多通道光发射组件的制作方法

文档序号:34215201发布日期:2023-05-17 21:29阅读:94来源:国知局
多通道光发射组件的制作方法

本发明涉及一种光通信装置,特别是一种多通道光发射组件。


背景技术:

1、在现代高速通讯网络中,通常有光通信器件安装于电子通信设备中。随着通信系统的升级和各种因特网服务对通讯带宽需求的快速增加,现有通信系统存在着内部容置空间不足和能耗大的两大问题需要克服。如何在提升带宽和传输速率的前提下提供小尺寸、高内部空间利用率以及低能耗的通讯系统,是本技术领域目前重要的课题之一。

2、在部分大带宽应用的通信系统中,如数据中心和ftth调制解调器,为了提高信号传输效率以及传输距离,会额外配置光调制器用以调整光信号的功率、相位或偏振。对于现有的光通信系统,光调制器基于成本考虑多选用硅基调制器,这是因为如光发射器、透镜、光隔离器等光组件可以和硅基调制器整合于一个封装结构中,因而有利于光通信系统的小型化。然而,随着光通信系统朝向高功率与多通道发展,光组件若整合于封装结构中会不利于散热,且硅基调制器的调制能力也难以满足需求,但是若为了散热考虑将光组件移出封装结构,会导致系统整体体积过大而不能符合原本小型化的需求。


技术实现思路

1、本发明在于提供一种多通道光发射组件,有助于解决现有光发射组件需要兼顾小型化、大带宽应用需求以及信号调制效果好的问题。

2、本发明所揭露的多通道光发射组件包含一基座、至少一光发射单元、一光调制芯片以及一光传输件。光发射单元设置于基座。光调制芯片设置于基座。光调制芯片包含一封装结构以及位于封装结构内的一薄膜铌酸锂调制器。薄膜铌酸锂调制器与光发射单元光耦合,且光发射单元位于封装结构外部。光传输件与薄膜铌酸锂调制器光耦合。

3、根据本发明揭露的多通道光发射组件,薄膜铌酸锂调制器具有体积小以及调制效率高的优点。采用薄膜铌酸锂调制器的光调制芯片能可实现单通道100g以上的速率。将此光调制芯片应用到光通信系统中能大幅降低系统制造本以及提升传输表现。由于薄膜铌酸锂调制器的小体积优势,可以在维持多通道光发射组件小型化的同时将部分光组件如光发射单元摆放在外部,而不需要整合至光调制芯片中,因此这些摆放在外部的光组件可以良好散热。

4、以上的关于本
技术实现要素:
的说明及以下的实施方式的说明系用以示范与解释本发明的精神与原理,并且为本发明的保护范围提供更进一步的解释。



技术特征:

1.一种多通道光发射组件,其特征在于,包含:

2.如权利要求1所述的多通道光发射组件,其特征在于,更包含与该光调制芯片电连接的一驱动电芯片,且该驱动电芯片位于该基座外部。

3.如权利要求1所述的多通道光发射组件,其特征在于,其中该光调制芯片更包含一分光器,且该分光器位于该薄膜铌酸锂调制器的一光输入端。

4.如权利要求3所述的多通道光发射组件,其特征在于,其中该光传输件为设置于该基座的一光纤阵列,且该光纤阵列位于该封装结构外部。

5.如权利要求1所述的多通道光发射组件,其特征在于,更包含设置于该基座的一波分复用器,该波分复用器与该光调制芯片的该薄膜铌酸锂调制器光耦合,且该波分复用器位于该封装结构外部。

6.如权利要求1所述的多通道光发射组件,其特征在于,其中该光调制芯片更包含一波分复用器,该波分复用器与该薄膜铌酸锂调制器光耦合,且该波分复用器位于该封装结构内。

7.如权利要求1所述的多通道光发射组件,其特征在于,其中该至少一光发射单元的数量为多个,且多个该光发射单元的光波长不同。

8.如权利要求1所述的多通道光发射组件,其特征在于,其中该至少一光发射单元发出的光为红外光。

9.如权利要求1所述的多通道光发射组件,其特征在于,其中该光传输件为一单芯光纤,该单芯光纤与该光调制芯片的该薄膜铌酸锂调制器光耦合。

10.如权利要求1所述的多通道光发射组件,其特征在于,该基座为金属材质。

11.如权利要求1所述的多通道光发射组件,其特征在于,每一通道的速率为100g以上。


技术总结
本发明提供一种多通道光发射组件,包含基座、至少一光发射单元、光调制芯片及光传输件;光发射单元设置于基座;光调制芯片设置于基座;光调制芯片包含封装结构以及位于封装结构内的薄膜铌酸锂调制器;薄膜铌酸锂调制器与光发射单元光耦合,且光发射单元位于封装结构外部;光传输件与薄膜铌酸锂调制器光耦合。

技术研发人员:罗建洪,蒋栋彪,章娟,邵嘉杭
受保护的技术使用者:宁波环球广电科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/12
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