光伏器件ip等级测试方法
【专利摘要】本发明公开一种光伏器件IP等级测试方法，将光伏器件的一待测样品放置于盛有水的容器内并完全浸没在水中，且使得待测样品的出线端露出水面并连接至绝缘电阻测试仪的正极；绝缘电阻测试仪的负极通过导线连接一放置于容器内并浸没于水中的金属导电块；当待测样品浸泡时间达到预设浸泡时长后，打开绝缘电阻测试仪测得该待测样品的绝缘电阻，进而得出该光伏器件的IP等级。采用本发明光伏器件IP等级测试方法，能够发现光伏器件可能存在的密封性能不足与隐患，进而优化生产组装工艺，减少市场客诉，且该测试方法操作方便，易于产线推广与实现。
【专利说明】
光伏器件IP等级测试方法
技术领域
[0001]本发明涉及光伏器件测试技术领域，特别涉及一种光伏器件IP等级测试方法。
【背景技术】
[0002]国际电工委员会IEC声明电气设备对异物侵入的防护等级称为IP等级。其第二个数字代表防水保护等级，按照IEC 60529标准进行测试，但其并未说明相关进水量和介电能力的具体测试方法。地面用晶体硅光伏组件设计鉴定和定型一般采用IEC 61215标准所规定的测试方法，通过测试的光伏组件能够在规定的气候条件下长期使用，其实际使用寿命期望值将取决于组件的设计以及它们使用的环境和条件。但，IEC 61215标准中湿漏电流试验的测试水槽是针对光伏组件，深度较浅，面积较大，另外对连接器、导线、接线盒不浸泡或只进行喷淋测试。
[0003]而在电站电场亦发现有连接器绝缘的情况，根据客户退回的样品分析此类样品进行IEC 61215标准湿漏电流测试完全符合要求，综合分析发现是连接器出线端的绝缘涂胶长度不足。上述问题亦使得光伏器件的绝缘性能越来越受到关注，特别是在欧洲、日本等国家的沿海地区电站现场，环境湿度普遍达到80%以上，因水汽的渗透较容易发生系统内低绝缘而跳电的情况。
[0004]鉴于此，有必要提供一种新的光伏器件IP等级测试方法以确保光伏器件产品的密封性能。
【发明内容】
[0005]本发明目的在于提供一种光伏器件IP等级测试方法，能够发现光伏器件可能存在的密封性能不足与隐患，进而优化生产组装工艺，减少市场客诉，且易于产线推广与实现。
[0006]为实现上述发明目的，本发明提供一种光伏器件IP等级测试方法，包括以下步骤:
[0007]提供一盛放有水的容器；
[0008]提供一绝缘电阻测试仪；
[0009]提供一光伏器件的待测样品，将其放置于容器内并完全浸没在水中，且使得待测样品的出线端露出水面并连接至绝缘电阻测试仪的正极；
[0010]提供一金属导电块，将其放置于容器内并浸没在水中，所述绝缘电阻测试仪的负极通过导线连接于该金属导电块；
[0011]累计待测样品浸泡时间T至预设浸泡时长tl，打开绝缘电阻测试仪测得该待测样品的绝缘电阻R，进而判断该光伏器件的IP等级。
[0012]作为本发明的进一步改进，所述容器内盛放的水的深度大于等于lm。
[0013]作为本发明的进一步改进，所述容器内所盛放的水的电阻率不大于3500Ω.cm。
[0014]作为本发明的进一步改进，所述容器内所盛放的水的温度设置为22±3°C。
[0015]作为本发明的进一步改进，所述预设浸泡时长tl设置为不小于30min。
[0016]作为本发明的进一步改进，控制绝缘电阻测试仪的工作电压以不大于500V/s的速率升高至500-1000V或者升高至待测样品最大系统电压的高值。
[0017]作为本发明的进一步改进，通过绝缘电阻测试仪测试待测样品的绝缘电阻R的具体过程为:打开绝缘电阻测试仪之后，累计测试时间t至预设测试时长t2，记录此时的绝缘电阻数值作为该待测样品的绝缘电阻R，其中，预设测试时长t2为2min。
[0018]作为本发明的进一步改进，在提供光伏器件的待测样品时，同时获取该待测样品的面积A，进而在测得该待测样品的绝缘电阻R之后，采用如下方法判断IP等级:
[0019]当A〈0.1m2时，若R彡400ΜΩ，待测样品合格;若ΙΚ400ΜΩ，待测样品不合格；
[0020]当A>0.1m2时，若R*A彡40ΜΩ.m2，待测样品合格;若R*A〈40MQ.ι?2，待测样品不合格。
[0021]本发明的有益效果是:本发明提供的光伏器件IP等级测试方法，通过水压条件下的通电绝缘测试，能够及时发现光伏器件可能存在的密封性能不足与隐患，进而优化生产组装工艺，减少市场客诉，且该测试方法操作方便，易于产线推广与实现。
【附图说明】
[0022]图1为本发明光伏器件IP等级测试方法的流程示意图；
[0023]图2为本发明光伏器件IP等级测试方法所采用的装置结构示意图。
【具体实施方式】
[0024]以下将结合附图所示的实施方式对本发明进行详细描述。但该实施方式并不限制本发明，本领域的普通技术人员根据该实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本发明的保护范围内。
[0025]请参照图1与图2所示为本发明一较佳实施方式，本发明光伏器件IP等级测试方法主要包括以下步骤:
[0026]提供一盛放有水的容器I;
[0027]提供一绝缘电阻测试仪；
[0028]提供一光伏器件的待测样品2，将其放置于容器内并完全浸没在水中，且使得待测样品2的出线端露出水面并连接至绝缘电阻测试仪的正极；
[0029]提供一金属导电块3，将其放置于容器内并浸没在水中，所述绝缘电阻测试仪的负极通过导线连接于该金属导电块3;
[0030]累计待测样品2浸泡时间T达到预设浸泡时长tl，打开绝缘电阻测试仪，控制绝缘电阻测试仪的工作电压以不大于500V/S的速率升高至500-1000V或者升高至待测样品2最大系统电压的高值。并且，自动累计测试时间t至预设测试时长t2，并于测试时间t达到预设测试时长t2时，记录此时的绝缘电阻数值作为该待测样品2的绝缘电阻R，进而判断该光伏器件的IP等级。
[0031]所述容器I内盛放的水的深度大于等于lm，且所述容器I内所盛放的水的电阻率不大于3500Ω.cm，进一步地，所述容器I内所盛放的水的温度设置为22±3°C。
[0032]所述测试方法还包括:
[0033]在提供光伏器件的待测样品2时，同时获取该待测样品2的面积A，进而在测得该待测样品2的绝缘电阻R之后，采用如下方法判断IP等级:
[0034]当A〈0.1m2时，若R彡400ΜΩ，待测样品2合格;若ΙΚ400ΜΩ，待测样品2不合格；
[0035]当A>0.1m2时，若R*A彡40ΜΩ.m2，待测样品2合格;若R*A〈40MQ.ι?2，待测样品2不合格。
[0036]在本发明所提供的一具体实施例中，预设浸泡时长tl设置为30min，所述待测样品2浸泡时间达到30min后，打开绝缘电阻测试仪，控制绝缘电阻测试仪的工作电压以不大于500V/S的速率升高至1000V;自动累计测试时间t至预设测试时长t2，其中，预设测试时长t2设置为2min。
[0037]所述绝缘电阻测试仪采用程控式绝缘电阻测试仪，且连接设置有报警装置。若待测样品2测试不合格，控制所述报警装置及时报错。
[0038]相较于现有的测试方法，本发明光伏器件IP等级测试方法更为严苛，现有测试方法无法检出的微小渗水通道在水压作用下连通待测样品2内外并形成漏电通道，进而使得绝缘电阻值迅速减小。结合具体工艺制程，有助于发现并解决光伏器件的绝缘失效问题。
[0039]综上所述，本发明提供的光伏器件IP等级测试方法，通过水压条件下的通电绝缘测试，能够及时发现光伏器件可能存在的密封性能不足与隐患，进而优化生产组装工艺，保证光伏器件的密封性能，减少市场客诉，且该测试方法操作方便，易于产线推广与实现。
[0040]应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施方式中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
[0041]上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本发明的可行性实施方式的具体说明，它们并非用以限制本发明的保护范围，凡未脱离本发明技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种光伏器件IP等级测试方法，其特征在于，所述测试方法包括以下步骤: 提供一盛放有水的容器； 提供一绝缘电阻测试仪； 提供一光伏器件的待测样品，将其放置于容器内并完全浸没在水中，且使得待测样品的出线端露出水面并连接至绝缘电阻测试仪的正极； 提供一金属导电块，将其放置于容器内并浸没在水中，所述绝缘电阻测试仪的负极通过导线连接于该金属导电块； 累计待测样品浸泡时间T至预设浸泡时长tl，打开绝缘电阻测试仪测得该待测样品的绝缘电阻R，进而判断该光伏器件的IP等级。2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于:所述容器内盛放的水的深度大于等于Im03.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于:所述容器内所盛放的水的电阻率不大于3500 Ω.cm。4.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于:所述容器内所盛放的水的温度设置为22 ±3。。。5.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于:所述预设浸泡时长tl设置为不小于30mino6.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于:控制绝缘电阻测试仪的工作电压以不大于500V/S的速率升高至500-1000V或者升高至待测样品最大系统电压的高值。7.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，待测样品的绝缘电阻R的具体测试方法为:打开绝缘电阻测试仪之后，累计测试时间t至预设测试时长t2，记录此时的绝缘电阻数值作为该待测样品的绝缘电阻R，其中，预设测试时长t2为2min。8.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，在提供光伏器件的待测样品时，同时获取该待测样品的面积A，进而在测得该待测样品的绝缘电阻R之后，采用如下方法判断IP等级: 当A〈0.1m2时，若R彡400ΜΩ，待测样品合格;若ΙΚ400ΜΩ，待测样品不合格； 当八>0.1!112时，若1^\彡401^.m2，待测样品合格;若R*A〈40MQ.m2，待测样品不合格。
【文档编号】G01R27/02GK105915178SQ201610213948
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年4月7日
【发明人】姚醒伟, 曾雪华, 傅冬华, 许涛
【申请人】阿特斯(中国)投资有限公司, 常熟阿特斯阳光电力科技有限公司