专利名称：一种用于时分双工系统的功放开关控制电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种用于TDD (Time Division Duplex,时分双工)方 式下的开关控制电路，尤其是适用于TD-SDMA ( Time Division- synchronous code division multiple access,时分同步的码分多址技术)系统的功放开关控 制电路。
背景技术：
现有技术中，TDD系统中的功放电路设计一般是在LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,横向扩散金属氧化物半导体)管的栅极 加两个电容， 一个是uF(微法)级的，用来克服记忆效应， 一个是微波电 容。如图1所示的一种现有技术中的功放开关控制电路，在LDMOS管NA13 的栅极上连接有电容C238和C239,其中C238是uF级电容，而C239是微 波电溶。但是，在TD-SCDMA系统里，相关标准要求上下行切换速度小于 几个us(微秒)，由于LDMOS管的输入阻抗比较高， 一般在栅极只能加几 pF(皮法)的微波电容，不能加uF级的电容，否则将影响上下行切换时间。 但是如果没有这个uF级电容又会导致LDMOS管栅极记忆效应，影响功放 的线性，特别是影响DPD (DigitalPre-Distortion,数字预失真)系统对功放 的改善。实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是，为了克服了现有技术中的LDMOS管 栅极记忆效应和开关时间矛盾的缺点，提供一种适用于TDD系统，尤其适 用于TD-SDMA系统的功放开关控制电路，该电路既可以保证TD-SCDMA 系统的上下行切换速度符合标准，又可以克服LDMOS管栅极的记忆效应。为了解决上述问题，本实用新型提供了 一种用于时分双工系统的功放开关控制电路，包括横向扩散金属氧化物半导体LDMOS管，所述LDMOS管 的才册极通过一电阻与一双掷开关的COM脚相连，所述双掷开关的COM脚 还通过一电容接地；所述双掷开关的N/0脚接所述LDMOS管的栅极电压， 该N/O脚还通过一电容接地；所述双掷开关的N/C脚通过一电阻接地；所 述双掷开关的IN脚接收高、低电平输入，V+脚接电源。进一步地，所述双掷开关的GND脚4I;地。作为本实用新型的一种优选方案，所述双掷开关为单刀双掷开关。 作为本实用新型的另 一种优选方案，所述双掷开关为双刀双掷开关。本实用新型采用双掷开关来控制LDMOS管的开关，通过连接到双掷开 关的COM脚与LDMOS管的栅极之间的电阻来保证功放的开关时间，通过 连接到双掷开关的COM脚与地之间的电容来克服LDMOS管的栅极记忆效 应。因此，本实用新型既可以保证功放的开关时间符合相关标准，又克服了 LDMOS管的栅极记忆效应，从而满足功放开关控制电路在TDD系统，尤 其是在TD-SDMA系统中的应用。
图1是现有技术中 一种TDD系统下的功放开关控制电路的结构示意图；图2是本实用新型的一种适用于TD-SDMA系统的功放开关控制电路的 一实施例的示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明，以使本领域的 技术人员可以更好的理解本实用新型并能予以实施，但所举实施例不作为对 本实用新型的限定。如图2所示，在该实施例中，功放开关控制电路包括至少一个LDMOS 管N12,该LDMOS管N12的栅极通过一电阻R36连接到一单刀双掷开关 (SPDT, Single Pole Double Throw) D13的COM脚5上，单刀双掷开关 D13的COM脚5还通过一电容C235接地；单刀双掷开关D13的N/O脚6接LDMOS管N12的栅极电压VGS,该N/O脚6还通过一电容C234接地； 单刀双掷开关D13的N/C脚4通过一电阻R136接地；单刀双掷开关的IN 脚1接收高、低电平输入，V+脚2接电源，GND脚3接地。工作时，单刀双掷开关D13的IN脚1接收从外部输入的电平，当接收 到高电平时，单刀双掷开关D13的COM脚5和N/0脚6导通，电容C235 迅速充电，功放正常工作；单刀双掷开关D13的IN脚1接收到低电平时， 单刀双掷开关D13的COM脚5和N/C脚4导通，功放的栅才及电流通过电阻 R36迅速泄放，从而保证了功放的开关时间。由于在功放正常工作时，电容 C235设置在单刀双掷开关D13的前面，可以有效地起到克服LDMOS管N12 的棚4及记忆效应的目的，而不会影响功^t的开关时间。在上述实施例中，采用的单刀双掷开关D13的型号是MAX4624,在其 它实施例中，可以采用其它型号的单刀双掷开关，例如MAX4625型SPDT 模拟开关。使用单刀双掷开关的优点是在保证实现本实用新型技术效果的情 况下尽量降低成本，当然，本实用新型不限于使用单刀双掷开关，如双刀双 掷开关也可以应用于本实用新型，例如型号为NLAS3799B的DPDT双刀双 掷开关，其代替单刀双掷开关接入本实用新型的电路时，电路连接原理与上 述实施例相同。以上所述实施例仅是为充分说明本实用新型而所举的较佳的实施例，本 实用新型的保护范围不限于此。本技术领域的技术人员在本实用新型基础上 所作的等同替代或变换，均在本实用新型的保护范围之内。本实用新型的保 护范围以权利要求书为准。
权利要求1、一种用于时分双工系统的功放开关控制电路，包括横向扩散金属氧化物半导体LDMOS管，其特征在于，所述LDMOS管的栅极通过一电阻与一双掷开关的COM脚相连，所述双掷开关的COM脚还通过一电容接地；所述双掷开关的N/O脚接所述LDMOS管的栅极电压，该N/O脚还通过一电容接地；所述双掷开关的N/C脚通过一电阻接地；所述双掷开关的IN脚接收高、低电平输入，V+脚接电源。
2、 如权利要求1所述的用于时分双工系统的功放开关控制电路，其特 征在于，所述双掷开关的GND脚接地。
3、 如权利要求1或2所述的用于时分双工系统的功放开关控制电路， 其特征在于，所述双掷开关为单刀双掷开关。
4、 如权利要求1或2所述的用于时分双工系统的功放开关控制电路， 其特征在于，所述双掷开关为双刀双掷开关。
专利摘要本实用新型公开了一种用于时分双工系统的功放开关控制电路。该电路包括横向扩散金属氧化物半导体LDMOS管，所述LDMOS管的栅极通过一电阻与一双掷开关的COM脚相连，所述双掷开关的COM脚还通过一电容接地；所述双掷开关的N/O脚接所述LDMOS管的栅极电压，该N/O脚还通过一电容接地；所述双掷开关的N/C脚通过一电阻接地；所述双掷开关的IN脚接收高、低电平输入，V+脚接电源。本实用新型既可以保证功放的开关时间符合相关标准，又克服了LDMOS管的栅极记忆效应，从而满足功放开关控制电路在TDD系统，尤其是在TD-SDMA系统中的应用。
文档编号H04B1/54GK201167318SQ20082000733
公开日2008年12月17日 申请日期2008年3月3日 优先权日2008年3月3日
发明者朱玉波, 陈化璋 申请人:中兴通讯股份有限公司