本发明涉及调压器,尤其涉及一种快速多相反式电感器调压器。
背景技术:
1、快速多相反式电感器调压器数据中心采用强大的asic,如cpu、gpu、机器学习加速器、网络交换机、服务器等,它们消耗大量的电流,如高达1000安培,其功率需求迅速波动。多相调压器(vr)传统上用于提供这种负载。为了跟上负载的电流和带宽的增加,vr的相位数及其输出解耦电容得到了增加。这在一定程度上提高了传统vr的瞬态响应;但由于其输出阻抗大,解耦电容(多层陶瓷或聚合物类型)所占的空间,以及解耦电容离负载的距离,传统vr已经达到了性能的极限。
2、其他改进传统vr的技术,比如增加开关频率和/或减少电感,改善了瞬态响应,但以效率为代价。耦合电感技术具有相对较低的泄漏电感,因此瞬态响应相对较快。然而,它包含了太多的跨应用程序的库存单元,而且也难以制造。
技术实现思路
1、本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种快速多相反式电感器调压器。
2、为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:一种快速多相反式电感器调压器,包括多相反式电感器调压器,所述的tlvr的每个相都有一个输出电感,所述的输出电感是变压器的二次绕组,所述的主绕组都以串联回路连接。
3、作为上述技术方案的进一步描述:
4、所述的相位由交错的脉宽调制(pwm)波形驱动。tlvr的带宽几乎是tlvr的带宽的5倍传统的多相调压器。
5、作为上述技术方案的进一步描述:
6、在所述的负载中发生瞬态时,调整相的pwm波形的占空比,使所有相都响应一个变化的电流。结果是一个非常快的瞬态响应,匹配负载的电流和带宽。
7、作为上述技术方案的进一步描述:
8、在一个单二级的tlvr中每个磁芯有一个主绕组和一个二次绕组;在一个双二级的tlvr中,每个磁芯有一个主绕组和多个二次绕组;在双二级tlvr中,二级间耦合系数kss远小于kps。
9、作为上述技术方案的进一步描述:
10、所述的各相的输出电感器同时携带直流电流和磁化纹波电流。
11、作为上述技术方案的进一步描述:
12、所述的每个输出电感绕组都是变压器的二次绕组,所述的变压器的二次绕组与变压器的一次绕组紧密耦合,泄漏可以忽略不计。tlvr的等效总输出电感低于传统的多相vr实现。
13、作为上述技术方案的进一步描述:
14、所述的一个6相vr可以使用基于单二级结构的6个磁芯,所述的一个6相vr可以使用基于双二级结构的3个磁芯。
15、作为上述技术方案的进一步描述:
16、在稳态下,所述的所有相的pwm波形都是均匀交错;所述的各相的磁化电感器lm所携带的磁化电流。
17、本发明具有如下有益效果:
18、1、本发明中,tlvr有非常快速瞬态响应;即使在相位数接近vr降压比时,tlvr也具有良好的瞬态响应;由于其输出电感较小。
19、2、本发明中,即使在高相位数时,即使在相位数接近vr降压比时,tlvr也具有良好的瞬态响应。
1.一种快速多相反式电感器调压器,包括多相反式电感器调压器,其特征在于:所述的tlvr的每个相都有一个输出电感,所述的输出电感是变压器的二次绕组,所述的主绕组都以串联回路连接。
2.根据权利要求1所述的一种快速多相反式电感器调压器,其特征在于:所述的相位由交错的脉宽调制(pwm)波形驱动。
3.根据权利要求2所述的一种快速多相反式电感器调压器,其特征在于:在所述的负载中发生瞬态时,调整相的pwm波形的占空比,使所有相都响应一个变化的电流。
4.根据权利要求1所述的一种快速多相反式电感器调压器,其特征在于:在一个单二级的tlvr中每个磁芯有一个主绕组和一个二次绕组;在一个双二级的tlvr中,每个磁芯有一个主绕组和多个二次绕组;在双二级tlvr中,二级间耦合系数kss远小于kps。
5.根据权利要求1所述的一种快速多相反式电感器调压器,其特征在于:所述的各相的输出电感器同时携带直流电流和磁化纹波电流。
6.根据权利要求5所述的一种快速多相反式电感器调压器,其特征在于:所述的每个输出电感绕组都是变压器的二次绕组,所述的变压器的二次绕组与变压器的一次绕组紧密耦合,泄漏可以忽略不计。
7.根据权利要求4所述的一种快速多相反式电感器调压器,其特征在于:所述的一个6相vr可以使用基于单二级结构的6个磁芯,所述的一个6相vr可以使用基于双二级结构的3个磁芯。
8.根据权利要求1所述的一种快速多相反式电感器调压器,其特征在于:在稳态下,所述的所有相的pwm波形都是均匀交错;所述的各相的磁化电感器lm所携带的磁化电流。