RIS能力报告的制作方法

本文公开的主题总体上涉及无线通信，并且更具体地涉及用于ris能力报告的方法和装置。

背景技术：

1、在此定义了以下缩写词，在以下描述内提及其中的至少一些：新无线电(nr)、超大规模集成(vlsi)、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、可擦除可编程只读存储器(eprom或闪存存储器)、压缩光盘只读存储器(cd-rom)、局域网(lan)、广域网(wan)、用户设备(ue)、演进型节点b(enb)、下一代节点b(gnb)、上行链路(ul)、下行链路(dl)、中央处理单元(cpu)、图形处理单元(gpu)、现场可编程门阵列(fpga)、正交频分复用(ofdm)、无线电资源控制(rrc)、用户实体/设备(移动终端)、发射器(tx)、接收器(rx)、可重构智能表面(ris)、大型智能表面(lis)、智能反射表面(irs)、视线(los)、非视线(nlos)、正-本征-负(pin)。

2、可重构智能表面(ris)——其可以被可替选地称为大型智能表面(lis)、智能反射表面(irs)或智能超表面——是一种新兴的技术。ris是一种大而薄的金属或介电材料的超表面，由具有专门设计的物理结构的无源亚波长散射元件阵列组成。这些元件可以以软件定义的方式进行控制以改变入射射频(rf)信号的反射的电磁(em)属性(例如，相移)。通过所有散射元件的联合相位控制，可以实时地任意调谐入射rf信号的反射的辐射图案，从而为整体无线网络性能的优化创建新的自由度。ris可以有效地实时控制电磁波的响应，并且被认为是用于6g系统的潜在关键技术之一。

3、高频带(例如，太赫兹频带)可能会给5g nr并且甚至6g带来一些问题，包括额外的阻塞损耗、较小的覆盖半径和高能耗。ris可以通过部署可编程表面来构建无线电环境，当los路径被阻塞时，通过该可编程表面构建强大的nlos路径。ris可以像中继一样工作以扩展覆盖半径。ris的典型场景是覆盖增强，包括盲点覆盖增强和半径增强，如图1中所图示。一种典型的ris部署是在基站处计算控制信号，例如，ris的反射系数相关信息，并且然后通过专用反馈链路发送到ris的控制器。特别是针对不同的频带，可以采用不同的ris类型和不同的ris结构。例如，在较低频带中可以采用基于二极管的结构，而在较高频带中可以采用基于超原子的结构。不同的ris结构和不同的ris参数对应于不同的反射系数信息。有必要使ris能够将ris能力(即，ris参数)报告给基站以进行反射系数计算。

4、本发明的目标在于基于不同的ris结构向基站发送ris能力或ris参数。

技术实现思路

1、公开了用于ris能力报告的方法和装置。

2、在一个实施例中，一种在ris设备处的方法包括发射ris能力，该ris能力至少包括在垂直方向上的元件的数量(nx)和在水平方向上的元件的数量(ny)，以及每列中的所有元件的相位状态是否能够被一起控制；以及接收基于ris能力导出的反射系数矩阵。

3、在一个实施例中，当每列中的所有元件的相位状态能够被一起控制时，反射系数矩阵具有ny×1的大小，并且当每列中的所有元件的相位状态能够被独立控制时，反射系数矩阵具有ny×nx的大小。

4、在另一实施例中，ris能力可以进一步包括每个元件的相位状态数量(m)；并且反射系数矩阵中的每个反射系数具有n个比特，其中，n＝log2(m)。另外，ris能力可以进一步包括ris面板的数量，并且每个ris面板具有相同的结构。

5、在又一个实施例中，ris能力可以进一步包括是否采用双超原子类型(dual meta-atom type)。具体地，当采用双超原子类型时，ris能力进一步包括每个超原子类型在相变之前的初始相位，以及双超原子模式。

6、在一个实施例中，一种在基站处的方法包括接收ris能力，该ris能力至少包括在垂直方向上的元件的数量(nx)和在水平方向上的元件的数量(ny)，以及每列中的所有元件的相位状态是否能够被一起控制；基于ris能力导出反射系数矩阵；以及发射反射系数矩阵。

7、在另一个实施例中，一种ris设备包括发射器，该发射器发射ris能力，该ris能力至少包括在垂直方向上的元件的数量(nx)和在水平方向上的元件的数量(ny)，以及每列中的所有元件的相位状态是否能够被一起控制；以及接收器，该接收器接收基于ris能力导出的反射系数矩阵。

8、在又一实施例中，一种基站包括接收器，该接收器接收ris能力，该ris能力至少包括在垂直方向上的元件的数量(nx)和在水平方向上的元件的数量(ny)，以及每列中的所有元件的相位状态是否能够被一起控制；处理器，该处理器基于ris能力导出反射系数矩阵；以及发射器，该发射器发射反射系数矩阵。

技术特征：

1.一种ris设备的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，当每列中的所有元件的相位状态能够被一起控制时，所述反射系数矩阵具有ny×1的大小，并且当每列中的所有元件的相位状态能够被独立控制时，所述反射系数矩阵具有ny×nx的大小。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，

4.根据权利要求1所述的方法，其中，

5.根据权利要求1所述的方法，其中，

6.根据权利要求5所述的方法，其中，

7.一种ris设备，包括：

8.一种在基站单元处的方法，包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其中，当每列中的所有元件的相位状态能够被一起控制时，所述反射系数矩阵具有ny×1的大小，并且当每列中的所有元件的相位状态能够被独立控制时，所述反射系数矩阵具有ny×nx的大小。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，

11.根据权利要求8所述的方法，其中，

12.根据权利要求8所述的方法，其中，

13.根据权利要求12所述的方法，其中，

14.一种基站单元，包括：

技术总结
公开了用于RIS能力报告的方法和装置。一种在RIS设备处的方法包括发射RIS能力，该RIS能力至少包括在垂直方向上的元件的数量(N<subgt;x</subgt;)和在水平方向上的元件的数量(N<subgt;y</subgt;)，以及每列中的所有元件的相位状态是否能够被一起控制；以及接收基于RIS能力导出的反射系数矩阵。

技术研发人员：刘兵朝,朱晨曦,汪海明
受保护的技术使用者：联想（北京）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17