一种教学投影仪内部ir2110芯片保护电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种保护电路，具体是一种教学投影仪内部IR2110芯片保护电路。
【背景技术】
[0002]驱动IGBT电压型功率器件有多种具有保护及隔离功能的集成驱动模块，这些模块具有多种保护功能、隔离驱动、电路参数一致性好、运行稳定可靠等优点，但其相对价格较高，且只能驱动单个功率管。而IR2110是双通道高压、高速电压型功率开关器件栅极驱动器，具有自举浮动电源，驱动电路简单，只需一路电源即可同时驱动上、下桥臂，但存在不能产生负偏压、稳定性低，在抗干扰方面较薄弱等缺陷，这种情况在教学用的投影仪内部尤其突出。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于提供一种教学投影仪内部IR2110芯片保护电路，以解决上述【背景技术】中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:
[0005]—种教学投影仪内部IR2110芯片保护电路，包括电阻R5、电阻R6、电容C4、二极管VD1、芯片U1和三极管VQ2，所述电阻R5 —端分别连接电阻R6、M0S管VQ3的D极和电源VCC，电阻R5另一端分别连接三极管VQ2基极和二极管VD1负极，二极管VD1正极连接电阻R7并接地，电阻R7另一端分别连接三极管VQ2集电极和芯片U2引脚4，三极管VQ2集电极分别连接电阻R6另一端、电阻R8和电阻R9，电阻R9另一端分别连接电阻R10、电容C4和芯片U2引脚1，电阻R10另一端分别连接电容C4另一端、芯片U2引脚2和M0S管VQ3的S极，所述电阻R8另一端分别连接芯片U2引脚3和M0S管VQ3的G极，芯片U2引脚5连接电阻R12，电阻R12另一端分别连接二极管VD2负极和电阻R11，电阻R11另一端连接电源VCC，二极管VD2正极连接外部IGBT管的E极，芯片U2引脚6分别连接电阻R14、电阻R15和M0S管VQ4的D极，M0S管VQ4的S极连接电容C5并接地，电容C5另一端分别连接电阻R15和电阻R16，电阻R16另一端连接二极管VD3正极，二极管VD3负极连接外部IGBT管的C极，所述电阻R14另一端分别连接电源VCC和芯片U2引脚8，所述M0S管VQ4的G极连接MSURE信号端，所述芯片U1为TLC555。
[0006]作为本实用新型再进一步的方案:所述电源VCC电压为15V。
[0007]与现有技术相比，本实用新型的有益效果是:本实用新型教学投影仪内部IR2110芯片保护电路安全性高，电路结构简单，成本低，体积小，非常适合推广使用。
【附图说明】
[0008]图1为教学投影仪内部IR2110芯片保护电路的电路图。
【具体实施方式】
[0009]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0010]请参阅图1，本实用新型实施例中，一种教学投影仪内部IR2110芯片保护电路，包括电阻R5、电阻R6、电容C4、二极管VD1、芯片Ul和三极管VQ2，所述电阻R5 —端分别连接电阻R6、MOS管VQ3的D极和电源VCC，电阻R5另一端分别连接三极管VQ2基极和二极管VDl负极，二极管VDl正极连接电阻R7并接地，电阻R7另一端分别连接三极管VQ2集电极和芯片U2引脚4，三极管VQ2集电极分别连接电阻R6另一端、电阻R8和电阻R9，电阻R9另一端分别连接电阻R10、电容C4和芯片U2引脚1，电阻RlO另一端分别连接电容C4另一端、芯片U2引脚2和MOS管VQ3的S极，所述电阻R8另一端分别连接芯片U2引脚3和MOS管VQ3的G极，芯片U2引脚5连接电阻R12，电阻R12另一端分别连接二极管VD2负极和电阻R11，电阻Rll另一端连接电源VCC，二极管VD2正极连接外部IGBT管的E极，芯片U2引脚6分别连接电阻R14、电阻R15和MOS管VQ4的D极，MOS管VQ4的S极连接电容C5并接地，电容C5另一端分别连接电阻R15和电阻R16，电阻R16另一端连接二极管VD3正极，二极管VD3负极连接外部IGBT管的C极，所述电阻R14另一端分别连接电源VCC和芯片U2引脚8，所述MOS管VQ4的G极连接MSURE信号端，所述芯片Ul为TLC555。
[0011]电源VCC电压为15V。
[0012]本实用新型的工作原理是:IR2110自带保护功能，输入端SD可实现过电流保护控制功能，但在驱动大中功率IGBT管时应慎用，因为大电流下关断di / dt很大，控制及驱动电路屏蔽不好的情况下会产生很大的干扰信号，容易引起SD端保护误动作，在强感性大电流下关断驱动会导致直流母线上的高压毛刺，而IR2110允许的最高电压只有500 V，很可能使驱动模块失效而烧坏IGBT模块。因此这里重新设计保护电路，使其能更好保护封锁信号，提尚稳定性。
[0013]请参阅图1，(I)过流保护电路，二极管VD3、电阻R14、电阻R16、电阻R15、电容C6、MOS管VQ4组成过流反馈电路，与R11、R12及稳压管VD2组成的参考电压相比较，R8、R9、R10、C4与MOS管VQ3组成阻断时间电路，当有信号输入时(外部IGBT导通)，MSURE信号为低电平，VQ4截止，外部IGBT的C极的电压反馈到LM555的引脚6 ;当无信号输入时(IGBT截止)，VQ4导通，则LM555引脚6的电压为O V，在外部IGBT导通期间，当VCE (C极相对于E极的电压)超过一定值时，V6E(LM555的引脚6相对于E极的电压)大于V5E(LM555的引脚5相对于E极的电压)，LM555引脚7输出为低电平，即OVC为低电平，启动过流保护，经阻断时间后恢复正常；否则，LM555引脚7为门极开路，电路工作正常。
[0014](2)欠压保护电路包括电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻晶体管VQ2及稳压管VD1。正常状态下，晶体管VQ2导通，LM555的RESET信号(引脚4)不起作用；当给定电压低到一定值时，LM555的引脚4为0V，RESET信号起作用，使LM555处于复位状态，LM555引脚7即OVC为低电平，保护电路启动。
[0015]对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0016]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
【主权项】
1.一种教学投影仪内部IR2110芯片保护电路，包括电阻R5、电阻R6、电容C4、二极管VD1、芯片U1和三极管VQ2，其特征在于，所述电阻R5 —端分别连接电阻R6、MOS管VQ3的D极和电源VCC，电阻R5另一端分别连接三极管VQ2基极和二极管VD1负极，二极管VD1正极连接电阻R7并接地，电阻R7另一端分别连接三极管VQ2集电极和芯片U2引脚4，三极管VQ2集电极分别连接电阻R6另一端、电阻R8和电阻R9，电阻R9另一端分别连接电阻R10、电容C4和芯片U2引脚1，电阻R10另一端分别连接电容C4另一端、芯片U2引脚2和MOS管VQ3的S极，所述电阻R8另一端分别连接芯片U2引脚3和MOS管VQ3的G极，芯片U2引脚5连接电阻R12，电阻R12另一端分别连接二极管VD2负极和电阻R11，电阻R11另一端连接电源VCC，二极管VD2正极连接外部IGBT管的E极，芯片U2引脚6分别连接电阻R14、电阻R15和MOS管VQ4的D极，MOS管VQ4的S极连接电容C5并接地，电容C5另一端分别连接电阻R15和电阻R16，电阻R16另一端连接二极管VD3正极，二极管VD3负极连接外部IGBT管的C极，所述电阻R14另一端分别连接电源VCC和芯片U2引脚8，所述MOS管VQ4的G极连接MSURE信号端，所述芯片U1为TLC555。2.根据权利要求1所述的教学投影仪内部IR2110芯片保护电路，其特征在于，所述电源VCC电压为15V。
【专利摘要】本实用新型公开了一种教学投影仪内部IR2110芯片保护电路，包括电阻R5、电阻R6、电容C4、二极管VD1、芯片U1和三极管VQ2，所述电阻R5一端分别连接电阻R6、MOS管VQ3的D极和电源VCC，电阻R5另一端分别连接三极管VQ2基极和二极管VD1负极，二极管VD1正极连接电阻R7并接地，电阻R7另一端分别连接三极管VQ2集电极和芯片U2引脚4，三极管VQ2集电极分别连接电阻R6另一端、电阻R8和电阻R9，电阻R9另一端分别连接电阻R10、电容C4和芯片U2引脚1。本实用新型教学投影仪内部IR2110芯片保护电路安全性高，电路结构简单，成本低，体积小，非常适合推广使用。
【IPC分类】H02H7/20
【公开号】CN204992548
【申请号】CN201520673052
【发明人】杨勇, 曾凡金, 覃信茂, 郭笑天
【申请人】安顺学院
【公开日】2016年1月20日
【申请日】2015年8月31日