管均并联有所述尖峰电压吸收电路。

6、可选的，所述尖峰电压吸收电路，包括：吸收电阻和吸收电容；其中：

7、所述吸收电阻与所述吸收电容串联连接，形成的串联支路的两端分别作为所述尖峰电压吸收电路的两端。

8、可选的，所述尖峰电压吸收电路，包括：吸收电阻、吸收电容和吸收二极管；其中：

9、所述吸收电容和所述吸收二极管串联连接，形成的串联支路，按照所述吸收二极管的导通方向与所述开关管的导通方向相反的方式，与相应所述开关管并联连接；

10、所述吸收电阻与所述吸收电容并联连接，或者，所述吸收电阻与所述吸收二极管并联连接。

11、可选的，所述尖峰电压吸收电路，包括：稳压二极管；其中：

12、所述稳压二极管按照自身导通方向与所述开关管的导通方向相反的方式，与相应所述开关管并联连接。

13、可选的，所述交流侧变换拓扑的直流侧正极与所述直流侧电容支路的第一端之间的接线长度小于预设长度；

14、所述交流侧变换拓扑的直流侧负极与所述直流侧电容支路的第二端之间的接线长度小于所述预设长度。

15、可选的，所述交直流变换拓扑为单相变换拓扑或者三相变换拓扑。

16、可选的，所述交直流变换拓扑为全桥变换拓扑或者半桥变换拓扑。

17、可选的，所述开关管为电压型器件或者电流型器件。

18、可选的，若所述开关管为电压型器件，则所述开关管为mos管或igbt。

19、可选的，若所述开关管为电流型器件，则所述开关管为晶闸管。

20、由上述技术方案可知，本发明提供了一种交直流变换电路，其具体包括：交直流变换拓扑、直流侧电容支路和至少一个尖峰电压吸收电路；其中，交流侧变换拓扑的直流侧正极与直流侧电容支路的第一端相连，交流侧变换拓扑的直流侧负极与直流侧电容支路的第二端相连；交直流变换拓扑中的每个开关管均并联有尖峰电压吸收电路。由于交直流变换拓扑中的每个开关管均并联有尖峰电压吸收电路，即尖峰电压吸收电路可以吸收在上述开关管的两端所产生的尖峰电压，所以可以避免上述开关管因尖峰电压而被损坏；另外，由于支撑电容支路的成本较高、尖峰电压吸收电路的成本较低，而在该交直流变换电路中设置有尖峰电压吸收电路、没有设置支撑电容支路，所以该交直流变换电路降低了自身的整体成本；综上所述，该交直流变换电路在保证自身开关管不被损坏的同时，降低了自身整体成本。

技术特征：

1.一种交直流变换电路，其特征在于，包括：交直流变换拓扑、直流侧电容支路和至少一个尖峰电压吸收电路；其中：

2.根据权利要求1所述的交直流变换电路，其特征在于，所述尖峰电压吸收电路，包括：吸收电阻和吸收电容；其中：

3.根据权利要求1所述的交直流变换电路，其特征在于，所述尖峰电压吸收电路，包括：吸收电阻、吸收电容和吸收二极管；其中：

4.根据权利要求1所述的交直流变换电路，其特征在于，所述尖峰电压吸收电路，包括：稳压二极管；其中：

5.根据权利要求1至4任一项所述的交直流变换电路，其特征在于，所述交流侧变换拓扑的直流侧正极与所述直流侧电容支路的第一端之间的接线长度小于预设长度；

6.根据权利要求1至4任一项所述的交直流变换电路，其特征在于，所述交直流变换拓扑为单相变换拓扑或者三相变换拓扑。

7.根据权利要求1至4任一项所述的交直流变换电路，其特征在于，所述交直流变换拓扑为全桥变换拓扑或者半桥变换拓扑。

8.根据权利要求1至4任一项所述的交直流变换电路，其特征在于，所述开关管为电压型器件或者电流型器件。

9.根据权利要求8所述的交直流变换电路，其特征在于，若所述开关管为电压型器件，则所述开关管为mos管或igbt。

10.根据权利要求8所述的交直流变换电路，其特征在于，若所述开关管为电流型器件，则所述开关管为晶闸管。

技术总结
本申请提供一种交直流变换电路。由于交直流变换拓扑中的每个开关管均并联有尖峰电压吸收电路，即尖峰电压吸收电路可以吸收在上述开关管的两端所产生的尖峰电压，所以可以避免上述开关管因尖峰电压而被损坏；另外，由于支撑电容支路的成本较高、尖峰电压吸收电路的成本较低，而在该交直流变换电路中设置有尖峰电压吸收电路、没有设置支撑电容支路，所以该交直流变换电路降低了自身的整体成本；综上所述，该交直流变换电路在保证自身开关管不被损坏的同时，降低了自身整体成本。

技术研发人员：吕宾,宋君宇
受保护的技术使用者：北京德亚特应用科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15