高效率双管正激电路的制作方法

本技术属于开关电源，尤其涉及一种高效率双管正激电路。

背景技术：

1、双管正激拓扑因具有较高电压输入和较大功率输出、拓扑结构精简、带载能力强、动态特性好的优势，有效的解决了初级mos管电压应力和磁复位问题，被广泛应用在各大领域。

2、利用带载能力强的优势，双管正激拓扑在低压大电流领域应用时因原边mos管开关速度较快，输出二极管或输出mos管反向恢复时间较长，导致输出管存在较高的尖峰电压。现有技术中为了降低尖峰电压通常会采用增加rc吸收电路或选用更高耐压的二极管或mos管，而耐压越高内阻或导通压降越高，提高了元件选型要求，增加了设计成本，降低了产品的转换效率，增加了产品的发热量。这也使得该类产品在应用时需额外增加散热风扇进行热处理，若风扇损坏会极大成度降低产品的稳定性和可靠性。

3、因此，有必要对现有技术进行改进以解决上述问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种高效率双管正激电路，旨在解决现有技术中双管正激电路尖峰电压高、转换效率低，进而导致发热量大和稳定性差的技术问题。

2、为实现上述目的，本实用新型实施例提供一种高效率双管正激电路，包括输入电路、正激电路、pwm控制电路、尖峰吸收电路和输出电路；所述正激电路连接所述输入电路，所述pwm控制电路连接所述正激电路，所述尖峰吸收电路连接所述正激电路，所述输出电路连接所述尖峰吸收电路和所述pwm控制电路；

3、所述正激电路包括第一mos管和第二mos管；所述尖峰吸收电路包括第一电感、第一磁复位二极管和第二磁复位二极管，所述第一电感的第一端连接所述第一mos管的源极，所述第一电感的第二端连接所述第二mos管的漏极；所述第一磁复位二极管的正极连接所述第一电感的第二端，所述第一磁复位二极管的负极连接所述第一mos管的漏极；所述第二磁复位二极管的正极连接所述第二mos管的源极，所述第二磁复位二极管的负极连接所述第一电感的第一端。

4、作为一种优选方案，所述输出电路包括第二隔离变压器、同步整流电路、输出滤波电路和输出反馈电路；所述第二隔离变压器的初级侧连接所述尖峰吸收电路；所述同步整流电路连接所述第二隔离变压器的次级侧；所述输出滤波电路连接所述同步整流电路；所述输出反馈电路连接所述输出滤波电路和所述pwm控制电路。

5、作为一种优选方案，所述同步整流电路包括第三mos管和第四mos管；所述第三mos管的漏极连接所述第二隔离变压器的第三端，所述第三mos管的栅极连接所述第二隔离变压器的第四端；所述第四mos管的源极连接所述第三mos管的源极，所述第四mos管的漏极连接所述第二隔离变压器的第三端，所述第四mos管的栅极连接外部电路输出。

6、作为一种优选方案，所述同步整流电路还包括第一电容、限流电阻和稳压管；所述第一电容的第一端连接所述第三mos管的栅极，所述限流电阻的第一端连接所述第一电容的第二端，所述稳压管的正极连接所述限流电阻的第二端，所述稳压管的负极连接所述第二隔离变压器的第三端。

7、作为一种优选方案，所述输出滤波电路包括第二电解电容和第三电解电容，所述第二电解电容的两端连接所述同步整流电路，所述第三电解电容并联于所述第二电解电容的两端。

8、作为一种优选方案，所述输出反馈电路包括第一光耦，所述第一光耦的内部发光二极管连接所述输出滤波电路，所述第一光耦的内部光电三极管连接所述pwm控制电路的pwm控制芯片。

9、作为一种优选方案，所述输入电路上设置有第一电解电容，所述尖峰吸收电路还包括第三磁复位二极管和第四磁复位二极管；所述第三磁复位二极管的正极连接所述第二隔离变压器的第二端，所述第三磁复位二极管的负极连接所述第一电解电容；所述第四磁复位二极管的负极连接所述第二隔离变压器的第一端。

10、作为一种优选方案，所述pwm控制电路包括pwm控制芯片、第一开关三极管、第二开关三极管和第一隔离变压器，所述第一开关三极管的基极和所述第二开关三极管的基极均与所述pwm控制芯片的第六引脚连接，所述第一隔离变压器的初级侧与所述第一开关三极管的发射极和所述第二开关三极管的发射极均连接，所述第一隔离变压器的次级侧与所述第一mos管的栅极和所述第二mos管的栅极均连接。

11、作为一种优选方案，所述输入电路包括交流输入、熔断器、压敏电阻和热敏电阻；所述熔断器与所述交流输入的l端连接，所述压敏电阻并联于所述交流输入的两端，所述热敏电阻与所述交流输入的n端连接。

12、作为一种优选方案，所述输入电路还包括整流桥，所述整流桥的输入连接所述交流输入，所述整流桥的输出连接所述正激电路。

13、本实用新型实施例提供的高效率双管正激电路中的上述一个或多个技术方案至少具有如下技术效果之一：

14、1、本实用新型通过在电路中设置第一电感、第一磁复位二极管和第二磁复位二极管，在电路开通的瞬间利用电感的抑制作用，以降低尖峰电压大小，同时通过所述第一磁复位二极管和第二磁复位二极管完成第一电感的磁复位，依次交替。同时，电路尖峰电压降低后使得mos管可以选用耐压更低、内阻更小的型号，有效降低了成本，提高了转化效率。

15、2、本实用新型通过在同步整流电路中设置第一电容、限流电阻和稳压管，在第二隔离变压器的次级侧导通后，第一电容、限流电阻和稳压管形成自激供电为第三mos管提供驱动信号，利用第一电容通高频阻低频的特性在开关瞬间吸收尖峰电压，以降低尖峰电压。

技术特征：

1.一种高效率双管正激电路，其特征在于，包括输入电路、正激电路、pwm控制电路、尖峰吸收电路和输出电路；所述正激电路连接所述输入电路，所述pwm控制电路连接所述正激电路，所述尖峰吸收电路连接所述正激电路，所述输出电路连接所述尖峰吸收电路和所述pwm控制电路；

2.根据权利要求1所述的高效率双管正激电路，其特征在于，所述输出电路包括第二隔离变压器、同步整流电路、输出滤波电路和输出反馈电路；所述第二隔离变压器的初级侧连接所述尖峰吸收电路；所述同步整流电路连接所述第二隔离变压器的次级侧；所述输出滤波电路连接所述同步整流电路；所述输出反馈电路连接所述输出滤波电路和所述pwm控制电路。

3.根据权利要求2所述的高效率双管正激电路，其特征在于，所述同步整流电路包括第三mos管和第四mos管；所述第三mos管的漏极连接所述第二隔离变压器的第三端，所述第三mos管的栅极连接所述第二隔离变压器的第四端；所述第四mos管的源极连接所述第三mos管的源极，所述第四mos管的漏极连接所述第二隔离变压器的第三端，所述第四mos管的栅极连接外部电路输出。

4.根据权利要求3所述的高效率双管正激电路，其特征在于，所述同步整流电路还包括第一电容、限流电阻和稳压管；所述第一电容的第一端连接所述第三mos管的栅极，所述限流电阻的第一端连接所述第一电容的第二端，所述稳压管的正极连接所述限流电阻的第二端，所述稳压管的负极连接所述第二隔离变压器的第三端。

5.根据权利要求2所述的高效率双管正激电路，其特征在于，所述输出滤波电路包括第二电解电容和第三电解电容，所述第二电解电容的两端连接所述同步整流电路，所述第三电解电容并联于所述第二电解电容的两端。

6.根据权利要求2所述的高效率双管正激电路，其特征在于，所述输出反馈电路包括第一光耦，所述第一光耦的内部发光二极管连接所述输出滤波电路，所述第一光耦的内部光电三极管连接所述pwm控制电路的pwm控制芯片。

7.根据权利要求2所述的高效率双管正激电路，其特征在于，所述输入电路上设置有第一电解电容，所述尖峰吸收电路还包括第三磁复位二极管和第四磁复位二极管；所述第三磁复位二极管的正极连接所述第二隔离变压器的第二端，所述第三磁复位二极管的负极连接所述第一电解电容；所述第四磁复位二极管的负极连接所述第二隔离变压器的第一端。

8.根据权利要求1-7任一项所述的高效率双管正激电路，其特征在于，所述pwm控制电路包括pwm控制芯片、第一开关三极管、第二开关三极管和第一隔离变压器，所述第一开关三极管的基极和所述第二开关三极管的基极均与所述pwm控制芯片的第六引脚连接，所述第一隔离变压器的初级侧与所述第一开关三极管的发射极和所述第二开关三极管的发射极均连接，所述第一隔离变压器的次级侧与所述第一mos管的栅极和所述第二mos管的栅极均连接。

9.根据权利要求1-7任一项所述的高效率双管正激电路，其特征在于，所述输入电路包括交流输入、熔断器、压敏电阻和热敏电阻；所述熔断器与所述交流输入的l端连接，所述压敏电阻并联于所述交流输入的两端，所述热敏电阻与所述交流输入的n端连接。

10.根据权利要求9所述的高效率双管正激电路，其特征在于，所述输入电路还包括整流桥，所述整流桥的输入连接所述交流输入，所述整流桥的输出连接所述正激电路。

技术总结
本技术属于开关电源技术领域，尤其涉及一种高效率双管正激电路，包括输入电路、正激电路、PWM控制电路、尖峰吸收电路和输出电路；正激电路包括第一MOS管和第二MOS管；尖峰吸收电路包括第一电感、第一磁复位二极管和第二磁复位二极管，第一电感的第一端连接第一MOS管的源极，第一电感的第二端连接第二MOS管的漏极；第一磁复位二极管的正极连接第一电感的第二端，第二磁复位二极管的负极连接第一电感的第一端。电路开通时利用电感的抑制作用，以降低尖峰电压大小，同时通过第一磁复位二极管和第二磁复位二极管完成第一电感的磁复位，依次交替。同时，电路尖峰电压降低后使得MOS管可以选用耐压更低、内阻更小的型号，有效降低了成本，提高了转化效率。

技术研发人员：肖亮,张安辉,冯伟
受保护的技术使用者：东莞市倍祺电子科技有限公司
技术研发日：20230626
技术公布日：2024/2/8