一种MEMS结构的制作方法

本申请涉及半导体，具体来说，涉及一种mems(micro-electro-mechanical system，即“微电机械系统”的简称)结构。

背景技术：

1、mems传声器(麦克风)主要包括电容式和压电式两种。mems压电传声器是利用微电子机械系统技术和压电薄膜技术制备的传声器，由于采用半导体平面工艺和体硅加工等技术，所以其尺寸小、体积小、一致性好。同时相对于电容传声器还有不需要偏置电压、工作温度范围大、防尘、防水等优点，但其灵敏度比较低，制约着mems压电传声器的发展。其中残余应力的存在，是导致mems结构灵敏度较低、稳定性差的主要因素之一。

技术实现思路

1、针对相关技术中的问题，本申请提出了一种mems结构，能够提高灵敏度。

2、本申请的技术方案是这样实现的：

3、根据本申请的一个方面，提供了一种mems结构，包括：

4、衬底，包括外环体和所述外环体内的空腔；

5、振动支撑层，形成在所述衬底上方并且覆盖所述空腔；

6、第一电极层，形成在所述振动支撑层上方，并且所述第一电极层的投影区域小于所述空腔的投影区域；

7、压电层，形成在所述第一电极层上方；

8、第二电极层，形成在所述压电层上方；

9、其中，镂空孔穿透所述振动支撑层，并且所述镂空孔形成在所述第一电极层的外围。

10、其中，所述镂空孔的投影区域位于所述空腔的投影区域内。

11、其中，所述镂空孔环绕包围所述第一电极层。

12、其中，所述镂空孔靠近所述外环体。

13、其中，所述镂空孔的图案均匀分布在所述振动支撑层上。

14、综上，在本申请中的mems结构中设置了镂空孔，从而可以进一步通过面内伸缩来释放残余应力。该镂空孔在释放残余应力时，还能保持弯曲振动模式，因而进一步提高了mems结构的灵敏度。最后，该镂空孔还可以平衡振动支撑层两侧的压强差。

技术特征：

1.一种mems结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的mems结构，其特征在于，所述镂空孔的投影区域位于所述空腔的投影区域内。

3.根据权利要求1所述的mems结构，其特征在于，所述镂空孔环绕包围所述第一电极层。

4.根据权利要求1所述的mems结构，其特征在于，所述镂空孔靠近所述外环体。

5.根据权利要求1所述的mems结构，其特征在于，所述镂空孔的图案均匀分布在所述振动支撑层上。

技术总结
本申请公开了一种MEMS结构，包括：衬底，包括外环体和所述外环体内的空腔；振动支撑层，形成在所述衬底上方并且覆盖所述空腔；第一电极层，形成在所述振动支撑层上方，并且所述第一电极层的投影区域小于所述空腔的投影区域；压电层，形成在所述第一电极层上方；第二电极层，形成在所述压电层上方；其中，镂空孔穿透所述振动支撑层，并且所述镂空孔形成在所述第一电极层的外围。该镂空孔在释放残余应力时，还能保持弯曲振动模式，因而进一步提高了MEMS结构的灵敏度。

技术研发人员：李冠华,刘端
受保护的技术使用者：安徽奥飞声学科技有限公司
技术研发日：20221008
技术公布日：2024/1/13