专利名称：一种crt显示器水平方向枕形失真的枕校装置的制作方法
技术领域：
本实用新型属于使用阴极射线管(Cathode Ray Tube,CRT)的显示器技术领域，尤其涉及一种CRT显示器水平方向枕形失真的枕校电路及枕校装置。
背景技术：
免枕校超短CRT (Cathode Ray Tube，阴极射线管)的应用可有效降低整机的成本， 由于超短CRT偏转角度大，尽管DY经过精心的设计，但仍会存在一定程度的水平方向枕形失真问题。由于应用免枕校超短CRT时已取消传统枕校电路，当光栅出现一定程度的枕形失真时无法通过调试解决。现有枕校电路的技术方案为解码IC的枕校输出经枕校输出管去控制枕校调制回路产生幅度为下凹场频抛物线波形的谐振脉冲电压，利用二极管调制原理将DY回路的谐振脉冲电压幅度调制成按上凸场频抛物线波形变化，即行扫描电流按上凸场频抛物线波形变化，来达到枕形校正的。但是，现有枕校电路方案成本高，结构复杂，且不便于实施。
发明内容本实用新型提供了一种CRT显示器水平方向枕形失真的枕校装置，旨在解决现有技术的枕校装置方案成本高，结构复杂，且不便于实施的问题。本实用新型是这样实现的，一种CRT显示器水平方向枕形失真的枕校装置，所述枕校装置包括解码IC和高压包的引脚B+取样稳压电路，所述解码IC和B+取样稳压电路相连，所述解码IC的枕校输出控制B+取样稳压电路，使所述B+取样稳压电路的B+电压按上凸场频抛物波作小幅度的波动，B+电压的波动使行扫描电流按上凸场频抛物波作小幅度的波动。本实用新型的技术方案还包括所述枕校装置还包括一枕校电路；所述枕校电路为具有温度补偿的倒相及控制电路，其电连接于解码IC和B+取样稳压电路之间；所述枕校电路将解码IC的枕校输出端口输出的上凸抛物波反相后输出给B+取样稳压电路。本实用新型的技术方案还包括所述枕校电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第五电阻R5、第四电阻R213、三极管Q451和二极管D1，所述第一电阻Rl —端连接电源VCC，另一端与第四电阻R213相连，所述第四电阻R213另一端连接二极管D1，所述三极管Q451集电极分别连接第二电阻R2和第五电阻R5，发射极连接第三电阻R3，所述第三电阻R3另一端接地，所述第二电阻R2另一端连接B+取样稳压电路。本实用新型的技术方案还包括所述第二电阻R2为100K欧姆。本实用新型的技术方案还包括所述解码IC的枕校输出端口所输出波形为下凹场频抛物波波形，通过在枕校输出端口电连接一输出电阻后连接到B+取样稳压电路。本实用新型的技术方案还包括所述输出电阻为100K欧姆。本实用新型的技术方案还包括所述B+取样稳压电路的B+电压经第六电阻RS^、第七电阻R830与第八电阻R832、第九电阻J816、第十电阻R833分压取样，向第一芯片IC802控制极输入B+偏差取样电压，第一芯片IC802输出电流控制信号经光耦反馈至电源初级调控B+电压。本实用新型的技术方案具有如下优点或有益效果本实用新型CRT显示器水平方向枕形失真的枕校装置结构简单，成本低廉，实际装机试验效果好，枕形失真达到4%的 CRT仍可被校正合格，效果良好。
附图1是本实用新型的枕校装置实现枕校的原理图；附图2是本实用新型提供的一种CRT显示器水平方向枕形失真的枕校装置的结构示意图；附图3是本实用新型提供的一种CRT显示器水平方向枕形失真的枕校装置的实现原理图；附图4是本实用新型提供的一种CRT显示器水平方向枕形失真的枕校装置的B+ 取样稳压电路的原理图附图5 ；是本实用新型的CRT显示器水平方向枕形失真的枕校装置的光栅枕形失真示意图及电路波形图；附图6是本实用新型的枕校电路的结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，
以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。本发明提供的技术方案是用解码IC的枕校输出去控制B+取样稳压电路，使B+ 电压按上凸场频抛物波作小幅度的波动，B+电压的波动使行扫描电流按上凸场频抛物波作小幅度的波动，即行幅得到枕形校正。在本实用新型的一实施方式中，本实用新型的枕校电路可运用于CRT(Cath0de Ray Tube，阴极射线管)电视。电视机高压包管脚包括10个常规引脚，外加聚焦组件的2到 5个引脚。将高压包引脚面向自己，U型口朝下，顺时针数分别是1到10脚。高压包引脚定义为B+/+B——高压包初级线圈的输入端，接二次电源的输出；+B2——高压初级线圈的输入端抽头，没有二次电源的机型就在高压包内设多个抽头，以保持不同行频下的高压稳定。 一般用于较旧款的显示器，如ACER-34T;+B3——高压初级线圈的输入端抽头，没有二次电源的机型就在高压包内设多个抽头，以保持不同行频下的高压稳定。一般用于较旧款的显示器，如ACER-34T ；VCP——高压包初级线圈的输出端，接行管；D/C——接阻尼管和逆程电容。大家不要被这个引脚吓倒，其实只是高压包初级线圈的抽头，通常距离VCP端只有2到 3匝，用来改善阻尼线性；GND——接地；NC——空脚(内部空脚或外部不用此引脚；Gl—— 负压100到200V输出，在包内绕组约10匝；AFC——行逆程脉冲输出。在包内绕组通常是2 匝，电压峰值约35V ；FB——二次电源取样输出。在包内绕组通常是3匝，电压峰值约50V ； +5V——行中心调整电压。在包内绕组2匝，冷端接B+;-5V——行中心调整电压。在包内绕组2匝，冷端接B+ ；ABL——内接高压线圈的冷端；300V——动聚电路的供电。电压值是 200到600V。有时在包内绕组输出，有时在行管C极整流获得；DF——动态聚焦电压输入端； SFR——包内聚焦组件中的FV/SV调整电位器冷端，通常是接地的，但有些机型将其用作信号取样。HVR——包内HV端取样电阻的冷端。此电阻直接取样于HV端；HVC——包内高压滤波电容的冷端。通常此脚都被接地，但有些机型将其用作信号取样；FVR——包内聚焦极取样电阻的冷端。高档机所独有，用来检测FV电压。影响显示器的行幅的两个条件高压的高低和扫描电流的大小。实现水平枕校的关键是设法改变行扫描电流，行扫描电流计算公式
T UcfpIyp =-—
ω χ Lfi
π Tvπ将Ucfp = VccX-X τ 和 ω = 代入上式则
2 TrTr
Γ τ 1 彻 τIyp = -X-x^5
2 Lh可见改变Vcc会影响扫描电流。用解码IC的枕校端口输出场抛物波去调制B+电压，可使扫描电流按场抛物波变化来达到水平枕形校正的目的。本实用新型的枕校电路可行性为Β+电压小范围的变化(如3V以内)，也会造成开关变压器的其他绕组电压变动，但电压波动很小，如12V只有B+电压波动的1/10，对整机工作无影响；由于高压与Ucfp成正比，Vcc的变化在改变行扫描电流的同时也影响了高压 Vcc -—扫描电流Iyp -—行幅丨；Vcc -—Ucfp -—高压丨-—行幅丨，在实际试验中发现，Vcc上升时扫描电流变化对行幅的影响大于高压对行幅的影响；在三星免枕校CRT的原配管条件下，若调高Vcc (即B+电压)IV，行幅变宽6mm。同时，适当选取枕校调制输出电阻R，可以限制B+的电压变化范围，即使枕校装置故障亦不会对整机可靠性造成影响。请参阅图1，为本实用新型的枕校装置实现枕校的原理图。本实用新型的枕校电路实现枕校的原理为把光栅水平方向的枕形失真看作是行扫描电流在屏幕中部幅度偏小造成的，将行扫描电流幅度包络调制成图2所示的场频抛物线形，最终使电子束在每一行的扫描幅度都相同，即可校正光栅的水平枕形失真。请参阅图2，为本实用新型提供的的一种CRT显示器水平方向枕形失真的枕校装置的结构示意图。本实用新型的枕校装置包括解码IC 10、枕校电路20和B+取样稳压电路 30。解码IC 10、枕校电路20和B+取样稳压电路30依次相连。枕校电路20接收解码IC 10的枕校输出，控制B+取样稳压电路30，使B+电压按上凸场频抛物波作小幅度的波动，B+ 电压的波动使行扫描电流按上凸场频抛物波作小幅度的波动。请参阅图3，为本实用新型的CRT显示器水平方向枕形失真的枕校装置的实现原理图。本实用新型的枕校装置的实现原理为使用解码IC的枕校输出端电连接一电阻后去控制B+取样稳压电路，使B+电压按上凸场频抛物波作小幅度的波动，B+电压的波动使行扫描电流按上凸场频抛物波作小幅度的波动，即行幅得到枕形校正。解码IC的枕校输出端电连接一电阻可以限制B+的电压变化范围，即使枕校装置故障亦不会对整机可靠性造成影响。[0031]请参阅图4，为本实用新型的CRT显示器水平方向枕形失真的枕校装置的B+取样稳压电路的原理图。B+电压的高低由B+取样稳压电路30来控制，如图5所示，在本实施方式中，以TCL NX56机芯为例进行描述。A点电压波动会引起B+电压的波动。枕校端口输出的场抛物波通过电阻R送到B+取样稳压电路30的控制点(TCL NX56机芯IC802 TL431的控制极A点)就可以调制B+电压小幅度变化。试验在NX56机芯上用100K电阻可以改变 B+变化3V。B+取样稳压电路的原理为B+电压经第六电阻、第七电阻R830与第八电阻R832、第九电阻J816、第十电阻R833分压取样，向第一芯片IC802控制极输入B+偏差取样电压，第一芯片IC802输出电流控制信号经光耦反馈至电源初级调控B+电压。请参阅图5，为本实用新型的CRT显示器水平方向枕形失真的枕校装置的光栅枕形失真示意图及电路波形图。本实用新型的枕校装置需要的B+枕校调制波形为按场周期作上凸的抛物线形波动，B+取样稳压控制为负反馈方式，所以需要送到TL431控制极的波形为下凹的抛物线形，与B+变化波形反相；而NX56机芯的枕校输出波形为上凸的抛物线形，又跟TL431控制极所需的波形反相，即NX56机芯枕校端口输出的波形是所需波形的相反极性。解决方案有通过软件将解码输出的波形反相和通过倒相电路将解码输出的波形反相。通过软件将解码输出的波形反相实现方式包括软件升级，将解码输出的波形反相， 并且在输出端连接一个100K电阻；通过倒相电路将解码输出的波形反相实现方式为通过具有温度补偿的倒相及控制电路，即枕校电路来实现。适当选取枕校调制输出电阻R，可以限制B+变化范围，即使枕校电路故障亦不会对整机可靠性造成影响。请参阅图6，为本实用新型提供的一种枕校装置的结构示意图。本实用新型的枕校装置中的枕校电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第五电阻R5、第四电阻 R213、三极管Q451和二极管D1。第一电阻Rl —端连接电源VCC，另一端与第四电阻R213相连，第四电阻R213另一端连接二极管D1，三极管Q451集电极分别连接第二电阻R2和第五电阻R5，发射极连接第三电阻R3，第三电阻R3另一端接地，第二电阻R2另一端连接B+取样稳压电路。第二电阻R2的电阻值取100ΚΩ时，可以改变B+变化3V。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种CRT显示器水平方向枕形失真的枕校装置，其特征在于，所述枕校装置包括解码IC和高压包的引脚B+取样稳压电路，所述解码IC和B+取样稳压电路相连，所述解码IC 的枕校输出控制B+取样稳压电路，使所述B+取样稳压电路的B+电压按上凸场频抛物波作小幅度的波动，B+电压的波动使行扫描电流按上凸场频抛物波作小幅度的波动。
2.根据权利要求1所述的枕校装置，其特征在于，所述枕校装置还包括一枕校电路；所述枕校电路为具有温度补偿的倒相及控制电路，其电连接于解码IC和B+取样稳压电路之间；所述枕校电路将解码IC的枕校输出端口输出的上凸抛物波反相后输出给B+取样稳压电路。
3.根据权利要求2所述的枕校装置，其特征在于，所述枕校电路包括第一电阻(Rl)、 第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第五电阻(R5)、第四电阻(R213)、三极管0H51)和二极管 (Dl)，所述第一电阻(Rl) —端连接电源(VCC)，另一端与第四电阻(R213)相连，所述第四电阻(R213)另一端连接二极管(Dl)，所述三极管0H51)集电极分别连接电阻第二电阻(R2) 和第五电阻(R5)，发射极连接第三电阻(R3)，所述第三电阻(旧)另一端接地，所述第二电阻(R2)另一端连接B+取样稳压电路。
4.根据权利要求3所述的枕校装置，其特征在于，所述第二电阻(似)为100K欧姆。
5.根据权利要求1所述的枕校装置，其特征在于，所述解码IC的枕校输出端口所输出波形为下凹场频抛物波波形，通过在枕校输出端口连接一输出电阻后连接到B+取样稳压电路。
6.根据权利要求5所述的枕校装置，其特征在于，所述输出电阻为100K欧姆。
7.根据权利要求1或6任一权利要求所述的枕校装置，其特征在于，所述B+取样稳压电路的B+电压经第六电阻(R^9)、第七电阻(R830)与第八电阻(R832)、第九电阻 (J816)、第十电阻(R833)分压取样，向第一芯片(IC802)控制极输入B+偏差取样电压，第一芯片(IC802)输出电流控制信号经光耦反馈至电源初级调控B+电压。
专利摘要本实用新型属于使用阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)的显示器领域，尤其涉及一种CRT显示器水平方向枕形失真的枕校装置。所述一种CRT显示器水平方向枕形失真的枕校装置，其特征在于，所述枕校装置包括解码IC和高压包的引脚B+取样稳压电路，所述解码IC和B+取样稳压电路相连，所述解码IC的枕校输出控制B+取样稳压电路，使所述B+取样稳压电路的B+电压按上凸场频抛物波作小幅度的波动，B+电压的波动使行扫描电流按上凸场频抛物波作小幅度的波动。本实用新型的技术方案具有如下优点或有益效果本实用新型CRT显示器水平方向枕形失真的枕校装置结构简单，成本低廉，实际装机试验的枕形失真达到4％的CRT仍可被校正合格，效果良好。
文档编号H04N3/233GK202103747SQ20102066426
公开日2012年1月4日 申请日期2010年12月14日 优先权日2010年12月14日
发明者许福明, 郑强新 申请人:Tcl集团股份有限公司, 深圳Tcl新技术有限公司