具有电压抑制功能的对讲机保护电路的制作方法

文档序号:14522416阅读:135来源:国知局

本发明涉及通信设备,具体是具有电压抑制功能的对讲机保护电路。



背景技术:

对讲机是一种双向移动通信工具,主要应用于团体成员间的联络和指挥调度,以提高沟通效率和提高处理突发事件的快速反应能力。现有对讲机内芯片常常会因整流输出的电压过高而损坏,这就造成大量资源浪费。



技术实现要素:

本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供了能抑制输入对讲机内电压过高的具有电压抑制功能的对讲机保护电路。

本发明的目的主要通过以下技术方案实现:具有电压抑制功能的对讲机保护电路,包括电阻一、电阻二、反相器及p沟道增强型绝缘栅型场效应管一,所述电阻一两端分别与p沟道增强型绝缘栅型场效应管一漏极和电阻二连接,p沟道增强型绝缘栅型场效应管一的源极接地,所述电阻二相对连接电阻一端的另一端与反相器的输入端连接,反相器的输出端与p沟道增强型绝缘栅型场效应管一栅极连接,所述p沟道增强型绝缘栅型场效应管一漏极与电阻一之间的线路上连接有直流电压输入线。本发明中的直流电压输入线接收对讲机整流后的电压,输入的电压经过本发明处理后从电阻一与电阻二之间线路上外接的线路输出。

具有电压抑制功能的对讲机保护电路,还包括n沟道增强型绝缘栅型场效应管一、n沟道增强型绝缘栅型场效应管二及n沟道增强型绝缘栅型场效应管三,所述n沟道增强型绝缘栅型场效应管一、n沟道增强型绝缘栅型场效应管二及n沟道增强型绝缘栅型场效应管三三者的栅极均连接在电阻一与电阻二之间的线路上,所述n沟道增强型绝缘栅型场效应管一漏极与电阻二和反相器之间的线路连接,n沟道增强型绝缘栅型场效应管二的源极和漏极分别与n沟道增强型绝缘栅型场效应管三漏极和n沟道增强型绝缘栅型场效应管一源极连接,n沟道增强型绝缘栅型场效应管三源极接地。

所述电阻一为压敏电阻,电阻二为可调电阻。本发明通过压敏电阻的作用,能进一步对本发明进行过压保护;本发明可通过可调电阻对本发明中作用于p沟道增强型绝缘栅型场效应管一栅极的电压进行调控,进而对泄放电压进行调控。

与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:本发明整体结构简单,便于实现,且本发明在工作时若电压过高,可通过p沟道增强型绝缘栅型场效应管一进行泄压,进而能避免对讲机输入电压过高。

附图说明

图1为本发明实施例的结构示意图。

附图中附图标记所对应的名称为:r1—电阻一,r2—电阻二,p1—p沟道增强型绝缘栅型场效应管一,n1—n沟道增强型绝缘栅型场效应管一,n2—n沟道增强型绝缘栅型场效应管二,n3—n沟道增强型绝缘栅型场效应管三,n4—n沟道增强型绝缘栅型场效应管四,inv1—反相器,1—直流电压输入线。

具体实施方式

下面结合实施例及附图对本发明作进一步的详细说明,但本发明的实施方式不限于此。

实施例:

如图1所示,具有电压抑制功能的对讲机保护电路,包括电阻一r1、电阻二r2、反相器inv1及四个mos管,其中,电阻一r1为压敏电阻,电阻二r2为可调电阻,四个mos管包括一个pmos管和三个nmos管,其中,一个pmos管为p沟道增强型绝缘栅型场效应管一p1,三个nmos管分别为n沟道增强型绝缘栅型场效应管一n1、n沟道增强型绝缘栅型场效应管二n2及n沟道增强型绝缘栅型场效应管三n3。电阻一r1两端分别与p沟道增强型绝缘栅型场效应管一p1漏极和电阻二r2连接,p沟道增强型绝缘栅型场效应管一p1的源极接地,电阻二r2相对连接电阻一r1端的另一端与反相器inv1的输入端连接,反相器inv1的输出端与p沟道增强型绝缘栅型场效应管一p1栅极连接,p沟道增强型绝缘栅型场效应管一p1漏极与电阻一r1之间的线路上连接有直流电压输入线1。

n沟道增强型绝缘栅型场效应管一n1、n沟道增强型绝缘栅型场效应管二n2及n沟道增强型绝缘栅型场效应管三n3三者的栅极均连接在电阻一r1与电阻二r2之间的线路上,n沟道增强型绝缘栅型场效应管一n1漏极与电阻二r2和反相器inv1之间的线路连接,n沟道增强型绝缘栅型场效应管二n2的源极和漏极分别与n沟道增强型绝缘栅型场效应管三n3漏极和n沟道增强型绝缘栅型场效应管一n1源极连接,n沟道增强型绝缘栅型场效应管三n3源极接地。

以上所述的具体实施方式,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施方式而已,并不用于限定本发明的保护范围,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。



技术特征:

技术总结
本发明公开了具有电压抑制功能的对讲机保护电路,包括电阻一、电阻二、反相器及P沟道增强型绝缘栅型场效应管一,电阻一两端分别与P沟道增强型绝缘栅型场效应管一漏极和电阻二连接,P沟道增强型绝缘栅型场效应管一的源极接地,电阻二相对连接电阻一端的另一端与反相器的输入端连接,反相器的输出端与P沟道增强型绝缘栅型场效应管一栅极连接,P沟道增强型绝缘栅型场效应管一漏极与电阻一之间的线路上连接有直流电压输入线。本发明采用上述结构,整体结构简单,便于实现,且本发明能在输入过高时进行泄压,从而避免输入对讲机内芯片的电压过高而导致芯片损坏。

技术研发人员:曾国春
受保护的技术使用者:曾国春
技术研发日:2016.11.11
技术公布日:2018.05.25
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