减少与射频功率耦合器相关的插入损耗影响的电路和方法
【专利摘要】公开了用于减少与射频(RF)功率耦合器相关联的插入损耗影响的电路和方法。在一些实现中，RF电路可包含配置为在第一频带传送第一RF信号的第一路径，和配置为在第二频带传送第二RF信号的第二路径。该RF电路可进一步包含功率检测器，该功率检测器具有配置为检测沿着第一路径的功率的第一耦合器，和配置为检测沿着第二路径的功率的第二耦合器。第一耦合器与第二耦合器可以以菊花链配置连接。该RF电路可进一步包含沿着第一路径和第二路径中的至少一个实现的调节电路。该调节电路可以配置为将与功率检测器相关联的频率响应特征移动到不同的频率范围。
【专利说明】减少与射频功率耦合器相关的插入损耗影响的电路和方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2012年10月29日提交的、名为“用于减少与射频功率耦合器相关联的插入损耗陷波(notch)的电路和方法”的美国临时申请N0.61 / 719,865的优先权，其内容通过引用整体清楚地合并于此。
【技术领域】
[0003]本公开一般涉及减少与射频功率耦合器相关联的插入损耗影响。
【背景技术】
[0004]在一些无线设备中，功率耦合器可用于例如限制用于多个频带的传送信号的最大功率。这样的功率耦合器可以菊花链连接在一起以共享耦接线路，由此在电路板上间隔开。
[0005]这样的结构会造成由于各种相互作用而导致的在高频带与菊花链线路相关联的插入损耗陷波(notch)。如果在给定频带的频率范围内的插入损耗陷波足够大且不能校准，则与这种插入损耗陷波相关联的问题会更加严重。
【发明内容】
[0006]根据多个实现，本公开涉及一种射频(RF)电路，其包含配置为在第一频带传送第
一RF信号的第一路径，和配置为在第二频带传送第二 RF信号的第二路径。该RF电路进一步包含功率检测器，该功率检测器具有配置为检测沿着第一路径的功率的第一耦合器，和配置为检测沿着第二路径的功率的第二耦合器。第一耦合器与第二耦合器以菊花链配置连接。该RF电路进一步包含沿着第一路径和第二路径中的至少一个实现的调节电路。调节电路配置为将与功率检测器相关联的频率响应特征移动到不同的频率范围。
[0007]在一些实施例中，调节电路可以使第二路径的一部分。第一路径和第二路径中的每一个可以包含功率放大器(PA)、连接至PA的输出匹配网络、和相应的功率耦合器。第二路径可进一步包含在输出匹配网络和第二功率耦合器之间实现的调节电路。该调节电路可以包含在输出匹配网络和第二功率耦合器之间实现的电感，例如电感器。该调节电路可以进一步包含与该电感串联连接的电容，例如电容器。
[0008]在一些实施例中，输出匹配网络可包含连接到PA的输出的匹配电感，和连接到匹配电感的输出的分路电容。
[0009]在一些实施例中，频率响应特征可以包含与功率检测器相关联的功率频谱中的陷波。在一些实施例中，第一频带可包含E-UTRA频带B7，B38或MO。第二频带可包含E-UTRA频带B18或B8。
[0010]在一些实施例中，不同的频率范围可包含第一或第二路径未使用的范围。在一些实施例中，该不同的频率范围可包含在E-UTRA频带B8和B4之间的频率范围。在一些实施例中，调节电路可配置为将陷波移动到更低的频率。在一些实施例中，陷波移动到的更低的频率可以在与第一频带和第二频带相关联的频率之间。[0011]在一些实施例中，本公开涉及一种射频(RF)模块，其包括配置为容纳多个部件的封装基板和实现在封装基板上的RF电路。该RF电路包含配置为在第一频带传送第一 RF信号的第一路径，和配置为在第二频带传送第二 RF信号的第二路径。该RF电路还包含功率检测器，该功率检测器具有配置为检测沿着第一路径的功率的第一耦合器，和配置为检测沿着第二路径的功率的第二耦合器。该第一耦合器和该第二耦合器以菊花链配置连接。该RF电路还包含沿着所述第一路径和第二路径中的至少一个实现的调节电路。该调节电路配置为将与功率检测器相关联的频率响应特征移动到不同的频率范围。
[0012]在一些实施例中，RF模块可以是功率放大器模块,从而所述第一路径包含第一功率放大器(PA)的输出并且所述第二路径包含第二 PA的输出。在一些实施例中，第一和第
二PA两者都可以在半导体芯片上实现。
[0013]根据多种实施方式，本公开涉及一种射频(RF)设备，其包括配置为处理RF信号的收发器，和与该收发器通信并且配置为便利于放大的RF信号的传送的天线。该RF设备进一步包含连接至收发器并配置为生成放大的RF信号的功率放大器(PA)模块。该PA模块包含配置为在第一频带传送第一 RF信号的第一路径，和配置为在第二频带传送第二 RF信号的第二路径。该PA模块还包含功率检测器，该功率检测器具有配置为检测沿着第一路径的功率的第一耦合器，和配置为检测沿着第二路径的功率的第二耦合器。该第一耦合器和该第二耦合器以菊花链配置连接。该PA模块还包含沿着所述第一路径和第二路径中的至少一个实现的调节电路。该调节电路配置为将与功率检测器相关联的频率响应特征移动到不同的频率范围。在一些实施例中，RF设备可以包含无线设备。
[0014]在许多教导中，本公开涉及一种射频(RF)电路，其包括第一电路，该第一电路具有包含所选频率范围中的特征的频率响应。RF电路还包含第二电路，该第二电路耦接至该第一电路，从而所述频率响应的特征至少一部分归因于该耦接。RF电路还包含配置为将该特征从所选频率范围移走的调节电路。
[0015]在一些实施例中，所述特征例如插入损耗陷波，其可被移至更低的频率。
[0016]根据多种实现，本公开涉及一种用于操作射频(RF)设备的方法。该方法包括检测沿着菊花链配置中的第一路径和第二路径的功率。该第一路径被配置为在第一频带传送第一 RF信号，该第二路径被配置为在第二频带传送第二 RF信号。该方法还包含调节第一路径和第二路径中的至少一个，以将与功率检测相关联的频率响应特征移动到不同的频率范围。
[0017]在一些实现中，本公开涉及一种用于操作射频(RF)设备的方法。该方法包括耦接第一电路和第二电路，所述第一电路具有包含所选频率范围中的特征的频率响应。该频率响应的该特征至少一部分归因于该耦接。该方法还包含调节第二电路以将该特征从所选频率范围移走。
[0018]为了概括本公开，此处已经描述了本发明的某些方面、优点和创新的特征。应当理解，依据本发明的任何特定实施例无需实现所有这些优点。因此，本发明可以以如下的方式实施或执行，该方式获得或优化此处教导的一个优点或一组优点，而无需实现此处教导或建议的其它优点。
【专利附图】
【附图说明】[0019]图1A和IB示出在一些配置中射频(RF)电路会在感兴趣的频带中产生不期望的响应。
[0020]图2A和2B示出在一些实施方式中可以向图1的RF电路提供调节电路以将不期望的响应从感兴趣的频带移走。
[0021]图3示出会在操作频带中产生不期望的响应的示例RF电路。
[0022]图4A-4C示出在与图3的示例电路相关联的频率响应中的各种陷波的示例。
[0023]图5A和5B示出每一个都具有配置为将陷波响应从操作频带移走的调节电路的RF电路的示例。
[0024]图6示出图5的调节电路的示例。
[0025]图7示出图5的调节电路的另一个示例。
[0026]图8示出由于调节电路而从操作频带移走的陷波响应的示例。
[0027]图9和10示出对于一个示例操作频带包含调节电路可以基本维持插入损耗性能。
[0028]图11和12示出对于另一个操作频带包含调节电路可以基本维持插入损耗性能的另一个示例。
[0029]图13示出可被实现以操作具有如此处所描述的一个或多个特征的RF设备的处理。
[0030]图14示出可被实现以操作具有如此处所描述的一个或多个特征的RF设备的另一个处理。
[0031]图15示出在一些实施例中本公开的一个或多个特征可在RF模块中实现。
[0032]图16A和16B示出在一些实施例中本公开的一个或多个特征可在无线设备中实现。
【具体实施方式】
[0033]此处提供的标题(如果有的话)仅仅是为了方便，并非必定影响所要求的发明的范围或涵义。
[0034]图1A示意性地描述了射频(RF)电路10，其可以被配置为接收RF信号(RF_in)并产生输出信号(RF_out)。在一些情况中，并且如图1B所示，这样的电路可产生包含在所选频率范围20内的不期望的减少或增加的频率响应。例如，示出频率响应曲线12包含波峰14，其部分存在于频率范围20内并超过阈值16。在另一个示例中，示出频率响应曲线32包含波谷34，其部分存在于频率范围20内并低于阈值36。
[0035]图2A示出在一些实施例中，RF电路100可包括调节电路102。此处为了描述的目的，将假设不具有调节电路102的RF电路100可与参照图1A和IB描述的RF电路类似地表现。
[0036]示出存在调节电路102以产生调节后的频率响应，并且在图2B中描述了该调节的示例。例如，与图1B的示例响应曲线12对应的频率响应曲线112被示出为包含已被移出频率范围20的波峰114。因此，响应曲线112在频率范围20内的部分低于阈值16。在另一个示例中，与图1B的示例响应曲线32对应的频率响应曲线132被示出为包含已被移出频率范围20的波谷134。因此，响应曲线132在频率范围20内的部分高于阈值36。
[0037]在图2B中，示例波峰114和示例波谷134被描述为被移至(如箭头118，138)更低的频率。然而，将理解，可以进行该移动至更高的频率。
[0038]图3示出了示例RF电路10，其可以从如此处描述的一个或多个特征受益。电路10总体涉及用于RF设备的功率耦合器，例如无线手机。这样的功率耦合器可用来，例如，限制无线设备的最大发送功率或比吸收率(SAR)。
[0039]在示例电路10中，功率耦合器组件可以总体指示为70并且被配置为对于两个示例频带A和B提供功率检测功能。第一频带A(例如高频带)被示出为由路径A来促成(facilitate)，路径A包含用于功率放大器(PA) 50a的RF输入端(RFIN_A)。PA50a可包括一个或多个级，并且最后一级的输出被示出为连接至输出匹配网络60a。尽管图3中没有示出，但路径A还可以包括输入匹配网络和/或一个或多个级间匹配网络。匹配网络60a的输出被示出为在被提供至双工器80a之前与功率耦合元件耦接，双工器80a配置为使用一个或多个连接至节点ANT_A的天线在(例如通过路径A的放大的RF信号的)发送和(例如至RX_P_A和RX_N_A的接收信号的)接收之间提供双工功能。
[0040]类似地，第二频带B (例如低频带)被示出为由路径B来促成，路径B包含用于功率放大器(PA) 50b的RF输入(RFIN_B)。PA50b可包括一个或多个级，并且最后一级的输出被示出为连接至输出匹配网络60b。尽管图3中没有示出，但路径B还可包括输入匹配网络和/或一个或多个级间匹配网络。匹配网络60b的输出被示出为在被提供至双工器80b之前与功率耦合元件耦接，双工器80b配置为使用一个或多个连接至节点ANT_B的天线在(例如通过路径B的放大的RF信号的)发送和(例如至RX_P_B和RX_N_B的接收信号的)接收之间提供双工功能。
[0041]在示例电路10中，PA50a，50b被示出为由偏置/控制电路52偏置和控制。在一些实施例中，这类偏置和/或控制操作可以已知的方式来实施。
[0042]在示例电路10中，每个频带的耦合器输出可使用功率组合器电路(未示出)或菊花链组合到一起，其中每个耦合器共用一条耦接线路。可以使用菊花链设计以例如比功率组合设计更加节省电路板(例如电话板)上的空间。
[0043]在一些配置中，利用菊花链耦合器的在低频带PA的输出处的功率检测会由于输出匹配网络、耦合器和/或双工器的相互作用而在菊花链线路中在高频带产生插入损耗陷波。在一些情况中，在高频带与低频带共存的设计中，该问题会更加严重。陷波深度可以变化，且可以等于或大于收发器检测器的动态范围，并且因此通常在电话板校准期间不能校出。在示例双频带配置的环境中，会产生两个前述的菊花链陷波。
[0044]图4A-4C示出了频率响应中陷波的示例，其在存在两个RF路径(路径A和路径
B)中的一个或两者的情况下可以导致菊花链耦合器(例如图3中的70)。在图4A中，对于前向功率频谱，按照S参数S21示出了菊花链耦合器组件的模拟响应和测量响应。该菊花链耦合器组件可用于示例的双频带PA电路。在两个响应中，深并且显著的陷波出现在大约
2.0至2.6GHz的频率范围内。该范围可以包括例如B7、B34、B38和B40的E_UTRA(演进的通用陆地无线接入)操作频带，或与该操作频带重叠。
[0045]在图4B中，对于前向功率频谱，按照S参数S21示出了类似的菊花链耦合器组件的模拟响应和测量响应。该菊花链耦合器组件用于另一个示例的双频带PA电路。在两个响应中，深并且显著的陷波出现在大约2.0至2.6GHz的频率范围内。该范围可以包括例如B7、B34、B38和B40的E-UTRA操作频带，或与该操作频带重叠。[0046]在图4C中，示出了对于S21在前向功率频谱中的示例陷波和示例的对应的回波损耗(RL)波峰，以在大约2.0GHz的频率及其周围处提供显著的劣化。该频率范围可较大地与例如BI的操作频带重叠，并由此影响该操作频带。
[0047]完全消除上述菊花链陷波的无损方法基本上还没有获得成功。此处描述的是用于将该陷波从操作频带移动到其中陷波对于该操作频带的影响减少或基本消除的频率范围的电路和方法的各种示例。在一些实现中，陷波移动到的该频率范围可以包括未使用的频率范围。在一些实现中，该未使用的频率范围对于给定的无线设备可以是完全未使用的。在一些实现中，该未使用的频率范围可以包括在该操作频带中的操作期间未被使用、但可以在另一个操作模式中使用的范围。
[0048]图5A和5B示出了与图3的示例电路10相似、但是在给定的RF信号路径中配备有调节电路102的电路的示例。此处将更加详细地描述该调节电路102的示例。图5A示出了本发明的一个或多个特征可在具有类似于图3的示例的两个RF信号路径的配置中实现。图5B示出了本发明的一个或多个特征可在具有两个以上的RF信号路径的配置中实现。
[0049]图5A中所示的示例配置与图3中的配置类似，但添加了具有此处描述的一个或多个特征的调节电路102a，102b。此处更加详细的描述电路段150a、150b的示例，电路段150a、150b每一个包括其相应的PA50的最后一级(对于电路段150a为50a，以及对于电路段150b为50b)、输出匹配网络60 (对于电路段150a为60a，以及对于电路段150b为60b)、以及调节电路102 (对于电路段150a为102a，以及对于电路段150b为102b)。
[0050]图5B中示出的示例配置与图5A的配置类似，但添加了第三RF信号路径(路径
C)以及对应的调节电路102c。此处更加详细的描述电路段150a、150b、150c的示例，电路段150a、150b、150c每一个包括其相应的PA50的最后一级、输出匹配网络60、以及调节电路102。
[0051]在图5A和5B的示例中，每一个RF路径被示出为包括调节电路102。在一些实现中，不是所有的RF路径都需要具有该调节电路。例如，高频带耦合器通常不会在感兴趣的频率或频率范围(例如0.5至2.6GHz)内造成问题。由该高频带耦合造成的陷波响应通常位于高得多的频率处(例如，大约5.5GHz)。因此，在该示例配置中，高频带RF路径可以具有或可以不具有调节电路102。
[0052]图6示出了参照图5A和5B描述的电路段150的示例。在一些实施例中，可对于图5A的电路段150a和150b、以及图5B中的电路段150a_150c中的每一个实施图6的电路段150。在示例中，被放大的RF信号被示出为提供至与PA的最后一级(图5A和5B中的50)相关联的双极结型晶体管(BJT)的基极。BJT的集电极被不出为提供PA的最后一级的输出，且该输出信号被示出为通过输出匹配网络60匹配。应当理解，在PA50中还可以使用其它类型的晶体管。
[0053]示例输出匹配网络60被输出为包括沿着连接至BJT的集电极的路径的电感LI (例如电感器)。输出匹配网络60被输出为还包括在电感LI的输出大地之间的分路电容Cl (例如电容器)。在一些实现中，可以提供电容从而与电感LI串联。应当理解，还可使用其它类型的输出匹配网络。
[0054]图6示出了在一些实现中，调节电路102可以包括与电感LI串联的电感L2(例如电感器)。因此，放大的信号在被提供至耦合段(例如图5A和5B中的菊花链耦合器70的相应部分)之前，可以从BJT的集电极传播，经过LI，并经过L2。
[0055]图7示出了参照图5A和5B描述的电路段150的另一个示例。在该示例中，PA50的最后一级和输出匹配网络60可以与参照图6所描述的那些类似。
[0056]图7示出了在一些实现中，调节电路102可以包括电感L2(例如电感器)和与电感LI串联连接的电容C2(例如电容器)。因此，放大的信号在被提供至耦合段(例如图5A和5B中的菊花链耦合器70的各自的部分)之前，可以从BJT的集电极传播，经过LI，经过L2、并经过C2。
[0057]在一些实现中，调节电路102的上述示例中的一些或全部可被配置为修正输出匹配网络的带外阻抗，以将与菊花链耦合器组件相关联的陷波频率移移动(shift)至，例如，在频带8和频带4 (例如0.960至1.710GHz)之间未被使用的频率范围。在一些实现中，图7的串联LC电路102可被配置为提供上述的功能，同时比图6的仅有电感的电路102更好地减少或最小化例如插入损耗和频率平坦度的其它性能参数的退化。
[0058]在一些实现中，图6和7的调节电路102的每一个可以取代沿着RF信号路径提供的、在输出匹配网络60之后但在功率耦合段之前的电容(未示出)。此处将更加详细的描述该替换及有益效果的示例。
[0059]图8示出了如何可以将覆盖一个或多个操作频带或与该一个或多个操作频带重叠的陷波移动至例如频带8和频带4之间的上述示例范围的未被使用频率范围的示例。与图3的电路对应的曲线160被输出为包括陷波162，其在不期望地覆盖频带B7、B38和B40或与该频带重叠的频率范围内具有比示例阈值低_2dB的值。
[0060]在图8的示例中，曲线170和180被输出为具有其各自的、移至B8和B4频带之间的未被使用的频率范围内的陷波172、182。曲线170，180覆盖上述B7 / B38 / B40频带或与该频带重叠的部分显示为具有大大高于_2dB阈值的数值。
[0061]箭头164示出了近似的增益，其可在曲线160的陷波162和示例曲线180的大致变平坦的响应之间获得。代表功率检测动态范围(例如4dB)的箭头166示出了未调节的陷波162不期望地接近于超过该动态范围，而移动后的陷波172、182则很好地落在该动态范围内。因此，如果对于响应170、180中的一个或者两个期望校准，则其可以被实现。
[0062]其陷波172被移出操作频带B7 / B38 / B40的示例响应曲线170对应于为示例低频带B18信号路径提供的图7中的调节电路102。输出匹配网络60的分路电容Cl具有大约7.6pF的值。调节电路102的电感L2和电容C2分别具有大约4.3nH和5.6pF的值。调节电路102取代沿着信号路径、在输出匹配网络60的输出处的大约18pF的电容(未示出)。在图7的示例中，LI是输出匹配电感(例如电感线圈)，其可以实现为迹线(trace)而不是明显的表面安装部件。电感LI在示例中具有大约2.3nH的值，其通常不响应于调节电路102的引入而改变。
[0063]其陷波182被移出操作频带B7 / B38 / B40的示例响应曲线180对应于为示例低频带B8信号路径提供的图7中的调节电路102。输出匹配网络60的分路电容Cl具有大约6.8pF的值。调节电路102的电感L2和电容C2分别具有大约4.7nH和5.1pF的值。调节电路102取代沿着信号路径、在输出匹配网络60的输出处的大约18pF的电容(未示出)。
[0064]图9-12示出了此处所述的调节电路可以提供期望的陷波移动功能(例如图8)，而在其它区域没有明显的性能劣化。图9和10分别示出具有(例如图8的曲线170)和不具有(例如图8的曲线160)调节电路的情况下，对于示例低频带B18信号路径的Sll参数的Smith图表。图11和12分别示出了具有(例如图8的曲线180)和不具有(例如图8的曲线160)调节电路的情况下，对于示例低频带B8信号路径的Sll参数的Smith图表。对于所有上述的示例配置，每个信号路径具有大约500hms的负载阻抗。
[0065]对于B18频带的示例(图9和10)，在三个频率处获得输入阻抗(Zin)测量，并且结果列于表1中。可以看出，具有调节电路的情况下对于B18信号路径的Zin值优于不具有调节电路的情况下对于B18信号路径的那些Zin值。
[0066]
【权利要求】
1.一种射频(RF)电路，包括: 第一路径，配置为在第一频带传送第一 RF信号； 第二路径，配置为在第二频带传送第二 RF信号；
功率检测器，包含配置为检测沿着第一路径的功率的第一耦合器，该功率检测器进一步包含配置为检测沿着第二路径的功率的第二耦合器，该第一耦合器和该第二耦合器以菊花链配置连接；以及 调节电路，沿着所述第一路径和第二路径中的至少一个实现，该调节电路配置为将与功率检测器相关联的频率响应特征移动到不同的频率范围。
2.如权利要求1的RF电路，其中所述调节电路是第二路径的一部分。
3.如权利要求2的RF电路，其中所述第一路径和第二路径中的每一个包含功率放大器(PA)、连接至PA的输出匹配网络、以及相应的功率耦合器，所述第二路径进一步包含在输出匹配网络和第二功率耦合器之间实现的调节电路。
4.如权利要求3的RF电路，其中所述调节电路包含在输出匹配网络和第二功率耦合器之间实现的电感。
5.如权利要求4的RF电路，其中所述电感包含电感器。
6.如权利要求4的RF电路，其中所述调节电路进一步包含与所述电感串联连接的电容。
7.如权利要求6的RF电路，其中所述电容包含电容器。
8.如权利要求3的RF电路，其中所述输出匹配网络包含连接到PA输出的匹配电感，以及连接到匹配电感的输出的分路电容。
9.如权利要求1的RF电路，其中所述频率响应特征包含与功率检测器相关联的功率频谱中的陷波。
10.如权利要求1的RF电路，其中所述第一频带包含E-UTRA频带B7、B38或B40。
11.如权利要求10的RF电路，其中所述第二频带包含E-UTRA频带B18或B8。
12.如权利要求11的RF电路，其中所述不同的频率范围包含第一或第二路径未使用的范围。
13.如权利要求12的RF电路，其中所述不同的频率范围包含在E-UTRA频带B8和B4之间的频率范围。
14.如权利要求9的RF电路，其中所述调节电路配置为将陷波移动到更低的频率。
15.如权利要求14的RF电路，其中所述陷波移动到的更低的频率在与第一频带和第二频带相关联的频率之间。
16.一种射频(RF)模块，包括: 封装基板，配置为容纳多个部件；以及 实现在所述封装基板上的RF电路，该RF电路包含配置为在第一频带传送第一 RF信号的第一路径，该RF电路还包含配置为在第二频带传送第二 RF信号的第二路径，该RF电路还包含功率检测器，该功率检测器具有配置为检测沿着第一路径的功率的第一耦合器，和配置为检测沿着第二路径的功率的第二耦合器，该第一耦合器和该第二耦合器以菊花链配置连接，该RF电路还包含沿着所述第一路径和第二路径中的至少一个实现的调节电路，该调节电路配置为将与功率检测器相关联的频率响应特征移动到不同的频率范围。
17.如权利要求16的RF模块，其中所述RF模块为功率放大器模块，从而所述第一路径包含第一功率放大器(PA)的输出并且所述第二路径包含第二 PA的输出。
18.如权利要求17的RF模块，其中所述第一和第二PA两者都在半导体芯片上实现。
19.一种射频(RF)设备，包括: 收发器，配置为处理RF信号； 与该收发器通信的天线，该天线配置为便利于放大的RF信号的传送；以及 连接至该收发器的功率放大器(PA)模块，该PA模块配置为生成放大的RF信号，该PA模块包含配置为在第一频带传送第一 RF信号的第一路径，该PA模块还包含配置为在第二频带传送第二 RF信号的第二路径，该PA模块还包含功率检测器，该功率检测器具有配置为检测沿着第一路径的功率的第一耦合器，和配置为检测沿着第二路径的功率的第二耦合器，该第一耦合器和该第二耦合器以菊花链配置连接，该PA模块还包含沿着所述第一路径和第二路径中的至少一个实现的调节电路，该调节电路配置为将与功率检测器相关联的频率响应特征移动到不同的频率范围。
20.如权利要求19的RF设备，其中该RF设备包括无线设备。
21.一种射频(RF)电路，包括: 第一电路，具有包含所选频率范围中的特征的频率响应； 第二电路，耦接至该第一电路，从而所述频率响应的所述特征至少一部分归因于该耦接；以及 调节电路，配置为将该特征从所选频率范围移走。
22.如权利要求21的RF电路，其中所述特征被移至更低的频率。
23.一种用于操作射频(RF)设备的方法，该方法包括: 检测沿着菊花链配置中的第一路径和第二路径的功率，该第一路径被配置为在第一频带传送第一 RF信号，该第二路径被配置为在第二频带传送第二 RF信号；以及 调节该第一路径和第二路径中的至少一个，以将与功率检测相关联的频率响应特征移动到不同的频率范围。
24.一种用于操作射频(RF)设备的方法，该方法包括: 耦接第一电路和第二电路，该第一电路具有包含所选频率范围中的特征的频率响应，该频率响应的该特征至少一部分归因于该耦接；以及 调节该第二电路以将该特征从所选频率范围移走。
【文档编号】H04B1/7097GK103916159SQ201310757341
【公开日】2014年7月9日 申请日期:2013年10月29日 优先权日:2012年10月29日
【发明者】R·A·赖斯纳, J·C·巴尔德文 申请人:天工方案公司