本技术涉及射频结构,特别涉及一种基于dpdt接收电路的射频结构。
背景技术:
1、目前,由于4g和5g的射频芯片是独立的,在一些4g和5g共用的频段上,接收通路需要使用单刀双掷(spdt)开关来实现接收信号分别传输到4g射频芯片和5g射频芯片。
2、现有技术中,如图2所示,一共需要使用两个spdt开关,pcb有四根射频走线,4g射频芯片占用两个低频输入端口,5g射频芯片占用两个低频输入端口。存在射频芯片接收端口占用多的问题。
技术实现思路
1、针对现有技术射频芯片接收端口占用多的不足,本实用新型提出了一种基于dpdt接收电路的射频结构,能减少射频芯片接收端口的使用数量。
2、以下是本实用新型的技术方案,一种基于dpdt接收电路的射频结构,包括:天线,天线连接第一滤波器和第二滤波器,第一滤波器和第二滤波器连接dpdt开关,dpdt开关连接第一射频芯片和第二射频芯片。
3、作为优选,第一滤波器接收5gn8频段和lteb8频段的信号。
4、作为优选,第二滤波器用于接收5gn5频段和lteb5频段的信号。
5、作为优选,第一射频芯片为4g射频芯片。
6、作为优选,第二射频芯片为5g射频芯片。
7、作为优选,第一滤波器接收的n8频段的信号和第二滤波器接收的n5频段的信号通过第一射频线传输至第二射频芯片的5g_rx_l1端口。
8、作为优选,第一滤波器接收的lteb8频段的信号和第二滤波器接收的lteb5频段的信号通过第二射频线传输至第一射频芯片的4g_rx_l1端口。
9、作为优选,dpdt开关的面积为1.65mm2。
10、本实用新型的有益效果是:在满足四个频段接收功能的基础上,节省了2个射频芯片接收端口用于其他频段;节省了pcb器件布局的面积;降低了pcb接收射频线的走线难度。
1.一种基于dpdt接收电路的射频结构,其特征在于,包括:天线,天线连接第一滤波器和第二滤波器,第一滤波器和第二滤波器连接dpdt开关,dpdt开关连接第一射频芯片和第二射频芯片。
2.根据权利要求1所述的一种基于dpdt接收电路的射频结构,其特征在于,第一滤波器接收5gn8频段和lteb8频段的信号。
3.根据权利要求1或2所述的一种基于dpdt接收电路的射频结构,其特征在于,第二滤波器用于接收5gn5频段和lteb5频段的信号。
4.根据权利要求1所述的一种基于dpdt接收电路的射频结构,其特征在于,第一射频芯片为4g射频芯片。
5.根据权利要求1所述的一种基于dpdt接收电路的射频结构,其特征在于,第二射频芯片为5g射频芯片。
6.根据权利要求1所述的一种基于dpdt接收电路的射频结构,其特征在于,第一滤波器接收的n8频段的信号和第二滤波器接收的n5频段的信号通过第一射频线传输至第二射频芯片的5g_rx_l1端口。
7.根据权利要求1或6所述的一种基于dpdt接收电路的射频结构,其特征在于,第一滤波器接收的lteb8频段的信号和第二滤波器接收的lteb5频段的信号通过第二射频线传输至第一射频芯片的4g_rx_l1端口。
8.根据权利要求1所述的一种基于dpdt接收电路的射频结构,其特征在于,dpdt开关的面积为1.65mm2。