专利名称：一种tdd lte塔顶放大器的高性能发射通道的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种TDD LTE塔顶放大器的高性能发射通道。
背景技术：
TD-LTE 即 Time Division Long Term Evolution 是新一代的 4G通信技术，TD-LTE新一代通信技术的特点是:工作频率更高，传输速度更快，携带的信息量更大，要求设备更精巧、可靠性更高，要求有更好的网络通话质量，这些都向器件供应商提出了更苛刻的技术要求。塔顶放大器简称塔放或TMA (Tower Mounted Amplifier),它的用途是提供最接近天线的塔顶接收放大。接收信号放大补偿了从天线到基站的馈线损耗，因而提高了基站的接收灵敏度。而且，通常塔放都有很低的噪声系数，使得基站的噪声系数有更进一步的提高。塔放需要支持旁路功能，以确保在异常状态下通信的畅通。TDD即Time DivisionDuplex (时分双工)塔放的上下行使用相同的频段，需要在塔放内部进行精确的上下行控制。传统的塔顶放大器都是FDD方式的。而采用TDD方式的4G通信系统TD-LTE刚刚开始在全球推广，TDD LTE塔顶放大器更是一种全新的产品，由于TDD方式给塔放的设计带来很高的技术要求，因此目前市面上还没有成熟的产品。
实用新型内容本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种能承受大功率、低损耗、保证低噪声放大器不被烧毁的一种TDD LTE塔顶放大器的高性能发射通道。本实用新型 的目的是通过以下技术方案来实现的:一种TDD LTE塔顶放大器的高性能发射通道，它包括两个λ /4微带线、ANT滤波器和高速开关组件，所述的高速开关组件包括至少三个高速开关SPSTl SPST3，基站BTS的下行输出与两个串联的λ /4微带线的输入端连接，串联λ /4微带线的输出与ANT滤波器相连，ANT滤波器与天线ANT连接，两个λ /4微带线的中点通过高速开关SPST3对地连接，串联λ /4微带线的两个端头分别与高速开关SPSTl和SPST2连接。本实用新型的有益效果是:在发射通道中，高速开关SPST3采用两个PIN 二极管串联反接来实现承受大功率，并具有低插损特性；高速开关SPSTl、SPST2具有高隔离性，以保护接收通道中的低噪声放大器LNA不被发射通道的大功率烧毁。
图1为本实用新型的原理组成框图；图2为本实用新型的第一种电路形式；图3为本实用新型的第二种电路形式；图4为本实用新型的第三种电路形式；[0012]图5为本实用新型的第四种电路形式。
具体实施方式
以下结合附图进一步详细描述本实用新型的技术方案，但本实用新型的保护范围不局限于以下所述。如图1所示，一种TDD LTE塔顶放大器的高性能发射通道，它包括两个λ/4微带线、ANT滤波器和高速开关组件，所述的高速开关组件包括至少三个高速开关SPSTl SPST3，基站BTS的下行输出与两个串联的λ/4微带线的输入端连接，串联λ/4微带线的输出与ANT滤波器相连，ANT滤波器与天线ANT连接，两个λ/4微带线的中点通过高速开关SPST3对地连接，串联λ /4微带线的两个端头分别与高速开关SPSTl和SPST2连接。图2为本实用新型电路结构图之一，发射通道由λ/4微带线Wl、W2、ANT滤波器、二极管D3、D4、D5、D6组成，二极管D3、D4和二极管D5、D6组成两个高速开关，两个高速开关并联，从而提高了接收状态的隔离度；当电路处于发射状态时，控制电压为-5V，所有二极管Dl、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8均处于截止状态，此时基站BTS发出的下行大功率射频信号通过串联的λ /4微带线Wl、W2和ANT滤波器，低损耗的传输至天线ΑΝΤ，由于高速开关SPSTl和SPST2的作用，泄漏到RX通道中的射频功率已经很小，足以满足对接收通道中低噪声放大器LNA的保护要求。图3为本实用新型电路结构图之二，发射通道由λ/4微带线Wl、W2、ANT滤波器、二极管D4、D5、D6、D7组成，二极管D4、D5和二极管D6、D7组成两个高速开关，两个高速开关并联，从而提高了接收状态的隔离度；当电路处于发射状态时，控制电压为+28V，所有二极管Dl、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8均处于截止状态，此时基站BTS发出的下行大功率射频信号通过串联的λ /4微带线Wl、W2和ANT滤波器，低损耗的传输至天线ΑΝΤ，由于高速开关SPSTl、SPST2和二极管D3、D10的作用，泄漏到RX通道中的射频功率已经很小，足以满足对接收通道中低噪声放大器LNA的 保护要求。图4为本实用新型电路结构图之三，发射通道由λ/4微带线Wl、W2、ANT滤波器、二极管D3、D4、D5、D6组成，二极管D3、D4和二极管D5、D6组成两个高速开关，两个高速开关并联，从而提高了接收状态的隔离度；当电路处于发射状态时，控制电压为+5V，所有二极管Dl、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8均处于截止状态，此时基站BTS发出的下行大功率射频信号通过串联的λ /4微带线Wl、W2和ANT滤波器，低损耗的传输至天线ΑΝΤ，由于高速开关SPSTl和SPST2的作用，泄漏到RX通道中的射频功率已经很小，足以满足对接收通道中低噪声放大器LNA的保护要求。图5为本实用新型电路结构图之四，发射通道由λ/4微带线Wl、W2、ANT滤波器、二极管D4、D5、D6、D7组成，二极管D4、D5和二极管D6、D7组成两个高速开关，两个高速开关并联，从而提高了接收状态的隔离度；当电路处于发射状态时，控制电压为+28V，所有二极管Dl、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8均处于截止状态，此时基站BTS发出的下行大功率射频信号通过串联的λ /4微带线Wl、W2和ANT滤波器，低损耗的传输至天线ΑΝΤ，由于高速开关SPSTl和SPST2的作用，泄漏到RX通道中的射频功率已经很小，足以满足对接收通道中低噪声放大器LNA的保护要求。
权利要求1.一种TDD LTE塔顶放大器的高性能发射通道，其特征在于:它包括两个λ/4微带线、ANT滤波器和高速开关组件，所述的高速开关组件包括至少三个高速开关SPSTl SPST3，基站BTS的下行输出与两个串联的λ/4微带线的输入端连接，串联λ/4微带线的输出与ANT滤波器相连，ANT滤波器与天线ANT连接，两个λ /4微带线的中点通过高速开关SPST3对地连接，串联λ /4微带线 的两个端头分别与高速开关SPSTl和SPST2连接。
专利摘要本实用新型公开了一种TDD LTE塔顶放大器的高性能发射通道，它包括两个λ/4微带线、ANT滤波器和高速开关组件，所述的高速开关组件包括至少三个高速开关SPST1～SPST3，基站BTS的输出与两个串联的λ/4微带线的输入端连接，串联λ/4微带线的输出与ANT滤波器相连，ANT滤波器与天线ANT连接，λ/4微带线的中点、基站的后端和ANT滤波器的前端分别通过高速开关SPST3、SPST1和SPST2对地连接。本实用新型的发射通道能够承受大功率、低损耗，接收通道具有高隔离开关组件，从而保护接收通道的低噪声放大器不被发射通道的大功率烧毁。
文档编号H04B7/15GK203104416SQ20122073763
公开日2013年7月31日 申请日期2012年12月28日 优先权日2012年12月28日
发明者周为 申请人:成都泰格微波技术股份有限公司