射频前端模组的制作方法

本申请涉及射频，更具体地，涉及一种射频前端模组。

背景技术：

1、随着射频技术的不断发展，射频前端模组的谐波抑制能力成为衡量射频前端模组硬件性能的重要标准。

2、在现有的射频前端模组中，通常采用电容电感所组成的滤波电路(例如，lc谐振电路)完成对指定频率的谐波信号进行抑制。然而上述滤波电路为窄带抑制，无法实现较好的宽带抑制效果。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种射频前端模组。

2、根据本申请的第一方面，本申请实施例提供一种射频前端模组，该射频前端模组包括开关模块以及和开关模块相串联的调谐模块。其中，调谐模块具有第一端口和第二端口，第一端口连接于开关模块，第二端口用于输出经由调谐模块进行谐波抑制后的射频信号。调谐模块被配置为：产生和第一信号的相位相反的第二信号，第一信号是指由第一端口输入的射频信号中的谐波信号。

3、本申请提供了一种射频前端模组，该射频前端模组包括相串联的开关模块以及调谐模块，其中，调谐模块的第一端口连接于开关模块，第二端口用于输出经由调谐模块进行谐波抑制后的射频信号。当第一端口输入射频信号时，调谐模块可以产生与射频信号中的谐波信号相位相反的第二信号，以抵消谐波信号。由于第二信号具有宽频率的特点，比如第二信号可以覆盖完整的sub-3 ghz频段，因此第二信号可以抵消宽频率的谐波信号，实现宽带抑制。

4、根据本申请的第二方面，本申请实施例还提供一种射频前端模组，该射频前端模组包括基板以及指定芯片。其中，指定芯片设置于基板，指定芯片集成有开关模块、和开关模块相串联的调谐模块。调谐模块具有第一端口和第二端口，第一端口连接于开关模块，第二端口用于输出经由调谐模块进行谐波抑制后的射频信号。调谐模块被配置为：产生和第一信号的相位相反的第二信号，第一信号是指由第一端口输入的射频信号中的谐波信号。

5、本申请还提供了一种射频前端模组，该射频前端模组包括基板以及设置在基板上的指定芯片，其中，指定芯片中集成有相串联的开关模块和调谐模块。其中，调谐模块的第一端口连接于开关模块，第二端口用于输出经由调谐模块进行谐波抑制后的射频信号。

6、当第一端口输入射频信号时，调谐模块可以产生与射频信号中的谐波信号相位相反的第二信号，以抵消谐波信号。由于第二信号具有宽频率的特点，比如第二信号可以覆盖完整的sub-3 ghz频段，因此第二信号可以抵消宽频率的谐波信号，实现宽带抑制。

7、进一步地，由于开关模块和调谐模块集成在同一个芯片(也即，指定芯片)中，可以提高射频前端模组的集成度。此外，由于调谐模块可以实现谐波抑制的效果，因此无需设置额外的lc谐振电路(例如，贴片电容)，进而可以省去外围电路的抑制。在一方面，可以使得调谐模块能够抑制频率更宽的谐波信号(例如，频带为900mhz至2600mhz的谐波信号)；在另一方面，可以使得调谐模块能够抑制功率更大的射频信号中的谐波信号，例如，输入开关模块的射频信号的功率可以大于或等于30dbm。

技术特征：

1.一种射频前端模组，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述第二信号与所述射频信号中的谐波信号的相位差值的绝对值大于或等于170度且小于或等于190度。

3.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述调谐模块还具有控制端口，所述控制端口被配置为输入偏置控制信号；所述调谐模块包括第一晶体管、第二晶体管和第一电阻单元；

4.根据权利要求3所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管的参数相同；或/及

5.根据权利要求4所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为二极管，所述第一信号端为所述二极管的正极，所述第二信号端为所述二极管的负极；或

6.根据权利要求3所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一电阻单元的等效电阻值大于或等于1千欧。

7.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述调谐模块包括第三晶体管、第四晶体管、第二电阻单元和第三电阻单元；

8.根据权利要求7所述的射频前端模组，其特征在于，所述第二电阻单元和所述第三电阻单元的等效电阻值相同；

9.根据权利要求8所述的射频前端模组，其特征在于，所述第三晶体管和所述第四晶体管均为二极管，所述第一信号端为所述二极管的正极，所述第二信号端为所述二极管的负极；或

10.根据权利要求7所述的射频前端模组，其特征在于，所述调谐模块还包括第四电阻单元和第五电阻单元；

11.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述调谐模块包括第五晶体管、第六晶体管、第六电阻单元和第七电阻单元；

12.根据权利要求11所述的射频前端模组，其特征在于，所述第五晶体管和所述第六晶体管的参数或尺寸中至少一项相同；

13.根据权利要求12所述的射频前端模组，其特征在于，所述第五晶体管和所述第六晶体管均为二极管，所述第一信号端为所述二极管的正极，所述第二信号端为所述二极管的负极；或

14.一种射频前端模组，其特征在于，包括：

15.根据权利要求14所述的射频前端模组，其特征在于，所述基板设有天线端口；所述开关模块为天线开关，所述调谐模块的第一端口连接于所述天线开关，所述调谐模块的第二端口连接于所述天线端口，所述调谐模块用于抑制经由所述天线开关输出的射频信号中的谐波信号。

16.根据权利要求14所述的射频前端模组，其特征在于，所述开关模块为频段选择开关，所述调谐模块的第一端口连接于所述频段选择开关，所述调谐模块的第二端口用于连接后级模块，所述调谐模块用于抑制经由所述频段选择开关输出的射频信号中的谐波信号。

17.根据权利要求14所述的射频前端模组，其特征在于，所述射频前端模组还包括设置于所述基板上的放大芯片；

18.根据权利要求14所述的射频前端模组，其特征在于，所述指定芯片为绝缘体上硅芯片。

技术总结
本申请公开了一种射频前端模组，该射频前端模组包括开关模块以及和开关模块相串联的调谐模块。其中，调谐模块具有第一端口和第二端口，第一端口连接于开关模块，第二端口用于输出经由调谐模块进行谐波抑制后的射频信号。调谐模块被配置为：产生和第一信号的相位相反的第二信号，第一信号是指由第一端口输入的射频信号中的谐波信号。因此，当第一端口输入射频信号时，调谐模块可以产生与射频信号中的谐波信号相位相反的第二信号，以抵消谐波信号，由于第二信号具有宽频率的特点，比如第二信号可以覆盖完整的Sub‑3GHz频段，因此第二信号可以抵消宽频率的谐波信号，实现宽带抑制。

技术研发人员：王欢,杨奎,王蕴洲,黄浦桓,陈劲业,刘跃,倪建兴
受保护的技术使用者：锐石创芯（深圳）科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15