一种微型扬声器的制作方法

文档序号:35172357发布日期:2023-08-18 16:27阅读:37来源:国知局
一种微型扬声器的制作方法

本技术涉及声学器件领域,特别涉及一种微型扬声器。


背景技术:

1、扬声器作为一种能够将电能转化为声能的器件,现已广泛应用智能手机、便携式摄像机、照相机及笔记本电脑等微电子设备。随着微电子设备越来越轻薄化以及音质、响度要求越来越高。

2、扬声器一般包括音圈和磁路组件,磁路组件具有磁路间隙,音圈位于磁路间隙中,通过向音圈通电,使得音圈在磁路间隙中振动,从而使得扬声器将电信号转换成声信号;而扬声器的声学性能的好坏则是受音圈在磁路间隙中的长度影响;现有技术中的的扬声器的音圈的形状一般为规则的圆形或方形状,随着扬声器的轻薄化,音圈在磁路间隙中的长度很难得到提升,限制了微型扬声器声学性能的提升,因此,如何提升微型扬声器的声学性能,成为本领域亟待解决的技术难题。


技术实现思路

1、本实用新型的主要目的是提出一种声学性能好的微型扬声器。

2、为了解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案为:一种微型扬声器,包括

3、音圈,包括主体部以及与所述主体部相连的延伸部;

4、磁路组件,包括主磁路间隙以及与所述主磁路间隙相连通的支磁路间隙,所述音圈的主体部位于所述主磁路间隙中,所述延伸部位所述支磁路间隙中。

5、在一实施例中,所述延伸部的数量为多个,所述支磁路间隙的数量与所述延伸部的数量相等,且一一对应。

6、在一实施例中,所述延伸部向所述主体部的外侧或内侧延伸。

7、在一实施例中,至少一个所述延伸部向所述主体部的内侧延伸,至少一个所述延伸部向所述主体部的外侧延伸。

8、在一实施例中,所述磁路组件包括轭铁以及分别设于所述轭铁上的内磁结构和外磁结构,所述内磁结构位于所述音圈的内侧,所述外磁结构位于所述音圈的外侧;所述内磁结构的磁极方向与所述外磁结构的磁极方向相反。

9、在一实施例中,所述延伸部的形状呈u字型、t字型或c字型状。

10、在一实施例中,所述主磁路间隙的宽度以及所述支磁路间隙的宽度均大于或等于0.08mm。

11、在一实施例中,还包括盆架以及安装于所述盆架的振膜组件,所述磁路组件与所述盆架连接,所述音圈与所述振膜组件连接,所述主体部以及所述延伸部均与所述振膜组件胶粘连接。

12、在一实施例中,所述音圈的形状为中心对称图形。

13、本实用新型的有益效果在于:本实用新型提供的微型扬声器具有声学性能好的特点,在音圈的主体部上设置与其相连的延伸部,使得音圈的整体长度增加,并且设置与磁路组件的主磁路间隙相连通的支磁路间隙,使得主体部位于主磁路间隙中,并且音圈的延伸部位于支磁路间隙中,增长了音圈在磁路间隙中的有效长度,提高了磁路组件的磁力的利用率,利于微型扬声器声学性能的提升。



技术特征:

1.一种微型扬声器,其特征在于,包括

2.根据权利要求1所述的微型扬声器,其特征在于,所述延伸部的数量为多个,所述支磁路间隙的数量与所述延伸部的数量相等,且一一对应。

3.根据权利要求1或2所述的微型扬声器,其特征在于,所述延伸部向所述主体部的外侧或内侧延伸。

4.根据权利要求2所述的微型扬声器,其特征在于,至少一个所述延伸部向所述主体部的内侧延伸,至少一个所述延伸部向所述主体部的外侧延伸。

5.根据权利要求1所述的微型扬声器,其特征在于,所述磁路组件包括轭铁以及分别设于所述轭铁上的内磁结构和外磁结构,所述内磁结构位于所述音圈的内侧,所述外磁结构位于所述音圈的外侧;所述内磁结构的磁极方向与所述外磁结构的磁极方向相反。

6.根据权利要求1所述的微型扬声器,其特征在于,所述延伸部的形状呈u字型、t字型或c字型状。

7.根据权利要求1所述的微型扬声器,其特征在于,所述主磁路间隙的宽度以及所述支磁路间隙的宽度均大于或等于0.08mm。

8.根据权利要求1所述的微型扬声器,其特征在于,还包括盆架以及安装于所述盆架的振膜组件,所述磁路组件与所述盆架连接,所述音圈与所述振膜组件连接,所述主体部以及所述延伸部均与所述振膜组件胶粘连接。

9.根据权利要求1所述的微型扬声器,其特征在于,所述音圈的形状为中心对称图形。


技术总结
本技术公开了一种微型扬声器,包括音圈和磁路组件,音圈包括主体部以及与主体部相连的延伸部;磁路组件包括主磁路间隙以及与主磁路间隙相连通的支磁路间隙,音圈的主体部位于主磁路间隙中,延伸部位支磁路间隙中;本技术提供的微型扬声器具有声学性能好的特点,在音圈的主体部上设置与其相连的延伸部,使得音圈的整体长度增加,并且设置与磁路组件的主磁路间隙相连通的支磁路间隙,使得主体部位于主磁路间隙中,并且音圈的延伸部位于支磁路间隙中,增长了音圈在磁路间隙中的有效长度,提高了磁路组件的磁力的利用率,利于微型扬声器声学性能的提升。

技术研发人员:林海颖,陈杰,谭智辉,张红妮
受保护的技术使用者:深圳市维仕声学有限公司
技术研发日:20230111
技术公布日:2024/1/13
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1