光伏电源管理模块的制作方法

文档序号:8321738阅读:204来源:国知局
光伏电源管理模块的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及光伏组件技术领域,尤其是涉及一种光伏电源管理模块。
【背景技术】
[0002]光伏电源管理模块是太阳能光伏接线盒中的一个重要部件,可同时用于多个组件的多晶硅光伏PV面板的旁路二极管模块接线盒中,用以在出现热斑效应时保护光照组件所产生的能量可能被遮蔽的电池组件所消耗。通常,该光伏电源管理模块中的二极管芯片通过锡焊或通过辅助元件插接在导电体上,且通过二极管的管脚散热。这样,该二极管芯片的PN结上产生的热量难以散掉,导致二极管芯片温升较高,容易损坏。

【发明内容】

[0003]本发明的目的是提供一种光伏电源管理模块,它具有不易出现热损坏的特点。
[0004]本发明所采用的技术方案是:光伏电源管理模块,包括至少2个电极本体,其中,相邻的电极本体中,位于右侧的电极本体上设有二极管芯片,该二极管芯片具有P结和N结,且该二极管芯片的P结电连接该位于右侧的电极本体,同时,该二极管芯片的N结通过连接片电连接至位于左侧的电极本体,所述连接片的左端通过回流焊焊接位于左侧的电极本体、右端通过回流焊焊接该二极管芯片的N结,同时,该二极管芯片的P结和位于右侧的电极本体通过烧结的方式电连接在一起。
[0005]所述二极管芯片、连接片的外部封装有环氧树脂层。
[0006]本发明所具有的优点是:不易出现热损坏。本发明的光伏电源管理模块针对二极管芯片和对应的电极本体的连接方式进行了改进。即,该二极管芯片的一个极通过烧结的方式连接一个电极本体,另一个极通过回流焊的方式连接另一个电极本体,从而减少了诸多元件相连的接触电阻,达到良好的欧姆接触电阻,进而不仅产生热量较小,散热较好,且焊接部位不易融化,继而不易出现热损坏的现象。
【附图说明】
[0007]下面结合附图和实施例对本发明进一步说明:
图1是本发明的实施例的主视图。
[0008]图中:10、电极本体;20、连接片;30、二极管芯片;40、环氧树脂层。
【具体实施方式】
[0009]实施例,见图1所示:光伏电源管理模块,包括至少2个电极本体10。下面以相邻的2个电极本体10的连接为例进行说明。该相邻的电极本体10中,位于右侧的电极本体10上设有二极管芯片30,该二极管芯片30具有P结和N结。具体的,该二极管芯片30的P结电连接该位于右侧的电极本体10,该二极管芯片30的N结通过一连接片20电连接至位于左侧的电极本体10。进一步的讲,该连接片20的左端通过回流焊焊接位于左侧的电极本体10、右端通过回流焊焊接该二极管芯片30的N结。同时,该二极管芯片30的P结和位于右侧的电极本体10通过烧结的方式电连接在一起。这样,减少了诸多元件相连的接触电阻,达到良好的欧姆接触电阻,进而不仅产生热量较小,散热较好,且焊接部位不易融化,不易出现热损坏的现象。
[0010]更进一步的讲,该二极管芯片30、连接片20的外部封装有环氧树脂层40。这样,使该光伏电源管理模块形成一个整体。
[0011]以上所述仅为本发明的优选实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
【主权项】
1.光伏电源管理模块,包括至少2个电极本体(10),其中,相邻的电极本体(10)中,位于右侧的电极本体(10)上设有二极管芯片(30),该二极管芯片(30)具有P结和N结,且该二极管芯片(30)的P结电连接该位于右侧的电极本体(10),同时,该二极管芯片(30)的N结通过连接片(20)电连接至位于左侧的电极本体(10),其特征在于:所述连接片(20)的左端通过回流焊焊接位于左侧的电极本体(10)、右端通过回流焊焊接该二极管芯片(30)的N结,同时,该二极管芯片(30)的P结和位于右侧的电极本体(10)通过烧结的方式电连接在一起。
2.根据权利要求1所述的光伏电源管理模块,其特征在于:所述二极管芯片(30)、连接片(20)的外部封装有环氧树脂层(40)。
【专利摘要】本发明公开了一种光伏电源管理模块,包括至少2个电极本体,其中,相邻的电极本体中,位于右侧的电极本体上设有二极管芯片,该二极管芯片具有P结和N结,且该二极管芯片的P结电连接该位于右侧的电极本体,同时,该二极管芯片的N结通过连接片电连接至位于左侧的电极本体,所述连接片的左端通过回流焊焊接位于左侧的电极本体、右端通过回流焊焊接该二极管芯片的N结,同时,该二极管芯片的P结和位于右侧的电极本体通过烧结的方式电连接在一起。本发明的优点是:不易出现热损坏。
【IPC分类】H02S40-30
【公开号】CN104639026
【申请号】CN201310545518
【发明人】许国兴
【申请人】苏州同泰新能源科技有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2013年11月7日
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