专利名称：电平移动电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种电平移动电路，尤其是一种适宜集成电路的CMOS电平移动电路。
背景技术：
在一些电路中，某个或者某些器件(如触发器)的动作是要靠电平(如高低电平)进行触发进行动作的。在高速处理电路中，对电平的产生速度和电平的转换速度要求就较高。现有的电平平移电路一般由反相器和双极型晶体管构建电路。电阻和双极型晶体管的延迟和功耗都 较大，造成电平质量不高，满足不了现代高速处理电路的需求；同时在集成电路里设计该电平移动电路时，电阻器件和双极型晶体管所占的面积也较大，不利于缩小芯片尺寸和面积。
实用新型内容本实用新型的发明目的在于针对上述存在的问题，提供一种MOS管的电平移动电路。本实用新型采用的技术方案是这样的一种电平移动电路，包括第一 PMOS管、第二 PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管。所述第一 PMOS管的源极连接电压源，漏极连接第二 PMOS管的源极，栅极与第四PMOS管的漏极、第二 NMOS管的漏极、第五PMOS管的栅极和第三NMOS管的栅极连接；第二PMOS管的栅极连接第一 NMOS管的栅极和第二同相信号端，漏极与第一 NMOS管的漏极、第六PMOS管的栅极、第四NMOS管的栅极和第三PMOS管的栅极连接；第三PMOS管的源极和栅极分别连接电压源和第四PMOS管的源极；第四PMOS管的漏极连接第二 NMOS管的漏极，栅极连接第二NMOS管的栅极和第一方向信号端；第五PMOS管的源极连接电压源，漏极连接第三NMOS管的漏极和第二反相信号端；第六PMOS管的漏极连接第四NMOS管的漏极和第一同相信号端。所述第一 NMOS管的源极、第二 NMOS管的源极、第三NMOS管的源极和第四NMOS管的源极均接地。在上述的电平移动电路中，所述第一 PMOS管、第二 PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管和第六PMOS管为参数相同的PMOS管，所述第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管为参数相同的NMOS管。综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是:M0S管在半导体电路中所占的面积较小且工艺成熟、响应速度闻，本电路结构简单，减小电路面积，提闻电平移动速度和质量，适用于集成电路。
图I是本实用新型电平移动电路的电路原理图。
具体实施方式
以下结合附图，对本实用新型作详细的说明。为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，
以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。如图I所示，是本实用新型电平移动电路的电路原理图。—种电平移动电路，该电路有四个信号端第一反相信号端BAR1、第二反相信号端BAR2、第一同相信号端TRUEl和第二同相信号端TRUE2 ;该电路包括六个PMOS管和四个
NMOS管，且六个PMOS管的参数相同，四个NMOS管的参数也相同。六个PMOS管分别为第一PMOS管P1、第二 PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5和第六PMOS管P6，四个NMOS管分别为第一 NMOS管NI、第二 NMOS管N2、第三NMOS管N3和第四NMOS管N4。
以下结合附图I详细介绍下六个PMOS管和四个NMOS管之间的连接关系。所述第一 PMOS管Pl的源极连接电压源VDD，漏极连接第二 PMOS管P2的源极，栅极与第四PMOS管P4的漏极、第二 NMOS管N2的漏极、第五PMOS管P5的栅极和第三NMOS管N3的栅极连接；第二 PMOS管P2的栅极连接第一 NMOS管NI的栅极和第二同相信号端TURE2，漏极与第一NMOS管NI的漏极、第六PMOS管P6的栅极、第四NMOS管N4的栅极和第三PMOS管P3的栅极连接；第三PMOS管P3的源极和栅极分别连接电压源VDD和第四PMOS管P4的源极；第四PMOS管P4的漏极连接第二 NMOS管N2的漏极，栅极连接第二 NMOS管N2的栅极和第一方向信号端BARl ;第五PMOS管P5的源极连接电压源VDD，漏极连接第三NMOS管N3的漏极和第二反相信号端BARl ;第六PMOS管P6的漏极连接第四NMOS管N4的漏极和第一同相信号端TUREl ;所述第一 NMOS管NI的源极、第二 NMOS管N2的源极、第三NMOS管N3的源极和第四NMOS管N4的源极均接地GND。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种电平移动电路，其特征在于，包括第一 PMOS管(P1)、第二 PMOS管(P2)、第三PMOS 管(P3)、第四 PMOS 管(P4)、第五 PMOS 管(P5)、第六 PMOS 管(P6)、第一 NMOS 管(NI)、第二 NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)和第四NMOS管(N4)； 所述第一 PMOS管(Pl)的源极连接电压源(VDD)，漏极连接第二 PMOS管(P2)的源极，栅极与第四PMOS管(P4)的漏极、第二 NMOS管(N2)的漏极、第五PMOS管(P5)的栅极和第三NMOS管(N3)的栅极连接；第二 PMOS管(P2)的栅极连接第一 NMOS管(NI)的栅极和第二同相信号端(TURE2)，漏极与第一 NMOS管(NI)的漏极、第六PMOS管(P6)的栅极、第四NMOS管(N4)的栅极和第三PMOS管(P3)的栅极连接；第三PMOS管(P3)的源极和栅极分别连接电压源(VDD)和第四PMOS管(P4)的源极；第四PMOS管(P4)的漏极连接第二 NMOS管(N2)的漏极，栅极连接第二 NMOS管(N2)的栅极和第一方向信号端(BAR1);第五PMOS管(P5)的源极连接电压源(VDD)，漏极连接第三NMOS管(N3)的漏极和第二反相信号端(BAR1);第六PMOS管(P6)的漏极连接第四NMOS管(N4)的漏极和第一同相信号端(TURE1)； 所述第一 NMOS管(NI)的源极、第二 NMOS管(N2)的源极、第三NMOS管(N3)的源极和第四NMOS管(N4)的源极均接地(GND)。
2.根据权利要求I所述的电平移动电路，其特征在于，所述第一PMOS管(P1)、第二PMOS 管(P2 )、第三 PMOS 管(P3 )、第四 PMOS 管(P4 )、第五 PMOS 管(P5 )和第六 PMOS 管(P6 )为参数相同的PMOS管。
3.根据权利要求I所述的电平移动电路，其特征在于，所述第一NMOS管(NI)、第二NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)和第四NMOS管(N4)为参数相同的NMOS管。
专利摘要本实用新型公开了一种电平移动电路。该电路包括参数相同的第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)、第三PMOS管(P3)、第四PMOS管(P4)、第五PMOS管(P5)、第六PMOS管(P6)，参数相同的第一NMOS管(N1)、第二NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)和第四NMOS管(N4)。本实用新型的有益效果是MOS管在半导体电路中所占的面积较小且工艺成熟、响应速度高，本电路结构简单，减小电路面积，提高电平移动速度和质量，适用于集成电路。
文档编号H03K19/0185GK202798655SQ20122048535
公开日2013年3月13日 申请日期2012年9月21日 优先权日2012年9月21日
发明者王晓娟, 余力, 周晓东 申请人:郑州单点科技软件有限公司