一种双路互补同步整流系统的制作方法

本技术涉及同步整流领域，具体是一种双路互补同步整流系统。

背景技术：

1、采用低导通阻抗的功率mosfet代替传统的肖特基二极管和快恢复开关二极管作为输出整流管的技术称为同步整流技术。整流二极管的正向导通压降较大，导致整流损耗增加，电源效率降低，在低压大电流的应用背景下劣势尤其明显，而用低导通阻抗的功率mosfet可以减小导通压降，大大提高电源效率。

2、常规的同步整流依赖于专用ic芯片实现，申请人针对此提出一种双路互补同步整流系统，用以降低器件成本。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种双路互补同步整流系统，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

3、一种双路互补同步整流系统，包括主功率电路、pwm控制器、同步整流mos管q7、q8，主功率电路的输出端分别与同步整流mos管q7、q8的漏极连接；还包括第一、第二磁隔离电路与第一、第二栅极驱动电路，所述pwm控制器的第一输出端、第二输出端分别连接第一磁隔离电路、第二磁隔离电路的输入端，所述pwm控制器的两个输出端输出相位互补的两组pwm控制信号，且第一输出端还与主功率电路的输入端相连；所述第一磁隔离电路、第二磁隔离电路的输出端分别连接第一栅极驱动电路、第二栅极驱动电路的输入端，所述第一栅极驱动电路用于控制同步整流mos管q7的通断，第二栅极驱动电路用于控制同步整流mos管q8的通断。

4、作为本实用新型的改进方案，所述第一磁隔离电路由隔离电容c1、磁隔离变压器t2组成，所述pwm控制器的第一输出端通过隔离电容c1连接磁隔离变压器t2的初相绕组的同相端，初相绕组的反向端接地；所述磁隔离变压器t2包括上、下两个次级绕组，次级绕组与第一栅极驱动电路的输入端连接。

5、作为本实用新型的改进方案，所述第一栅极驱动电路包括栅极驱动电阻r1、r2、反并联二极管d1、上拉mos管q3以及下拉mos管q4；所述栅极驱动电阻r1的第一端连接磁隔离变压器t2的上次级绕组的反相端；栅极驱动电阻r1的第二端接上拉mos管q3的栅极；上拉mos管q3的漏极接供电电源，源极接磁隔离变压器t2的上次级绕组的同相端以及同步整流mos管q7的栅极；所述栅极驱动电阻r2的第一端连接磁隔离变压器t2的下次级绕组的同相端，栅极驱动电阻r2的第二端连接下拉mos管q4的栅极；下拉mos管q4的漏极连接同步整流mos管q7的栅极，源极接磁隔离变压器t2的下次级绕组的反相端并接地；所述反并联二极管d1的阴极分别连接栅极驱动电阻r1、r2的第一端，阳极分别连接栅极驱动电阻r1、r2的第二端。

6、作为本实用新型的改进方案，所述第一磁隔离电路与第二磁隔离电路结构相同。

7、作为本实用新型的改进方案，所述第一栅极驱动电路与第二栅极驱动电路结构相同。

8、有益效果：本实用新型通过双路信号互补的两个栅极驱动电路对同步整流mos管q7、q8进行同步整流驱动，电路结构简洁，控制方法有效，不依赖专用的ic芯片，器件成本低，适用于半桥、推挽等双管电源系统，具有良好的应用前景。

技术特征：

1.一种双路互补同步整流系统，包括主功率电路、pwm控制器、同步整流mos管q7、q8，主功率电路的输出端分别与同步整流mos管q7、q8的漏极连接；其特征在于，还包括第一、第二磁隔离电路与第一、第二栅极驱动电路，所述pwm控制器的第一输出端、第二输出端分别连接第一磁隔离电路、第二磁隔离电路的输入端，所述pwm控制器的两个输出端输出相位互补的两组pwm控制信号，且第一输出端还与主功率电路的输入端相连；所述第一磁隔离电路、第二磁隔离电路的输出端分别连接第一栅极驱动电路、第二栅极驱动电路的输入端，所述第一栅极驱动电路用于控制同步整流mos管q7的通断，第二栅极驱动电路用于控制同步整流mos管q8的通断。

2.根据权利要求1所述的一种双路互补同步整流系统，其特征在于，所述第一磁隔离电路由隔离电容c1、磁隔离变压器t2组成，所述pwm控制器的第一输出端通过隔离电容c1连接磁隔离变压器t2的初相绕组的同相端，初相绕组的反向端接地；所述磁隔离变压器t2包括上、下两个次级绕组，次级绕组与第一栅极驱动电路的输入端连接。

3.根据权利要求2所述的一种双路互补同步整流系统，其特征在于，所述第一栅极驱动电路包括栅极驱动电阻r1、r2、反并联二极管d1、上拉mos管q3以及下拉mos管q4；所述栅极驱动电阻r1的第一端连接磁隔离变压器t2的上次级绕组的反相端；栅极驱动电阻r1的第二端接上拉mos管q3的栅极；上拉mos管q3的漏极接供电电源，源极接磁隔离变压器t2的上次级绕组的同相端以及同步整流mos管q7的栅极；所述栅极驱动电阻r2的第一端连接磁隔离变压器t2的下次级绕组的同相端，栅极驱动电阻r2的第二端连接下拉mos管q4的栅极；下拉mos管q4的漏极连接同步整流mos管q7的栅极，源极接磁隔离变压器t2的下次级绕组的反相端并接地；所述反并联二极管d1的阴极分别连接栅极驱动电阻r1、r2的第一端，阳极分别连接栅极驱动电阻r1、r2的第二端。

4.根据权利要求2所述的一种双路互补同步整流系统，其特征在于，所述第一磁隔离电路与第二磁隔离电路结构相同。

5.根据权利要求3所述的一种双路互补同步整流系统，其特征在于，所述第一栅极驱动电路与第二栅极驱动电路结构相同。

技术总结
本技术公开了同步整流领域的一种双路互补同步整流系统，包括主功率电路、PWM控制器、第一、第二磁隔离电路、第一、第二栅极驱动电路以及同步整流MOS管Q7、Q8，PWM控制器的第一、第二输出端分别连接第一、第二磁隔离电路的输入端，PWM控制器的两个输出端输出相位互补的两组PWM控制信号，且第一输出端还与主功率电路的输入端相连；第一、第二磁隔离电路的输出端分别连接第一、第二栅极驱动电路的输入端，第一、第二栅极驱动电路分别用于控制同步整流MOS管Q7、Q8的通断。本技术通过双路信号互补的两个栅极驱动电路对两个同步整流MOS管进行同步整流驱动，电路结构简洁，控制方法有效，不依赖专用的IC芯片，器件成本低，有良好的应用前景。

技术研发人员：解光庆,吴磊,胡进,姚方舟,陈波,徐光显,李兰兰
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第四十三研究所
技术研发日：20230331
技术公布日：2024/1/15