一种应用于电池管理芯片的负电压电荷泵电路的制作方法

本发明属于模拟集成电路，具体涉及一种用于电池管理芯片的负电压电荷泵电路。

背景技术：

1、随着电池管理芯片的集成度不断提高以及其应用环境多元化发展下，电荷泵作为一个基本的模块电路，广泛应用于各种集成电路产品中。其中正电压电荷泵电路的主要作用是为系统提供高于输入电源电压正轨的正电压源，负电压电荷泵电路的主要作用是提供低于输入电源电压的负轨的负电压源，从而更好得满足系统设计指标。

2、在多数的应用场景中，正电源高压电荷泵电路的使用较为普遍，但随着系统指标要求不断提高，电子系统内不仅需要正向高压，更需要负向高压来稳定可靠的工作。因此，对于能够提供低于电源负轨的电荷泵电路设计的需求日益紧迫。

技术实现思路

1、为了克服现有技术的不足，本发明专利提供一种应用于电池管理芯片的负电压电荷泵电路，应用于dc-dc电源模块中，在技术上通过在输出级增加一级源跟随器，具有一定的负载能力，来产生更稳定的斜坡电压，应用于输出需要带小电流的应用场景。

2、为了解决现有技术存在的上述问题，本发明所采用的技术方案为：

3、一种应用于电池管理芯片的负电压电荷泵电路，包括第一p型mos管、第二p型mos管、第三p型mos管、第四p型mos管、第五n型mos管、第六n型mos管、第七n型mos管、第八n型mos管。

4、所述第一p型mos管的源极、第二p型mos管的源极、第三p型mos管的源极、第四p型mos管的源极均与agnd连接。

5、所述第一p型mos管的栅极与第二p型mos管的漏极连接，第一p型mos管的漏极通过第一电容与第一时钟信号clk1连接。

6、所述第二p型mos管的栅极与第一p型mos管的漏极连接，第二p型mos管的漏极通过第二电容与第二延迟信号clk2d连接。

7、所述第三p型mos管的栅极与第二p型mos管的漏极连接，第三p型mos管的漏极通过第三电容与第一延迟信号clk1d连接。

8、所述第四p型mos管的栅极与第一p型mos管的漏极连接，第四p型mos管的漏极通过第四电容与第二时钟信号clk2连接。

9、所述第五n型mos管的源极、第六n型mos管的源极、第七n型mos管的源极、第八n型mos管的源极均与负压电荷泵的输出端vout连接，第五n型mos管的栅极与第六n型mos管的漏极连接，第五n型mos管的漏极与第三p型mos管的漏极连接。

10、所述第六n型mos管的栅极与第五n型mos管的漏极连接，第六n型mos管的漏极与第四p型mos管的漏极连接。

11、所述第七n型mos管的栅极与第三p型mos管的漏极连接，第七n型mos管的漏极与第二p型mos管的漏极连接。

12、所述第八n型mos管的栅极与第四p型mos管的漏极连接，第八n型mos管的漏极与第一p型mos管的漏极连接。

13、本发明的有益效果为：

14、本发明提供的负电压电荷泵电路，由2路非交叠时钟信号，clk1和clk1d以及clk2和clk2d来控制负电压电荷泵单元输出节点的电荷，使负电压电荷泵单元的输出端实现建立快速可靠的负电压。

技术特征：

1.一种应用于电池管理芯片的负电压电荷泵电路，其特征在于：包括第一p型mos管(m1)、第二p型mos管(m2)、第三p型mos管(m3)、第四p型mos管(m4)、第五n型mos管(m5)、第六n型mos管(m6)、第七n型mos管(m7)、第八n型mos管(m8)；

技术总结
本发明公开了一种应用于电池管理芯片的负电压电荷泵电路，包括第一P型MOS管、第二P型MOS管、第三P型MOS管、第四P型MOS管、第五N型MOS管、第六N型MOS管、第七N型MOS管、第八N型MOS管。本发明提供的负电压电荷泵电路，由2路非交叠时钟信号，CLK1和CLK1D以及CLK2和CLK2D来控制负电压电荷泵单元输出节点的电荷，使负电压电荷泵单元的输出端实现建立快速可靠的负电压。

技术研发人员：张露方,张龙,陈婷,刘海涛,陈铮鎔,侯灵岩
受保护的技术使用者：西安航天民芯科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15