谐波抑制电路、发射机的制作方法

本发明涉及半导体集成电路射频发射机设计，尤其涉及一种谐波抑制电路、发射机。

背景技术：

1、目前，所述发射机的末端结构如图1所示，包括；天线t、平衡-不平衡转换器bl、功率放大器pa、电感lbw、电流源v，为了给发射机中的功率放大器pa提供稳定的电流信号，通常会在用于输出该电流信号的电流源并联一个大电容csupply。但是在发射机中，并联大电容后的电流源接近理想的交流地，弱化了对功率放大器所产生的谐波分量的抑制作用。

2、谐波分量会影响功率放大器的效率、输出功率、线性度等性能，从而增加了功率放大器的耗能。

3、因此，本发明提出了一种谐波抑制电路、发射机，以在保证电流信号稳定的前提下，对功率放大器所产生的谐波分量的很好的抑制效果。

技术实现思路

1、本发明提供了一种谐波抑制电路、发射机，以解决现有技术中由于在用于输出该电流信号的电流源并联一个大电容会导致弱化了对功率放大器所产生的谐波分量的抑制作用的技术问题。

2、第一方面，本发明提供一种谐波抑制电路，应用于发射机，包括：电流源、第一电感、第二电感、电容、功率放大器、平衡-不平衡转换器、天线；所述电流源的正极电连所述第一电感的第一端，所述第一电感的第二端电连所述电容的一端、以及所述第二电感的第一端；所述电流源的负极接地，所述电容的负极接地，所述第二电感调节所述电流源侧的共模阻抗，以抑制所述功率放大器所产生的谐波分量；所述第二电感的第二端电连所述平衡-不平衡转换器，且所述平衡-不平衡转换器与所述第二电感电连的位置位于所述平衡-不平衡转换器的第一端与所述平衡-不平衡转换器的第二端之间的中心位置处；所述平衡-不平衡转换器的第一端电连所述功率放大器的第一输出端，所述平衡-不平衡转换器的第二端电连所述功率放大器的第二输出端；所述平衡-不平衡转换器的第三端电连所述天线，所述平衡-不平衡转换器的第四端接地。

3、其有益效果在于：本发明所提供的谐波抑制电路，通过在电流源侧并联电感，能够在保证电流信号稳定的前提下，产生对功率放大器的谐波分量的很好的抑制效果。

4、可选地，所述功率放大器包括：第一n型晶体管、第二n型晶体管、第三n型晶体管和第四n型晶体管；所述第一n型晶体管的源极连接所述第二n型晶体管的源极、所述第一n型晶体管的源极接地，所述第一n型晶体管的漏极连接所述第三n型晶体管的源极；所述第二n型晶体管的漏极连接所述第四n型晶体管的源极；所述第三n型晶体管的栅极连接所述第四n型晶体管的栅极，所述第三n型晶体管的漏极连接所述平衡-不平衡转换器的第一端；所述第四n型晶体管的漏极连接所述平衡-不平衡转换器的第二端。其有益效果在于：本发明所提供的谐波抑制电路对于该结构的功率放大器所产生的谐波分量具有很好的抑制效果。

5、第二方面，本发明提供一种发射机，包括如第一方面中任一项所述的谐波抑制电路。

6、其有益效果在于：本发明所提供的发射机能够在保证功率放大器的供电电流源稳定的前提下，对功率放大器所产生的谐波分量的很好的抑制效果。

技术特征：

1.一种谐波抑制电路，其特征在于，应用于发射机，包括：电流源、第一电感、第二电感、电容、功率放大器、平衡-不平衡转换器、天线；

2.根据权利要求1所述的谐波抑制电路，其特征在于，所述功率放大器包括：第一n型晶体管、第二n型晶体管、第三n型晶体管和第四n型晶体管；

3.一种发射机，其特征在于，包括如权利要求1～2中任一项所述的谐波抑制电路。

技术总结
本发明提供了一种谐波抑制电路、发射机，所述谐波抑制电路，应用于发射机，包括：电流源、第一电感、第二电感、电容、功率放大器、平衡‑不平衡转换器、天线；电流源的正极电连第一电感的第一端，第一电感的第二端电连电容的一端、以及第二电感的第一端；电流源的负极接地，电容的负极接地，第二电感调节电流源侧的共模阻抗，以抑制功率放大器所产生的谐波分量；第二电感的第二端电连平衡‑不平衡转换器，且平衡‑不平衡转换器与第二电感电连的位置位于平衡‑不平衡转换器的第一端与平衡‑不平衡转换器的第二端之间的中心位置处。本发明所提供的谐波抑制电路，能够在保证电流信号稳定的前提下，产生对功率放大器的谐波分量的很好的抑制效果。

技术研发人员：谭毅,宋飞,叶嘉义,邓昊培,汝嘉耘,张京华
受保护的技术使用者：芯翼信息科技（上海）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13