相控式ac-dc低压直流电源的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开一种相控式AC?DC低压直流电源，通过截取交流正弦波导通角以下的电压实现降压，无需变压器等降压，电路结构简单、体积小、成本低，可以封装在一个芯片内。本实用新型的输出电流较大且稳压范围很宽。
【专利说明】
相te.式AG-DG低压直流电源
技术领域
[0001]本实用新型涉及一种低压直流电源，尤其是一种结构简单、体积小、成本低且输出电流较大、稳压范围宽的相控式AC-DC低压直流电源。
【背景技术】
[0002]低压直流电源通常是将110?220V交流电压变成低压直流的工作电路，主要应用于LED灯驱动电源及各种小家电产品。现有低压直流电源的降压方式有变压器、开关电源及阻容降压方式。采用变压器和开关电源降压方式虽然输出电流大，但是结构复杂、体积大、成本高;阻容降压方式虽然成本低但输出电流小。
【发明内容】
[0003]本实用新型是为了解决现有技术所存在的上述技术问题，提供一种结构简单、体积小、成本低且输出电流较大、稳压范围宽的相控式AC-DC低压直流电源。
[0004]本实用新型的技术解决方案是:一种相控式AC-DC低压直流电源，设有与交流电源相接的整流桥，所述整流桥的正输出端A与N沟道场效应管Ql的漏极相接，N沟道场效应管Ql的源极与二极管D2的正极相接，二极管D2的负极为输出端B;N沟道场效应管Ql的漏极与栅极之间相接有串联的电阻R3、R4，N沟道场效应管Ql的源极与栅极之间相接有电阻R5;所述整流桥的正输出端A通过相串联的电阻R1、R2与整流桥的负端相接，所述电阻R3、R4的接点一路通过电容Cl与整流桥的负端相接，另一路与三极管Q3的集电极相接，三极管Q3的基极接地，三极管Q3的基极与发射极之间接电阻R6，三极管Q3的发射极与整流桥的负端相接;所述电阻Rl、R2的接点与三极管Q2的基极相接，三极管Q2的集电极与N沟道场效应管Ql的栅极相接，三极管Q2的发射极通过负向稳压二极管Dl与整流桥的负端相接。
[0005]本实用新型通过截取交流正弦波导通角以下的电压实现降压，无需变压器等降压，电路结构简单、体积小、成本低，可以封装在一个芯片内。本实用新型的输出电流较大且稳压范围很宽。
【附图说明】
[0006]图1是本实用新型实施例的电路原理图。
【具体实施方式】
[0007]如图1所示:一种相控式AC-DC低压直流电源，设有与交流电源相接的整
[0008]流桥(MB6S)，所述整流桥的正输出端A与N沟道场效应管Ql的漏极相接，N沟道场效应管QU7N60)的源极与二极管D2的正极相接，二极管D2的负极为输出端B;N沟道场效应管Ql的漏极与栅极之间相接有串联的电阻R3、R4，N沟道场效应管Ql的源极与栅极之间相接有电阻R5;所述整流桥的正输出端A通过相串联的电阻R1、R2与整流桥的负输出端相接，所述电阻R3、R4的接点一路通过电容Cl与整流桥的负端相接，另一路与三极管Q3的集电极相接，三极管Q3的基极为输出地，三极管Q3的基极与发射极之间接电阻R6，三极管Q3的发射极与整流桥的负端相接;所述电阻Rl、R2的接点与三极管Q2的基极相接，三极管Q2的集电极与N沟道场效应管Ql的栅极相接，三极管Q2的发射极通过负向稳压二极管Dl与整流桥的负输出端相接。
[0009]工作原理:
[0010]整流桥MB6S将110?220V交流电变成脉动直流。当正输出端A点的电压上升且低于稳压二极管Dl电压的两倍时，三极管Q2截止、场效应管Ql导通，电流经二极管D2输出；当正输出端A点的电位高于稳压二极管Dl的两倍时，三极管Q2导通、场效应管Ql截止，S卩A点的电压被场效应管Ql阻断，使之无法输出，这样就截取了低压部分的脉动直流，只要在输出端B点上加一个滤波电容即可形成直流电源输出。电阻R1、R2是分压电阻，电阻R3、电容Cl是为场效应管Ql栅极提供偏置电压的RC滤波器，电阻R4、R5是场效应管Ql栅极的偏置电阻和保护电阻，稳压二极管Dl的稳压值大小决定输出电压的高低。三极管Q2是起开关作用的三极管，三极管Q3是过流保护三极管。当负载电流过大时，R6两端的电压升高，三极管Q3导通，场效应管Ql栅极的偏置电压降为零，场效应管Ql截止，B点无电压输出，起到过流保护作用。
【主权项】
1.一种相控式AC-DC低压直流电源，设有与交流电源相接的整流桥，其特征在于:所述整流桥的正输出端六与~沟道场效应管Ql的漏极相接，N沟道场效应管Ql的源极与二极管D2的正极相接，二极管D2的负极为输出端B;N沟道场效应管Ql的漏极与栅极之间相接有串联的电阻R3、R4，N沟道场效应管Ql的源极与栅极之间相接有电阻R5;所述整流桥的正输出端A通过相串联的电阻R1、R2与整流桥的负端相接，所述电阻R3、R4的接点一路通过电容CI与整流桥的负端相接，另一路与三极管Q3的集电极相接，三极管Q3的基极接地，三极管Q3的基极与发射极之间接电阻R6，三极管Q3的发射极与整流桥的负端相接;所述电阻Rl、R2的接点与三极管Q2的基极相接，三极管Q2的集电极与N沟道场效应管Ql的栅极相接，三极管Q2的发射极通过负向稳压管Dl与整流桥的负端相接。
【文档编号】H02M7/219GK205544990SQ201620314370
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年4月15日
【发明人】李亚男, 李纪训
【申请人】大连三星数控有限公司