本公开整体涉及半导体结构，并且更具体地，涉及包括单片集成体声波(baw)谐振器的半导体结构。
背景技术：
1、集成电路(ic)在电子设备中变得越来越普遍。ic可以以其上集成有一组电子电路的ic裸片(或ic芯片，或简称为裸片或芯片)的形式实现。在一些应用中，ic可被配置为基于谐振器形成滤波器或振荡器，以实现ic的操作。
2、图1a是例示根据本公开的相关技术的振荡器100的简化电路图。振荡器100包括输入端子102、输出端子104、放大器110和谐振器120。放大器110具有跨导gm。放大器110的输入耦合到输入端子102，并且放大器110的输出耦合到输出端子104。谐振器120具有谐振频率fr并且耦合在输入端子102与输出端子104之间。放大器110和谐振器120可以形成正反馈配置。
3、图1b是例示根据本公开的相关技术的图1a中描绘的振荡器100的输出端子104处的信号的频谱的简化图150。图150的水平轴表示频率，图150的竖直轴表示以分贝-毫瓦(dbm)为单位的信号强度。如图1b所示，输出端子104处的信号的大部分频率分量可以处于谐振器120的谐振频率fr。振荡器100以频率fr输出信号的效率可能够通过品质因数(q因数)来测量。一般而言，q因数越高，输出端子104处信号中处于频率fr的频率分量的能量越大。然而，振荡器(或滤波器)的q因数不仅可取决于谐振器的q因数，而且可取决于由用于形成振荡器或滤波器的各种无源器件以及将谐振器连接到振荡器或滤波器的其他部分的导电路径的寄生效应(例如，寄生电阻、寄生电感和/或寄生电容)引起的劣化。
4、因此，需要一种改进的谐振器和用于形成谐振器的改进的制造方法，其可以减少所得到的振荡器或滤波器的q因数的劣化。
技术实现思路
1、以下呈现与本文所公开的一个或多个方面相关的简化概述。因此，以下概述既不应被认为是与所有构想的方面相关的详尽纵览，也不应被认为标识与所有构想的方面相关的关键性或决定性元素或描绘与任何特定方面相关联的范围。因此，以下概述的唯一目的是在以下呈现的详细描述之前以简化形式呈现与涉及本文所公开的机制的一个或多个方面相关的某些概念。
2、在一方面，一种集成电路(ic)包括：基板上的一个或多个晶体管；以及该一个或多个晶体管上的互连结构，该互连结构包括多个互连层、多个层间电介质层和嵌入该互连结构中的半导体结构，其中该半导体结构包括：腔体结构，该腔体结构包括：底部，该底部是第一蚀刻停止层的一部分；顶部，该顶部是第一蚀刻停止层上方的第二蚀刻停止层的一部分；一个或多个侧壁，该一个或多个侧壁连接该腔体结构的底部和顶部；和腔体，该腔体在该腔体结构的顶部与底部之间并且被该一个或多个侧壁包围；该腔体结构上方的压电层；该压电层上的上导电结构；以及该上导电结构上的第一接触结构。
3、在一方面，一种制造集成电路(ic)的方法包括：在基板上形成一个或多个晶体管；以及在该一个或多个晶体管上形成互连结构，该互连结构包括多个互连层、多个层间电介质层和嵌入该互连结构中的半导体结构，形成该互连结构包括：在第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层上方形成压电层，该第一蚀刻停止层在基板上方，并且该第二蚀刻停止层在该第一蚀刻停止层上方；在该压电层上形成上导电结构；在形成该上导电结构之后形成腔体结构，该腔体结构包括：底部，该底部是第一蚀刻停止层的一部分；顶部，该顶部是第二蚀刻停止层的一部分；一个或多个侧壁，该一个或多个侧壁连接该腔体结构的底部和顶部；和腔体，该腔体在该腔体结构的顶部与底部之间并且被该一个或多个侧壁包围；以及在该上导电结构上形成第一接触结构。
4、基于附图和详细描述，与本文所公开的各方面相关联的其他目的和优势对于本领域的技术人员将是显而易见的。
1.一种集成电路(ic)，所述集成电路(ic)包括：
2.根据权利要求1所述的ic，所述ic还包括：
3.根据权利要求2所述的ic，其中：
4.根据权利要求2所述的ic，其中：
5.根据权利要求1所述的ic，其中：
6.根据权利要求1所述的ic，其中：
7.根据权利要求1所述的ic，其中：
8.根据权利要求1所述的ic，所述ic还包括：
9.根据权利要求8所述的ic，其中所述声反射结构包括耐火材料层，并且所述耐火材料包括钨、钛、氧化钽或它们的任何组合。
10.根据权利要求1所述的ic，其中所述压电层包括氮化铝、氮化钪铝或它们的任何组合。
11.根据权利要求1所述的ic，其中所述腔体结构的所述顶部、所述底部和所述一个或多个侧壁包括氮化硅。
12.根据权利要求1所述的ic，其中所述腔体结构还包括：
13.根据权利要求1所述的ic，其中所述互连结构还包括在所述多个层间电介质层中的一个层间电介质层中的金属-绝缘体-金属(mim)电容器或金属-氧化物-金属(mom)电容器，其中所述多个层间电介质层中的所述一个层间电介质层在所述第二蚀刻停止层上。
14.一种制造集成电路(ic)的方法，所述方法包括：
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述压电层包括氮化铝、氮化钪铝或它们的任何组合。
16.根据权利要求14所述的方法，其中所述形成所述互连结构还包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述声反射结构包括耐火材料层，并且所述耐火材料包括钨、钛、氧化钽或它们的任何组合。
18.根据权利要求14所述的方法，其中所述形成所述互连结构还包括在所述多个层间电介质层中的一个层间电介质层中形成金属-绝缘体-金属(mim)电容器或金属-氧化物-金属(mom)电容器，其中所述多个层间电介质层中的所述一个层间电介质层在所述第二蚀刻停止层上。
19.根据权利要求14所述的方法，其中所述形成所述腔体结构包括：
20.根据权利要求19所述的方法，其中所述形成所述腔体结构还包括：
21.根据权利要求19所述的方法，其中所述形成所述第三蚀刻停止层和所述至少部分地填充所述一个或多个第一开口基于相同的沉积工艺。
22.根据权利要求19所述的方法，其中所述形成所述一个或多个第二开口基于各向异性蚀刻工艺。
23.根据权利要求14所述的方法，所述方法还包括：
24.根据权利要求23所述的方法，其中：
25.根据权利要求23所述的方法，其中：
26.根据权利要求14所述的方法，其中：
27.根据权利要求14所述的方法，其中：
28.根据权利要求14所述的方法，其中：