一种a型三相四线制漏电断路器的制造方法

文档序号:10975407阅读:749来源:国知局
一种a型三相四线制漏电断路器的制造方法
【专利摘要】本实用新型提供一种A型三相四线制漏电断路器,其包括电子组件,所述电子组件包括三相整流电路、模拟漏电测试电路、漏电检测电路和可控硅触发电路,所述三相整流电路分别与模拟漏电测试电路、漏电检测电路以及可控硅触发电路连接,所述可控硅触发电路为双硅触发电路,且所述双硅触发电路的第一触发端与均压电路连接,所述双硅触发电路的第二触发端与触发电路连接,所述三相整流电路与漏电芯片FM2147之间设置电源电路,所述电源电路包括与电源端并联的滤波电容C1、抗高频干扰电容C2以及稳压管VD,起稳定电压的作用,避免对漏电芯片FM2147的冲击,使得漏电芯片的电源稳定在理想状态。
【专利说明】
一种A型三相四线制漏电断路器
技术领域
[0001]本实用新型漏电保护器领域,具体涉及一种A型三相四线制漏电断路器。
【背景技术】
[0002]由于家用用电环境日益复杂,且新标准GB16917.1-2014规定剩余电流动作断路器任意两相之间取电都能可靠工作,也就是说当某相甚至某两相断相时,线路中发生漏电异常现象,漏电断路器也能起保护作用。因此对漏电芯片电源的设计尤为重要,能够对线路中存在的干扰起到很好的屏蔽作用。
[0003]断路器三相同时通电时,经过全桥整流之后加在可控硅两端的直流电压超过500V,对单个可控硅的参数要求非常高,目前主流产品都是采用双硅串联的电路,以此降低单个可控硅两端的直流电压,提高可控硅触发电路的可靠性和稳定性。现有技术采用的双硅串联电路如图2所示,只是简单的把两个可控硅串联起来,当漏电IC芯片检测到漏电信号达到跳闸阈值时,跳闸信号输出引脚输出高电平,可控硅SCR2触发,继而可控硅SCRl触发,从而使得漏电断路器线圈脱扣。从图2可以看出,断路器正常通电情况下,整流之后的直流电压几乎全部加在可控硅SCRl上,SCR2并没有起到分担电压的作用。若可控硅SCRl性能参数不良被击穿时,线路中的高直流电压非常容易再次击穿可控硅SCR2,导致漏电断路器直跳异常现象的发生。这种线路对单个可控硅的参数性能要求依旧很高,并没有充分利用双硅串联的可靠性。
【实用新型内容】
[0004]为了克服以上【背景技术】的不足,特提供一种A型三相四线制漏电断路器。
[0005]本实用新型提供一种A型三相四线制漏电断路器,其包括电子组件,所述电子组件包括三相整流电路、模拟漏电测试电路、漏电检测电路和可控硅触发电路,所述三相整流电路分别与模拟漏电测试电路、漏电检测电路以及可控硅触发电路连接,所述可控硅触发电路为双硅触发电路,且所述双硅触发电路的第一触发端与均压电路连接,所述双硅触发电路的第二触发端与触发电路连接,所述三相整流电路与漏电芯片FM2147之间设置电源电路,所述电源电路包括与电源端并联的滤波电容Cl、抗高频干扰电容C2以及稳压管VD。
[0006]所述均压电路包括与可控硅SCRl的G极与A极之间并联串联后的电阻R3和电阻R5,所述电阻R3和电阻R5之间接电阻R4后接地,可控硅SCRl的G极与K极之间分别并联电阻R6和电容C3。
[0007]所述触发电路包括与可控硅SCR2的G极与二极管的阴极串联,所述可控硅SCR2的G极与二极管的阴极之间依次并联电阻R7和电容C6接地。
[0008]所述三相整流电路与电源电路之间依次串联脱扣线圈Trip和降压电阻Rl和降压电阻R2。
[0009 ]所述三相整流电路的输出端之间并联压敏电阻RV4。
[0010]所述三相整流电路的三个输入端A相、B相、C相分别与N相之间并联压敏电阻。
[0011]所述电阻R3和电阻R4的阻值相等。
[0012]实用新型的有益效果是:经过全桥整流和降压电阻Rl,R2之后,并联滤波电容Cl和抗高频干扰电容C2,其中当线路中电压波动较大的时候,滤波电容Cl起稳定电压的作用;当线路中突现冲击脉冲等高频干扰时,通过容值很小的电容C2短路到地,避免对漏电芯片FM2147的冲击;同时根据漏电芯片FM2147理想的电源电平,并联一个5.1V稳压管VD,使得漏电芯片的电源稳定在理想状态。
【附图说明】
[0013]图1是本实用新型的电路原理图。
[0014]图2是现有的双硅触发电路的电路原理图。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图对本实用新型实施例作进一步说明:
[0016]一种A型三相四线制漏电断路器,其包括电子组件,所述电子组件包括三相整流电路、模拟漏电测试电路、漏电检测电路和可控硅触发电路,所述三相整流电路分别与模拟漏电测试电路、漏电检测电路以及可控硅触发电路连接,所述可控硅触发电路为双硅触发电路,且所述双硅触发电路的第一触发端与均压电路连接,所述双硅触发电路的第二触发端与触发电路连接,所述三相整流电路与漏电芯片FM2147之间设置电源电路,所述电源电路包括与电源端并联的滤波电容Cl、抗高频干扰电容C2以及稳压管VD。
[0017]经过全桥整流和降压电阻Rl,降压电阻R2之后,并联滤波电容Cl和抗高频干扰电容C2,其中当线路中电压波动较大的时候,滤波电容Cl起稳定电压的作用;当线路中突现冲击脉冲等高频干扰时,通过容值很小的电容C2短路到地,避免对漏电芯片FM2147的冲击;同时根据漏电芯片FM2147理想的电源电平,并联一个5.1V稳压管VD,使得漏电芯片的电源稳定在理想状态。
[0018]所述均压电路包括与可控硅SCRl的G极与A极之间并联串联后的电阻R3和电阻R5,所述电阻R3和电阻R5之间接电阻R4后接地,可控硅SCRl的G极与K极之间分别并联电阻R6和电容C3。
[0019]所述触发电路包括与可控硅SCR2的G极与二极管的阴极串联,所述可控硅SCR2的G极与二极管的阴极之间依次并联电阻R7和电容C6接地,所述电阻R3和电阻R4的阻值相等。
[0020]其中电阻R3,电阻R4的阻值要选择一样,根据可控硅SCRl的具体参数选择合适的电阻R5,电阻R6阻值,保证可控硅SCR2触发时可控硅SCRl能被可靠触发。当断路器正常通电时,经过整流之后的直流电压通过电阻R3和电阻R4构成的均分分压电路,可控硅SCR2视为阻值非常大的电阻,使得加在可控硅SCRl阴极上的电压几乎和触发极一样,同为阳极电压的一半。此时可控硅SCR2的阳极电压也就是可控硅SCRl阳极电压的一半,实现两个可控硅分担均分电压,即使单个可控硅的耐压参数不高,也能可靠的工作。
[0021]当漏电芯片检测到漏电信号达到跳闸阈值时,跳闸信号输出引脚输出高电平,可控硅SCR2触发,此时可控硅SCR2的阳极(也就是A极)电压接近于0,可控硅SCRl阳极电压经过电阻R3,电阻R4,电阻R5,电阻R6构成的分压电路,以合适的电压加在触发极上,从而使得漏电断路器线圈脱扣。
[0022]从图1可以看出,当线路中出现漏电信号时,漏电芯片FM2147跳闸信号触发脚5脚触发可控硅SCR2,继而导致可控硅SCRl被触发,起到断开线路的保护作用。因此可控硅SCR2必须可靠且准确的动作,否则漏电断路器会出现误动作或者不动作的异常现象。基于此,可控硅SCR2触发极(也就是G极)与地之间并联下拉电阻R7和抗干扰电容C6,断路器正常通电时,可控硅SCR2触发极电平通过电阻R7拉低;若线路中存在瞬时冲击电流时,通过抗干扰电容C6吸收干扰信号,两者的作用都是避免断路器的误动作。漏电芯片FM2147与可控硅SCR2触发极之间的二极管4148,起到隔离强电和弱电的作用。即使可控硅被击穿,由于二极管4148的单向导通性,可控硅通路中的高压大电流也不会波及到漏电芯片。加了二极管4148之后,可能会对漏电电流整定值的大小有影响,这需要实际生产时调试好漏电电阻R8的大小。
[0023]所述三相整流电路与电源电路之间依次串联脱扣线圈Trip和降压电阻Rl和降压电阻R2,用于整流并进行降压,确保漏电芯片的正常工作。其中三相整流电路包括8个二极管D1-D8构成的整流桥,实现交直流转换。
[0024]所述三相整流电路的输出端之间并联压敏电阻RV4,所述三相整流电路的三个输入端A相、B相、C相分别与N相之间并联压敏电阻RV1、压敏电阻RV2、压敏电阻RV3,起到保护线路的作用。
[0025]所述模拟漏电测试电路包括与A相连接的电阻R11,所述电阻Rll的另一端穿过互感线圈后与试验按钮Test连接,起到模拟漏电的作用。
[0026]所述漏电检测电路则与互感线圈连。其两个检测端分别串联电阻R9和电阻RlO后与漏电芯片的3脚和2脚连,两个检测端之间依次并联电阻R8、双向二极管BAV99以及电容C7,所述漏电芯片的2脚通过电容C9接地。
[0027]实施例不应视为对本实用新型的限制,任何基于本实用新型的精神所作的改进,都应在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种A型三相四线制漏电断路器,其包括电子组件,其特征在于:所述电子组件包括三相整流电路、模拟漏电测试电路、漏电检测电路和可控硅触发电路,所述三相整流电路分别与模拟漏电测试电路、漏电检测电路以及可控硅触发电路连接,所述可控硅触发电路为双硅触发电路,且所述双硅触发电路的第一触发端与均压电路连接,所述双硅触发电路的第二触发端与触发电路连接,所述三相整流电路与漏电芯片FM2147之间设置电源电路,所述电源电路包括与电源端并联的滤波电容Cl、抗高频干扰电容C2以及稳压管VD。2.根据权利要求1所述的一种A型三相四线制漏电断路器,其特征在于:所述均压电路包括与可控硅SCRl的G极与A极之间并联串联后的电阻R3和电阻R5,所述电阻R3和电阻R5之间接电阻R4后接地,可控硅SCRl的G极与K极之间分别并联电阻R6和电容C3。3.根据权利要求1所述的一种A型三相四线制漏电断路器,其特征在于:所述触发电路包括与可控硅SCR2的G极与二极管的阴极串联,所述可控硅SCR2的G极与二极管的阴极之间依次并联电阻R7和电容C6接地。4.根据权利要求1所述的一种A型三相四线制漏电断路器,其特征在于:所述三相整流电路与电源电路之间依次串联脱扣线圈Trip和降压电阻Rl和降压电阻R2。5.根据权利要求1所述的一种A型三相四线制漏电断路器,其特征在于:所述三相整流电路的输出端之间并联压敏电阻RV4。6.根据权利要求1所述的一种A型三相四线制漏电断路器,其特征在于:所述三相整流电路的三个输入端A相、B相、C相分别与N相之间并联压敏电阻。7.根据权利要求2所述的一种A型三相四线制漏电断路器,其特征在于:所述电阻R3和电阻R4的阻值相等。
【文档编号】H02H9/04GK205666605SQ201620496742
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年5月27日
【发明人】赵策, 洪传生, 陈闯, 范奇文
【申请人】浙江天正电气股份有限公司
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