一种箱式风冷型单相全波整流高压硅堆的制作方法

本技术涉及整流电源，具体为一种箱式风冷型单相全波整流高压硅堆。

背景技术：

1、整流硅堆是一种电子元件，用于将交流电转换为直流电。它由一组二极管组成，这些二极管只允许电流在一个方向上通过。当交流电输入整流硅堆时，它会将正半周的电流通过，而将负半周的电流阻止，从而将交流电转换为直流电。

2、整流硅堆的主要功能是将交流电源转换为直流电源，常见的应用场景包括电源适配器、电子变压器、工业设备以及电力系统中的整流装置等。在这些应用中，交流电通常需要转换为直流电，以供电子设备正常工作。

3、现有的设计可能没有优化体积和重量，导致整流硅堆的体积庞大和重量较重，不方便装配与运输，且相邻电子元件的电损较高。硅堆在工作时会产生较多的热量，如果散热不良，可能导致温度过高，影响元件的性能和寿命。

技术实现思路

1、本实用新型针对现有技术中存在的技术问题，提供一种箱式风冷型单相全波整流高压硅堆来解决上述硅堆容易发热，散热效果差的问题。

2、本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：一种箱式风冷型单相全波整流高压硅堆，包括相对布置的导流板和底板；所述导流板和底板之间设有多个间隔排布的整流板，相邻两个整流板之间形成有散热风道，所述整流板上设置有用于滤波整流的整流桥臂；所述导流板和底板之间沿整流板一侧还设有用于检测输出电压的采样电阻板。

3、在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。

4、进一步，所述整流桥臂由整流二极管、均压电阻以及滤波电容组成。

5、进一步，所述整流桥臂上的整流二极管依次串联设置有多个，且各个整流二极管均并联有均压电阻以及滤波电容。

6、进一步，所述整流二极管为高压快恢复二极管。

7、进一步，所述整流板上的多个整流二极管呈m型布局。

8、进一步，所述采样电阻板上设有由多个采样电阻以及霍尔电压传感器串联而成的电压采样电路。

9、进一步，所述整流板顶沿形成有凸起卡销，所述导流板板面设有与凸起卡销匹配的卡槽。

10、进一步，所述整流板为环氧绝缘板。

11、并且，本实用新型提供的箱式风冷型单相全波整流高压硅堆，与现有技术相比，至少具有以下有益效果：

12、1)对整流板和采样电阻板定位固定，可以形成封闭的箱体风道，引导气流流向，散热性能好，且采用开放式结构，便于元器件检测；

13、2)二极管采用独特的m型布局，既保证散热效率，又提高电气安全间距，同时提高了pcb空间利用率，可以布置更多的二极管数量。

技术特征：

1.一种箱式风冷型单相全波整流高压硅堆，其特征在于，包括相对布置的导流板(1)和底板(2)；所述导流板(1)和底板(2)之间设有多个间隔排布的整流板(3)，相邻两个整流板(3)之间形成有散热风道，所述整流板(3)上设置有用于滤波整流的整流桥臂；所述导流板(1)和底板(2)之间沿整流板(3)一侧还设有用于检测输出电压的采样电阻板(4)。

2.根据权利要求1所述的箱式风冷型单相全波整流高压硅堆，其特征在于，所述整流桥臂由整流二极管、均压电阻以及滤波电容组成。

3.根据权利要求2所述的箱式风冷型单相全波整流高压硅堆，其特征在于，所述整流桥臂上的整流二极管依次串联设置有多个，且各个整流二极管均并联有均压电阻以及滤波电容。

4.根据权利要求2所述的箱式风冷型单相全波整流高压硅堆，其特征在于，所述整流二极管为高压快恢复二极管。

5.根据权利要求3所述的箱式风冷型单相全波整流高压硅堆，其特征在于，所述整流板(3)上的多个整流二极管呈m型布局。

6.根据权利要求4所述的箱式风冷型单相全波整流高压硅堆，其特征在于，所述采样电阻板(4)上设有由多个采样电阻以及霍尔电压传感器串联而成的电压采样电路。

7.根据权利要求1所述的箱式风冷型单相全波整流高压硅堆，其特征在于，所述整流板(3)顶沿形成有凸起卡销(3.1)，所述导流板(1)板面设有与凸起卡销(3.1)匹配的卡槽(1.1)。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的箱式风冷型单相全波整流高压硅堆，其特征在于，所述整流板(3)为环氧绝缘板。

技术总结
本技术涉及整流电源技术领域，具体为一种箱式风冷型单相全波整流高压硅堆，包括相对布置的导流板和底板；所述导流板和底板之间设有多个间隔排布的整流板，相邻两个整流板之间形成有散热风道，所述整流板上设置有用于滤波整流的整流桥臂；所述导流板和底板之间沿整流板一侧还设有用于检测输出电压的采样电阻板。对整流板和采样电阻板定位固定，可以形成封闭的箱体风道，引导气流流向，散热性能好，且采用开放式结构，便于元器件检测。二极管采用独特的M型布局，既保证散热效率，又提高电气安全间距，同时提高了PCB空间利用率，可以布置更多的二极管数量。

技术研发人员：毕平劲,付金强,林子翔,赵志忠,韩柯,蒋绍涛
受保护的技术使用者：武汉欣和开元电子有限公司
技术研发日：20230908
技术公布日：2024/4/17