专利名称：同轴喇叭结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种同轴喇叭结构，尤其涉及可使第一及第二喇叭本体加以整 合，且分别设有独立的音圈与磁回结构，并可呈同一轴向发声，以产生分明的高、中、低音， 而达到缩小喇叭体积、兼顾各音域广度及深度的功效。
背景技术：
目前，一般公用的单颗喇叭单体，由于其技术上的限制，虽然标榜能够展现高、中、 低全音域的声音，但却无法兼顾各音域的广度与深度。如果要强化其中某个音域，则势必 要牺牲其他部分的音域，例如要强化浑厚低沉的低音域，则高音域的音质就难免相对被弱 化；因此，公用的方式，在一个扬声器系统中，分别独立设有高音单体、中音单体以及低音单 体，从而呈现出各音域分明的音质与广度(例如市售的家庭剧院音响或组合音箱)。然而，以此类扬声器系统而言，因为要分别独立设置高音、中音与低音单体，所以 需使用到两至三颗以上的喇叭单体，导致整个扬声器系统过大而不适合用于小型扬声器系 统中，也不符合现行消费性产品轻薄短小的使用趋势。因此，如何创作出一种同轴喇叭结构，以使其可达到缩小喇叭体积，并兼顾各音域 广度及深度的功效，将是本实用新型所欲积极公开之处。
发明内容有鉴于上述公知同轴喇叭结构的缺憾，实用新型人有感其未臻于完善，遂竭其心 智悉心研究克服，凭其从事该项产业多年的累积经验，进而研发出一种同轴喇叭结构，以期 达到缩小喇叭体积，并兼顾各音域广度及深度的目的。本实用新型的主要目的在提供一种同轴喇叭结构，其借着使第一及第二喇叭本体 加以整合，且分别设有独立的音圈和磁回结构，致使可呈同一轴向发声以产生分明的高、 中、低音，进而达到缩小喇叭体积、兼顾各音域广度及深度的目的。为达上述目的，本实用新型的同轴喇叭结构包含可为低音喇叭的第一喇叭本体， 其包含有具有容置区的第一支架、环设于第一支架内的第一导磁轭铁、迭设于第一导磁轭 铁上的第一磁铁、迭设于第一磁铁上的第一导磁板、环设于第一导磁板周缘的第一音圈、及 设于第一支架端面的第一振膜；以及一结合于容置区中的第二喇叭本体，而该第二喇叭本 体可为中高音喇叭。在本实用新型的一实施例中，该第一振膜通过设于第一支架端面的第一环型垫片 加以固定。在本实用新型的一实施例中，该第一振膜封闭该第一导磁轭铁、第一磁铁、第一导 磁板及第一音圈，且该第一振膜呈一连续弧面状。在本实用新型的一实施例中，该第一振膜包含有设于第一音圈外缘端面的外圈振 膜、及两端分别连接第一支架与第一音圈的内圈振膜，且该内圈振膜呈凹面。在本实用新型的一实施例中，该第一振膜封闭该第一导磁轭铁、第一磁铁、第一导磁板、第一音圈、第一环型垫片及第二喇叭本体。在本实用新型的一实施例中，该第一振膜包含有设于第一音圈外缘端面的外圈振 膜、及封闭于该第二喇叭本体上的内圈振膜，且该内圈振膜呈凹面。在本实用新型的一实施例中，该第二喇叭本体包含有一与第一喇叭本体结合的第 二支架、设于第二支架底部的端子板、迭设于端子板上的第二导磁轭铁、迭设于第二导磁轭 铁上的第二磁铁、迭设于第二磁铁上的第二导磁板、环设于第二导磁板周缘的第二音圈、一 设于第二支架上的第二环型垫片、及一设于第二支架端面且由第二环型垫片固定的第二振 膜，而该第二振膜呈连续弧面状。在本实用新型的一实施例中，该第二喇叭本体可为中高音喇叭，其包含有设于第 一喇叭本体底部的端子板、迭设于端子板上的第二导磁轭铁、迭设于第二导磁轭铁上的第 二磁铁、迭设于第二磁铁上的第二导磁板、环设于第二导磁板周缘的第二音圈、设于第二导 磁轭铁端面的第二振膜、及固定第二振膜的第二环型垫片，而该端子板、第二导磁轭铁、第 二磁铁及第二导磁板通过铆钉加以连接，且该第二振膜呈连续弧面状。在本实用新型的一实施例中，该第二喇叭本体的端面可设有保护盖，而该保护盖 呈凸型。因此，本实用新型的这种同轴喇叭结构，可使第一及第二喇叭本体加以整合，且分 别设有独立的音圈与磁回结构，并可呈同一轴向发声，以产生分明的高、中、低音，而达到缩 小喇叭体积、兼顾各音域广度及深度的功效。
[0017]图1为本实用新型第一实施例的示意图。[0018]图2为本实用新型第二实施例的示意图。[0019]图3为本实用新型第三实施例的示意图。[0020]图4为本实用新型第四实施例的示意图。[0021]图5为本实用新型第五实施例的示意图。[0022]主要组件符号说明[0023]第-一喇叭本体1[0024]第-一支架11[0025]容置区111[0026]第-一导磁轭铁12[0027]第-一磁铁13[0028]第-一导磁板14[0029]第-一音圈15[0030]第-一环型垫片16[0031]第-一振膜17、17a、17b、17c[0032]外圈振膜171a、171c[0033]内圈振膜172a、172c[0034]第:二喇叭本体2、2a[0035]第:二支架21[0036]端子板 22、22a第二导磁轭铁23、23a第二磁铁24、24a第二导磁板25、25a第二音圈26、26a第二环型垫片 27、27a第二振膜 28、28a铆钉 29a保护盖具体实施方式
为充分了解本实用新型的目的、特征及功效，现借由下述具体的实施例，并配合所 附的图式，对本实用新型做一详细说明，说明如后请参照(图1)，为本实用新型第一实施例的示意图。如图所示本实用新型的同 轴喇叭结构，包含有第一喇叭本体1、第二喇叭本体2以及保护盖3所构成。上述所提的第一喇叭本体1可为低音喇叭，其包含有具有容置区111的第一支架 11、环设于第一支架11内的第一导磁轭铁12、迭设于第一导磁轭铁12上的第一磁铁13、迭 设于第一磁铁13上的第一导磁板14、环设于第一导磁板14周缘的第一音圈15、设于第一 支架11上的第一环型垫片16、及设于第一支架11端面且由第一环型垫片16固定的第一振 膜17，而该第一振膜17封闭该第一导磁轭铁12、第一磁铁13、第一导磁板14及第一音圈 15，且该第一振膜17呈一连续弧面状。该第二喇叭本体2可为中高音喇叭，且结合于第一喇叭本体1所设第一支架11的 容置区111中，其包含有一与第一喇叭本体1结合的第二支架21、设于第二支架21底部的 端子板22、迭设于端子板22上的第二导磁轭铁23、迭设于第二导磁轭铁23上的第二磁铁 24、迭设于第二磁铁24上的第二导磁板25、环设于第二导磁板25周缘的第二音圈26、设于 第二支架21上的第二环型垫片27、及设于第二支架21端面且由第二环型垫片27固定的第 二振膜28，而该第二振膜28呈连续弧面状，而当该第二喇叭本体2与第一喇叭本体1结合 时，可通过胶水直接在接触部位上进行黏合，然此仅为其中一种结合方式，并不以此为限。该保护盖3呈凸型且对应设于第二喇叭本体2的第二振膜28端面，而该保护盖3 是以保护第二振膜28为主，并不限于凸型，然在本实施例中应用了凸型的方式。藉由上述的结构，而可在第一喇叭本体1(低音喇叭)的第一导磁轭铁12中另嵌 入一完整独立的第二喇叭本体2 (中高音域喇叭)，而使第一喇叭本体1与第二喇叭本体2 皆采用外磁式设计，且分别设有独立的第一音圈15、第二音圈26与磁回结构，并分别接合 不同的第一及第二振膜17、28 ；当使用时系使第一喇叭本体1与第二喇叭本体2呈同一轴 向发声，让低音域的声音由第一振膜17辐射而出，而中高音域的声音则由第二振膜28透过 保护盖幅射而出，由于该第一喇叭本体1的第一振膜17面积较大，特别是当第一振膜17的 外圈部分采软性材质时，更可产生较大振幅，而保有优质的低音频响，而中高音域则通过中 置的第二喇叭本体2，将中高音清楚地幅射而出，如此，便可达到兼顾各音域的广度及深度 的功效。[0051]请参照(图2)，为本实用新型第二实施例的示意图。如图所示本实用新型除上述 第一实施例所提的结构型态之外，也可为本第二实施例的结构型态，而其所不同之处在于， 该第一喇叭本体1的第一振膜17a包含有设于第一音圈15外缘端面的外圈振膜171a、及两 端分别连接第一支架11与第一音圈15的内圈振膜172a，且该内圈振膜172a呈凹面。如此，除同样达到第一实施例所述的功效外，由于外圈振膜171a连结于第一音圈 15的外缘面，因此外圈振膜171a能产生类似弹波(Damper)的功用，使第一振膜17a能维持 轴向的活塞式运动而不偏移，而内圈振膜172a的凹面设计也可强化中低音的表现。请参照(图3)，为本实用新型第三实施例的示意图。如图所示本实用新型除上 述第一及第二实施例所提的结构型态之外，也可为本第三实施例的结构型态，而其所不同 之处在于，该第一喇叭本体1的第一振膜17b封闭该第一导磁轭铁12、第一磁铁13、第一导 磁板14、第一音圈15、第一环型垫片16及第二喇叭本体2。在本实施例中该第一振膜17b直接覆盖于第二喇叭本体2的出音部上，而可使第 二喇叭本体2的声音，一部份穿透第一喇叭本体1的第一振膜17b而出，另一部份则从内部 的空间中将声音逸散而出。此时，第二喇叭本体2不全然强调高音，而是让所发出的声音， 透过内部空间形成一回路，让声音的音域广度增加。请参照(图4)，为本实用新型第四实施例的示意图。如图所示本实用新型除上 述第一、二及第三实施例所提的结构型态的外，也可为本第四实施例的结构型态，而其所不 同之处在于，该第一喇叭本体1的第一振膜17c系包含有设于第一音圈15外缘端面的外圈 振膜171c、及封闭于该第二喇叭本体2上的内圈振膜172c，且该内圈振膜172c呈凹面。在本第四实施例中，将该外圈振膜171c黏贴于第一音圈15外缘端面，如此，系可 产生类似弹波(Damper)的功用，而内圈振膜172c的内凹型设计则可强化中低音的表现，且 该内圈振膜172c直接覆盖在第二喇叭本体2的出音部上，进而使第二喇叭本体2的声音， 一部份穿透第一喇叭本体1的第一振膜17c而出，一部份则从内部的空间中将声音逸散而 出，透过第一喇叭本体1内部空间形成一回路，让声音的音域广度增加。请参照(图5)，为本实用新型第五实施例的示意图。如图所示本实用新型除上 述第一、二、三及第四实施例所提的结构型态之外，也可为本第五实施例的结构型态，而其 所不同之处在于，该第二喇叭本体2a包含有设于第一喇叭本体1底部的端子板22a、迭设 于端子板22a上的第二导磁轭铁23a、迭设于第二导磁轭铁23a上的第二磁铁24a、迭设于 第二磁铁24a上的第二导磁板25a、环设于第二导磁板25a周缘的第二音圈26a、设于第二 导磁轭铁23a端面的第二振膜28a、及固定第二振膜28a的第二环型垫片27a，而该端子板 22a、第二导磁轭铁23a、第二磁铁24a及第二导磁板25a系以铆钉29a加以连接。在本第五实施例中，其第二喇叭本体2a采用内磁式的作法，与其它实施例采用 的外磁式作法不同，本实施例的内磁式作法中，使用铆钉29a将端子板22a、第二导磁轭铁 23a、第二磁铁24a、第二导磁板25a (磁回系统)连接起来，如此，同样可通过第一及第二喇 叭本体1、2产生分明的高、中、低音，进而达到兼顾各音域的广度及深度的效果。如上所述，本实用新型完全符合专利三要件新颖性、创造性和实用性。以新颖性 和创造性而言，本实用新型借着使第一及第二喇叭本体加以整合，且分别设有独立的音圈 与磁回结构，致使可呈同一轴向发声以产生分明的高、中、低音，进而达到缩小喇叭体积、兼 顾各音域广度及深度的效用；就实用性而言，利用本实用新型所衍生的产品，当可充分满足目前市场的需求。 本实用新型在上文中已以较佳实施例公开，然熟知本项技术者应理解的是，该实 施例仅用于描绘本实用新型，而不应解读为限制本实用新型的范围。应注意的是，所有与该 实施例等效的变化与置换，均应设为涵盖于本实用新型的范畴内。因此，本实用新型的保护 范围当以下文的权利要求所界定者为准。
权利要求1.一种同轴喇叭结构，其特征在于，包含第一喇叭本体，为低音喇叭，其包含有具有容置区的第一支架、环设于第一支架内的第 一导磁轭铁、迭设于第一导磁轭铁上的第一磁铁、迭设于第一磁铁上的第一导磁板、环设于 第一导磁板周缘的第一音圈、及设于第一支架端面的第一振膜；以及第二喇叭本体，结合于第一喇叭本体所设第一支架的容置区中，而该第二喇叭本体为 中高音喇叭。
2.如权利要求1所述的同轴喇叭结构，其特征在于，该第一振膜通过设于第一支架端 面的第一环型垫片加以固定。
3.如权利要求1所述的同轴喇叭结构，其特征在于，该第一振膜封闭该第一导磁轭铁、 第一磁铁、第一导磁板及第一音圈，且该第一振膜呈连续弧面状。
4.如权利要求1所述的同轴喇叭结构，其特征在于，该第一振膜系包含有设于第一音 圈外缘端面的外圈振膜、及两端分别连接第一支架与第一音圈的内圈振膜，且该内圈振膜 呈凹面。
5.如权利要求1所述的同轴喇叭结构，其特征在于，该第一振膜封闭该第一导磁轭铁、 第一磁铁、第一导磁板、第一音圈、第一环型垫片及第二喇叭本体。
6.如权利要求1所述的同轴喇叭结构，其特征在于，该第一振膜包含有设于第一音圈 外缘端面的外圈振膜、及封闭于该第二喇叭本体上之内圈振膜，且该内圈振膜系呈凹面。
7.如权利要求1所述的同轴喇叭结构，其特征在于，该第二喇叭本体包含有一与第一 喇叭本体结合的第二支架、设于第二支架底部的端子板、迭设于端子板上的第二导磁轭铁、 迭设于第二导磁轭铁上的第二磁铁、迭设于第二磁铁上的第二导磁板、环设于第二导磁板 周缘的第二音圈、设于第二支架上的第二环型垫片、及设于第二支架端面且由第二环型垫 片固定的第二振膜，而该第二振膜系呈连续弧面状。
8.如权利要求1所述的同轴喇叭结构，其特征在于，该第二喇叭本体系包含有设于第 一喇叭本体底部的端子板、迭设于端子板上的第二导磁轭铁、迭设于第二导磁轭铁上的第 二磁铁、迭设于第二磁铁上的第二导磁板、环设于第二导磁板周缘的第二音圈、设于第二导 磁轭铁端面的第二振膜、及固定第二振膜的第二环型垫片，而该端子板、第二导磁轭铁、第 二磁铁及第二导磁板通过铆钉加以连接，且该第二振膜呈连续弧面状。
9.如权利要求1所述的同轴喇叭结构，其特征在于，该第二喇叭本体的端面可设有保 护盖，而该保护盖呈凸型。
专利摘要本实用新型提供一种同轴喇叭结构，其包含可为低音喇叭的第一喇叭本体，其包含有具有容置区的第一支架、环设于第一支架内的第一导磁轭铁、迭设于第一导磁轭铁上的第一磁铁、迭设于第一磁铁上的第一导磁板、环设于第一导磁板周缘的第一音圈、及设于第一支架端面的第一振膜；以及结合于容置区中的第二喇叭本体，而该第二喇叭本体可为中高音喇叭。因此，本实用新型的同轴喇叭结构，可使第一及第二喇叭本体加以整合，且分别设有独立的音圈与磁回结构，并可呈同一轴向发声，以产生分明的高、中、低音，而达到缩小喇叭体积、兼顾各音域广度及深度的功效。
文档编号H04R9/06GK201781608SQ201020528660
公开日2011年3月30日 申请日期2010年9月13日 优先权日2010年9月13日
发明者李秉彧, 许学文, 陈煜熙 申请人:富祐鸿科技股份有限公司