1.一种封装的表面声波装置，包括：
腔体顶，其在表面声波装置的叉指换能器电极上方；
导电结构，其在所述腔体顶上方；以及
光敏缓冲涂层，其在所述导电结构上方，所述封装的表面声波装置具有220微米或更小的高度。
2.如权利要求1所述的封装的表面声波装置，其中，所述封装的表面声波装置具有200微米或更小的高度。
3.如权利要求1所述的封装的表面声波装置，其中，所述光敏缓冲涂层具有15微米或更小的高度。
4.如权利要求1所述的封装的表面声波装置，其进一步包括：压电基板，其具有在其上设置有所述叉指换能器电极的第一侧；以及腔体壁，其在所述压电基板的所述第一侧上且支撑所述腔体顶。
5.如权利要求4所述的封装的表面声波装置，其中，所述压电基板的所述第一侧的边缘部分没有所述光敏缓冲涂层。
6.如权利要求1所述的封装的表面声波装置，其进一步包括具有第一侧及与所述第一侧对置的第二侧的压电基板，所述叉指换能器电极在所述第一侧上，且标记延伸至该第二侧中，所述标记延伸至该压电基板中1微米或更小。
7.如权利要求1的封装的表面声波装置，其进一步包括通过所述光敏缓冲涂层中的开口来与所述导电结构物理接触的端子。
8.如权利要求1所述的封装的表面声波装置，其中，所述光敏缓冲涂层包括酚醛树脂。
9.如权利要求1所述的封装的表面声波装置，其中，所述光敏缓冲涂层具有负光敏性。
10.如权利要求1所述的封装的表面声波装置，其中，所述表面声波装置包括被布置为对射频信号进行滤波的多个表面声波谐振器。
11.一种封装的表面声波装置，其包括：
腔体结构，其由晶片支撑且与该晶片合作以包封表面声波装置的叉指换能器电极；
导电结构，其延伸于所述腔体结构的外表面的一部分上方；以及
绝缘层，其延伸于所述导电结构上方，所述绝缘层的一部分覆于所述导电结构的一部分上，具有小于15微米的厚度。
12.如权利要求11所述的封装的表面声波装置，其中，所述腔体结构包括由所述晶片的第一表面支撑的腔体壁及延伸于所述叉指换能器电极上方且由所述腔体壁支撑的腔体顶。
13.如权利要求12所述的封装的表面声波装置，其进一步包括多个端子，所述端子的每一个延伸穿过所述绝缘层的一部分且接触所述导电结构的一部分。
14.如权利要求11所述的封装的表面声波装置，其中，所述绝缘层包括光刻胶材料。
15.如权利要求14所述的封装的表面声波装置，其中，所述绝缘层包括负向光刻胶。
16.如权利要求14的封装的表面声波装置，其中，所述晶片包括具有第一侧及第二侧的激光标记压电基板，所述第一侧支撑所述腔体结构，所述激光标记压电基板的所述第二侧具有激光标记区段。
17.一种封装的表面声波装置，其包括：
压电基板；
封装结构，其由所述压电基板的第一表面支撑且界定腔体，所述封装结构包括外层，所述外层包括光敏树脂；以及
多个叉指换能器电极，其由所述压电基板支撑且位于所述腔体内。
18.如权利要求17所述的封装的表面声波装置，其中，所述封装结构包括腔体顶及腔体壁，所述腔体顶及所述腔体壁两者位于所述外层的一部分与所述多个叉指换能器电极之间。
19.如权利要求17所述的封装的表面声波装置，其中，所述封装结构包括与所述多个叉指换能器电极的至少一个电连通的导电结构。
20.如权利要求19的封装的表面声波装置，其中，所述封装结构包括覆于所述外层的一部分上且延伸穿过所述外层的一部分以接触所述导电结构的至少一个端子。
21.一种制造封装的表面声波装置的方法，所述方法包括：
在导电结构上方形成光敏树脂，所述导电结构的一部分位于所述表面声波装置的叉指换能器电极上方的腔体顶上方；以及
形成与所述导电结构接触的导电端子，所述导电端子的至少一部分延伸穿过孔隙，所述孔隙延伸穿过该光敏树脂。
22.如权利要求21所述的方法，其进一步包括：将该光敏树脂的各部分曝露于光以使所述光敏树脂的各部分显影；以及去除该光敏树脂的未曝光部分。
23.如权利要求22所述的方法，其进一步包括在去除所述光敏树脂的未曝光部分之后固化所述光敏树脂。
24.如权利要求22所述的方法，其中，将该光敏树脂的部分曝露于光包括：掩蔽延伸于该导电结构的一部分上方的所述光敏树脂的一部分以形成延伸穿过所述光敏树脂的所述孔隙。
25.如权利要求21所述的方法，其中，形成所述端子包括：形成延伸于延伸穿过所述光敏树脂的所述孔隙上方的导电层。
26.如权利要求21所述的方法，其中，所述孔隙延伸穿过具有15微米或更小的厚度的所述光敏树脂的一部分。
27.如权利要求21所述的方法，其中，所述光敏树脂包括酚醛树脂。
28.如权利要求21所述的方法，其进一步包括激光标记压电基板，其上设置有所述叉指换能器电极。
29.如权利要求21所述的方法，其中，所述封装的表面声波装置具有小于220微米的高度。
30.一种制造封装的表面声波装置所述的方法，所述方法包括：
形成包封表面声波装置的叉指换能器电极的腔体结构，所述叉指换能器电极通过压电基板来支撑；
形成延伸于所述腔体结构的外表面的各部分上方的导电结构；以及
在所述导电结构上方形成光刻胶层，所述光刻胶层的一部分延伸于所述导电结构的一部分上方，具有小于15微米的厚度。
31.如权利要求30所述的方法，其进一步包括：图案化所述光刻胶层以形成延伸于所述导电结构及所述腔体结构上方的光刻胶缓冲涂层；以及固化所述光刻胶层。
32.如权利要求31所述的方法，其中，所述光刻胶缓冲涂层包括与所述压电基板接触且围着所述腔体结构的侧壁部分。
33.如权利要求32所述的方法，其中，所述导电结构的一部分与所述压电基板接触。
34.如权利要求30所述的方法，其中，使所述光刻胶层形成于所述导电结构上方包括：使用旋涂工艺来平坦化所述光刻胶层。
35.如权利要求30所述的方法，其进一步包括去除所述晶片的边缘的10微米内的所述光刻胶层的各部分。
36.一种制造封装的表面声波装置所述的方法，所述方法包括：
形成延伸于所述表面声波装置的叉指换能器电极上方的腔体结构；
形成延伸于所述腔体结构的外表面的各部分上方的导电结构；以及
在所述导电结构上方形成光敏树脂层，所述光敏树脂层的一部分具有延伸穿过其且露出所述导电结构的一部分的孔隙。
37.如权利要求36所述的方法，其中，形成所述导电结构包括：将晶种层沉积于所述腔体结构上方；以及将所述导电结构电镀至所述晶种层上。
38.如权利要求37所述的方法，其中，形成所述导电结构进一步包括：在将所述导电结构电镀至所述晶种层上之前掩蔽所述晶种层的各部分。
39.如权利要求36所述的方法，其中，所述导电结构包括延伸穿过所述导电结构的一部分且露出所述腔体结构的一部分的间隙，且所述光敏树脂层填充所述间隙。
40.如权利要求36所述的方法，其进一步包括形成延伸穿过所述光敏树脂层中的孔隙且与所述导电结构电连通的导电端子。
41.一种封装的表面声波装置，其包括：
压电基板，其具有第一侧及第二侧；
叉指换能器电极，其包封于封装结构内且由所述压电基板的所述第一侧支撑；以及
标记，其形成于所述压电基板的所述第二侧中。
42.如权利要求41的封装的表面声波装置，其中，所述标记延伸至所述压电基板的所述第二侧中小于1微米。
43.如权利要求41所述的封装的表面声波装置，其中，所述标记延伸至所述压电基板的小于1％的厚度中。
44.如权利要求41的封装的表面声波装置，其中，所述标记由激光形成。
45.如权利要求41的封装的表面声波装置，其中，所述压电基板包括铌酸锂。
46.如权利要求41的封装的表面声波装置，其中，所述压电基板包括钽酸锂。
47.如权利要求41的封装的表面声波装置，其中，所述封装结构包括包封所述叉指换能器电极的腔体结构以及包括光敏树脂的外涂层。
48.如权利要求41的封装的表面声波装置，其中，所述封装的表面声波装置的总厚度小于220微米。
49.如权利要求41的封装的表面声波装置，其中，所述封装结构包括光敏树脂缓冲涂层。
50.如权利要求49的封装的表面声波装置，其中，所述光敏树脂缓冲涂层包括酚醛树脂。
51.如权利要求49的封装的表面声波装置，其中，所述光敏树脂缓冲涂层包括负性光刻胶。
52.如权利要求49所述的封装的表面声波装置，其进一步包括延伸穿过所述光敏树脂缓冲涂层中的孔隙的多个端子。
53.一种封装的表面声波装置，包括：
激光标记压电基板，其具有第一侧及第二侧，所述激光标记压电基板的所述第二侧具有激光标记区段；
叉指换能器电极，其由所述激光标记压电基板的所述第一侧支撑；以及
由所述激光标记压电基板的所述第一侧支撑的结构，界定围封所述叉指换能器电极的腔体。
54.如权利要求53的封装的表面声波装置，其中，所述激光标记区段已曝露于深紫外线激光。
55.如权利要求53的封装的表面声波装置，其中，所述激光标记区段包括激光标记，其延伸至所述压电基板的所述第二侧中小于1微米。
56.如权利要求53所述的封装的表面声波装置，其中，所述激光标记压电基板包括铌酸锂。
57.如权利要求53的封装的表面声波装置，其中，所述激光标记压电基板包括钽酸锂。
58.如权利要求53的封装的表面声波装置，其中，所述封装结构包括光敏树脂缓冲涂层。
59.如权利要求58的封装的表面声波装置，其中，所述光敏树脂缓冲涂层包括酚醛树脂。
60.如权利要求58的封装的表面声波装置，其中，所述光敏树脂缓冲涂层包括负性光刻胶。
61.一种标记封装的表面声波装置所述的方法，所述方法包括：
研磨压电基板的背侧，所述背侧与所述压电基板的前侧对置，所述表面声波装置的叉指换能器电极设置于所述压电基板的所述前侧上；以及
激光标记所述压电基板。
62.如权利要求61所述的方法，其中，所述激光标记形成延伸至所述压电基板中小于1微米的标记。
63.如权利要求61所述的方法，其中，所述激光标记包括：施加允许所述压电基板维持结构完整性的激光的波长。
64.如权利要求61所述的方法，其中，所述激光标记包括：使用深紫外线激光。
65.如权利要求61所述的方法，其中，所述激光标记包括：使用具有约266纳米的波长的激光。
66.如权利要求61所述的方法，其中，研磨所述压电基板的所述背侧包括：研磨所述压电基板的所述背侧直至所述压电基板的厚度为约130微米。
67.如权利要求61所述的方法，其中，所述压电基板包括铌酸锂。
68.如权利要求61所述的方法，其中，所述压电基板包括钽酸锂。
69.如权利要求61所述的方法，其进一步包括形成由所述压电基板的所述前侧支撑且界定围封所述叉指换能器电极的腔体的结构。
70.如权利要求69所述的方法，其中，在研磨所述压电基板的所述背侧之前形成由所述压电基板的所述前侧支撑的所述结构。
71.如权利要求69所述的方法，其中，形成由所述压电基板的所述前侧支撑的所述结构包括形成光敏树脂缓冲涂层。
72.一种标记封装的表面声波装置的方法，所述方法包括：
在压电基板的第一表面上形成封装结构，在压电基板的第一表面上设置有所述表面声波装置的叉指换能器电极，所述封装结构将所述叉指换能器电极包封于腔体中；以及
直接标记所述压电基板的第二表面以形成所述压电基板的标记部分。
73.如权利要求72所述的方法，其中，直接标记所述压电基板的所述第二表面包括：将所述压电基板的所述第二表面的所述标记部分曝露于激光。
74.如权利要求73所述的方法，其中，所述激光包括深紫外光。
75.如权利要求73所述的方法，其中，所述激光具有约266纳米的波长。
76.如权利要求72所述的方法，其中，形成封装结构包括：形成光敏树脂层；以及图案化所述光敏树脂层。
77.如权利要求76所述的方法，其中，所述光敏树脂包括酚醛树脂。
78.如权利要求76所述的方法，其中，形成封装结构可包括：形成延伸穿过所述光敏树脂层的导电端子。
79.如权利要求72所述的方法，其中，所述标记延伸至所述压电基板中小于1微米。
80.如权利要求72所述的方法，其中，所述封装的表面声波装置具有小于220微米的厚度。