本发明属于半导体，涉及一种光电芯片制作方法。
背景技术：
1、光电芯片是一种集成电子器件与光学器件的微型芯片，利用其光电转化功能实现对光信号与电信号之间的转化以及处理，光口是光电芯片非常重要的一部分，用于接收或者输出光信号。
2、目前，在光电芯片的制作中，湿法的图形化工艺会污染光口，通常采用感光聚酰亚胺干膜或者光刻胶干膜以层压的方式压合于光电芯片以规避光口污染，然后采用图形化工艺制备用于连接外部器件的导电焊盘，但是在实际作业过程中依然存在湿法工艺，存在光口污染的风险，使得生产良率降低，成本增加。
3、因此，如何提供一种光电芯片制作方法，以确保制作过程中光口不会污染，提高生产良率，降低成本，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种光电芯片制作方法，用于解决现有技术中光口被污染使得生产良率降低，成本增加的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种光电芯片制作方法，包括以下步骤：
3、提供光电芯片，所述光电芯片包括外部连接区域与光口预埋区域，所述光口预埋区域中设置有光口，所述光口上方设置有钝化层覆盖所述光口；
4、于所述外部连接区域上方形成导电连接部，所述导电连接部与所述光电芯片电连接；
5、于所述钝化层中形成钝化层开口，所述钝化层开口显露所述光口。
6、可选地，所述钝化层包括二氧化硅层。
7、可选地，形成所述钝化层开口的方法包括激光钻孔法或干法刻蚀法。
8、可选地，所述导电连接部包括第一导电连接部和第二导电连接部，形成所述第一导电连接部和所述第二导电连接部的步骤包括：
9、于所述光电芯片上形成聚酰亚胺层并图形化，以形成第一聚酰亚胺层开口和第二聚酰亚胺层开口，所述第一聚酰亚胺层开口定义所述第一导电连接部的位置，所述第二聚酰亚胺层开口定义所述第二导电连接部的位置；
10、形成种子层，所述种子层填充入所述第一聚酰亚胺层开口和所述第一聚酰亚胺层开口中；
11、于所述聚酰亚胺层上形成第一光刻胶层并图形化，图形化的所述第一光刻胶层显露所述第一聚酰亚胺层开口，于所述第一聚酰亚胺层开口中形成所述第一导电连接部，并去除所述第一光刻胶层；
12、于所述聚酰亚胺层上形成第二光刻胶层并图形化，图形化的所述第二光刻胶层显露所述第二聚酰亚胺层开口，于所述第二聚酰亚胺层开口中形成所述第二导电连接部。
13、可选地，所述第一导电连接部包括自下而上层叠的cu/ni/au复合层。
14、可选地，所述第二导电连接部包括自下而上层叠的cu/ni/snag复合层。
15、可选地，形成所述第二导电连接部后，还包括采用甲酸回流处理的步骤。
16、可选地，所述种子层包括自下而上层叠的ti/cu复合层。
17、如上所述，本发明的光电芯片制作方法中，形成导电连接部之前光口被钝化层覆盖，形成导电连接部后将钝化层打开显露光口，能够避免形成导电连接部的过程中光口被污染，提高生产良率，降低成本。
1.一种光电芯片制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的光电芯片制作方法，其特征在于：所述钝化层包括二氧化硅层。
3.根据权利要求1所述的光电芯片制作方法，其特征在于：形成所述钝化层开口的方法包括激光钻孔法或干法刻蚀法。
4.根据权利要求1所述的光电芯片制作方法，其特征在于，所述导电连接部包括第一导电连接部和第二导电连接部，形成所述第一导电连接部和所述第二导电连接部的步骤包括：
5.根据权利要求4所述的光电芯片制作方法，其特征在于：所述第一导电连接部包括自下而上层叠的cu/ni/au复合层。
6.根据权利要求4所述的光电芯片制作方法，其特征在于：所述第二导电连接部包括自下而上层叠的cu/ni/snag复合层。
7.根据权利要求6所述的光电芯片制作方法，其特征在于：形成所述第二导电连接部后，还包括采用甲酸回流处理的步骤。
8.根据权利要求4所述的光电芯片制作方法，其特征在于：所述种子层包括自下而上层叠的ti/cu复合层。