专利名称：通讯装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及具有终端标签、“、和磁性构件而构成的通讯装置。
背景技术：
图3是表示现有的RFID用的通讯装置的结构的模式图。如图3所示，通讯装置1 为使终端标签2、磁片3、用于支承磁片3的基材4、树脂片5得以层叠的结构。还有，虽然未图示，但在各构件间还存在双面胶带和粘着层而使各构件间得以接合。另外如图3所示，树脂片5经由粘着层(未图示)被贴装在例如移动电话6的表在图3所示的通讯装置1上未设置磁片3的结构中，存在以下问题在来自读写器的磁场的作用下，在构成移动电话6的构件上产生涡电流，由涡电流造成的反磁场，会抵消掉无线通讯所需要的磁场。因此如图3这样，将磁片3设于终端标签2的背面侧(移动电话6)侧，磁片3能够将来自读写器的磁通拉到终端标签2侧，使磁通贯通读写器的天线和终端标签2的天线之间，能够使得由终端标签2的天线接收的信号输出功率的衰减量减少， 可以实现RFID特性的提高。先行技术文献专利文献1 国际公开第2007/037494号专利文献2 特开2007-233824号公报专利文献3 特开2006-127424号公报发明要解决的技术问题使用图3所示结构的现有的通讯装置1，更换磁片3的种类，求得共振频率和最大通讯距离。还有，在实验中，首先，以没有在移动电话6上贴装通讯装置1的状态(通讯装置1单体)进行。在实验中，制作使用了以下的表3所示的磁片A D的现有例1 4的各通讯装置。[表 3]
权利要求
1.一种通讯装置，其设置有终端标签和磁性构件，该终端标签用于与外部装置之间进行无线通讯；该磁性构件从所述外部装置相反侧与所述终端标签相对向，其特征在于，所述磁性构件由高μ，层和低μ，层的层叠构造形成，所述高μ，层被设置在所述终端标签侧；所述低μ ’层被设置得比所述高μ ’层更远离所述终端标签侧、且复数相对磁导率的实部μ，比所述高μ，层低、并且厚度尺寸比所述高μ，层厚。
2.根据权利要求1所述的通讯装置，其中，所述高μ，层的复数相对磁导率的实部μ ’在15 100的范围内。
3.根据权利要求1或2所述的通讯装置，其中，所述低μ，层的复数相对磁导率的实部μ ’在1 15的范围内。
4.根据权利要求1 3中任一项所述的通讯装置，其中，在所述高μ ’层的厚度尺寸设为tl、所述低μ ’层的厚度尺寸设为t2时，厚度比即t2/ tl为5 30的范围内。
5.根据权利要求4所述的通讯装置，其中，所述高μ，层的厚度尺寸tl为30 200 μ m的范围内。
全文摘要
本发明提供一种通信装置，其目的在于，尤其与以往相比能够抑制共振频率和最大通讯距离的偏差。在通讯装置10中，设置有终端标签(11)和磁性构件(14)，该终端标签(11)用于与外部装置之间进行无线通讯；该磁性构件(14)从所述外部装置相反侧与所述终端标签(11)相对向，并且，所述磁性构件(14)由高μ’层(12)和低μ’层(13)的层叠构造形成，该高μ’层(12)被设置在所述终端标签(11)侧；该低μ’层(13)被设置得比所述高μ’层(12)更远离所述终端标签(11)侧，且复数相对磁导率的实部μ’比所述高μ’层(12)低，并且厚度尺寸比所述高μ’层(12)厚。
文档编号H04B5/02GK102414699SQ20108001888
公开日2012年4月11日 申请日期2010年5月26日 优先权日2009年5月26日
发明者高桥利男 申请人:阿尔卑斯电气株式会社