一种高功率密度电能转换装置的制作方法

文档序号:37332006发布日期:2024-03-18 17:06阅读:11来源:国知局
一种高功率密度电能转换装置的制作方法

本技术涉及功率电路,尤其是指一种高功率密度电能转换装置。


背景技术:

1、目前,对于电能转换模块,其通常包括功率电路、信号采集电路和驱动电路,驱动电路驱动功率电路工作,信号采集电路采集功率电路的输出。

2、然而,在实际使用过程中,出现以下问题:

3、其一,由于功率电路、信号采集电路和驱动线路设置在同一块电路板上,当电路板损坏时,不便于检修和更换;

4、其二,驱动电路在工作过程中,会产生电磁干扰,对于第三代半导体功率器件,较大的电磁干扰会影响功率电路工作,进而影响整个电路的性能;

5、其三,多个电路设置在同一块电路板上,容易产生较多热量,而较多的热量会导致电子元器件发生温漂的现象。


技术实现思路

1、为此,本实用新型所要解决的技术问题在于克服现有技术中驱动电路对功率器件干扰大,电子元器件易发生温漂的现象的技术缺陷。

2、为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种高功率密度电能转换装置,其特征在于,包括:

3、第一电路板,所述第一电路板上集成有半导体功率器件和信号采集电路,所述第一电路板上第一插孔和多个第二插孔;

4、第二电路板,所述第二电路板上设置有引脚,所述第二电路板通过引脚插设在所述第一插孔上,所述第二电路板与第一电路板间隔设置,所述第二电路板上集成有驱动电路,所述驱动电路驱动功率器件工作;

5、电子器件模块,其插设在第二插孔上,所述电子器件模块具有多个,所述电子器件与第二插孔一一对应设置,所述电子器件模块包括电容或电感。

6、在本实用新型的一个实施例中,所述第二电路板靠近第一电路板的一面涂覆有金属膜以隔绝电磁干扰。

7、在本实用新型的一个实施例中,所述金属膜为钢膜、铜膜或铝膜。

8、在本实用新型的一个实施例中,所述第一电路板上还设置有无桥plc电路和或全桥电路。

9、在本实用新型的一个实施例中,所述电子器件模块还包括变压器。

10、在本实用新型的一个实施例中,所述电子器件模块还包括信号发生源。

11、在本实用新型的一个实施例中,所述信号发生源为mcu或dsp。

12、在本实用新型的一个实施例中,所述半导体功率器件为晶圆级封装。

13、在本实用新型的一个实施例中,所述半导体功率器件为场效应管。

14、在本实用新型的一个实施例中,所述第一电路板上集成有多个半导体功率器件。

15、本实用新型的上述技术方案相比现有技术具有以下优点:

16、1、本实用新型中,将半导体功率器件和信号采集电路集成到第一电路板上,而将驱动电路集成在第二电路板上,而第二电路板上设置有引脚,第二电路板通过引脚插设在第一电路板上的第一插孔上,如此,实现了第一电路板和第二电路板之间的电连接,从而实现第二电路板上的驱动电路与第一电路板上的半导体功率器件之间的电连接。

17、2、由于第一电路板和第二电路板间隔设置,第二电路板上的驱动电路工作时,可以减小驱动电路对半导体功率器件的电磁干扰。

18、3、现有技术中驱动电路容易发热,而半导体功率器件在温度较高情况下,工作容易受影响,本实用新型中,由于半导体功率器件和驱动电路分别位于两块电路板上,第一电路板和第二电路板间隔设置,第一电路板和第二电路板之间的空气间隔可以减小热传递,从而保证半导体功率器件稳定工作;同样的,驱动电路的发热也不会影响第一电路板上其它电子元器件工作。

19、4、本实用新型通过更换第二电路板,即可更换不同型号和结构组成的驱动电路,灵活度高。

20、5、本实用新型的第一电路板上设置有第二插孔,第二插孔可用于插设电子器件模块,由于第一电路板上仅仅要集成半导体功率器件和信号采集电路,可以提高生产效率,而电容电感则插设在第二插孔上,方便检修和更换。



技术特征:

1.一种高功率密度电能转换装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的高功率密度电能转换装置,其特征在于,所述第二电路板靠近第一电路板的一面涂覆有金属膜以隔绝电磁干扰。

3.根据权利要求2所述的高功率密度电能转换装置,其特征在于,所述金属膜为钢膜、铜膜或铝膜。

4.根据权利要求1所述的高功率密度电能转换装置,其特征在于,所述第一电路板上还设置有无桥plc电路和或全桥电路。

5.根据权利要求1所述的高功率密度电能转换装置,其特征在于,所述电子器件模块还包括变压器。

6.根据权利要求1所述的高功率密度电能转换装置,其特征在于,所述电子器件模块还包括信号发生源。

7.根据权利要求6所述的高功率密度电能转换装置,其特征在于,所述信号发生源为mcu或dsp。

8.根据权利要求1所述的高功率密度电能转换装置,其特征在于,所述半导体功率器件为晶圆级封装。

9.根据权利要求1所述的高功率密度电能转换装置,其特征在于,所述半导体功率器件为场效应管。

10.根据权利要求1-9任一项所述的高功率密度电能转换装置,其特征在于,所述第一电路板上集成有多个半导体功率器件。


技术总结
本技术涉及一种高功率密度电能转换装置,包括:第一电路板,所述第一电路板上集成有半导体功率器件和信号采集电路,所述第一电路板上第一插孔和多个第二插孔;第二电路板,所述第二电路板上设置有引脚,所述第二电路板通过引脚插设在所述第一插孔上,所述第二电路板与第一电路板间隔设置,所述第二电路板上集成有驱动电路,所述驱动电路驱动功率器件工作;电子器件模块,其插设在第二插孔上,所述电子器件模块具有多个,所述电子器件与第二插孔一一对应设置,所述电子器件模块包括电容或电感。其电磁干扰小,方便检修和更换,散热性能好。

技术研发人员:孔令涛,傅玥,刘欢,周叶凡,许彪
受保护的技术使用者:南京芯干线科技有限公司
技术研发日:20230825
技术公布日:2024/3/17
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