扬声器及终端设备的制作方法

本公开涉及电子，尤其涉及一种扬声器及终端设备。

背景技术：

1、在终端设备的使用过程中，由于终端设备的射频功率增大、电池功率大、主板产生电磁场等因素的影响，会对扬声器的工作状态造成影响，使扬声器工作过程中产生杂音，因此需要对扬声器进行电磁屏蔽设计。

2、目前的电磁屏蔽设计往往隔磁性有限，电磁屏蔽效果不佳，扬声器工作过程中依然会产生杂音，影响用户的使用体验。

技术实现思路

1、为克服相关技术中存在的问题，本公开提供了一种扬声器及终端设备。

2、根据本公开的第一方面，提供一种扬声器，所述扬声器包括层叠设置的振膜和磁路系统，所述磁路系统包括至少一组磁铁阵列，所述磁铁阵列被设置为海尔贝克磁阵列；

3、沿所述振膜的厚度方向，所述磁路系统的一侧为磁场增强侧，所述磁路系统的另一侧为磁场减弱侧，所述振膜设置于所述磁路系统的磁场增强侧。

4、可选地，每组所述磁铁阵列包括至少一个阵列单元，每个所述阵列单元包括依次排列的第一磁铁、第二磁铁和第三磁铁；

5、定义每个磁铁的n极与s极的连线所在的方向为磁铁的排布方向，所述第一磁铁和所述第三磁铁的排布方向相同，所述第一磁铁的磁极和所述第三磁铁的磁极同性相对，所述第二磁铁的排布方向与所述第一磁铁的排布方向相互垂直；

6、所述第二磁铁的排布方向为所述振膜的厚度方向，所述第二磁铁的靠近所述振膜的一端的磁极与所述第一磁铁和所述第三磁铁相对的磁极的极性相同。

7、可选地，每组所述磁铁阵列包括多组阵列单元时，所述磁铁阵列还包括第四磁铁，所述第四磁铁设置于相邻的两组所述阵列单元之间；

8、所述第四磁铁的排布方向与所述第二磁铁的排布方向相同，且所述第四磁铁的靠近所述振膜的一端的极性与所述第二磁铁的靠近所述振膜的一端的极性相反。

9、可选地，所述磁路系统包括多组所述磁铁阵列时，多组所述磁铁阵列并排设置。

10、可选地，所述扬声器还包括音圈，所述音圈设置于所述振膜的朝向所述磁路系统的一侧。

11、可选地，所述音圈通过刻蚀后填充或者金属印刷方式设置于所述振膜的表面。

12、可选地，所述振膜包括走线通道，所述走线通道贯穿所述振膜，所述音圈的自由端部穿过所述走线通道。

13、可选地，所述扬声器还包括隔磁罩，所述隔磁罩设置于所述磁路系统的远离所述振膜的一侧。

14、可选地，所述扬声器还包括电路板，所述电路板设置于所述隔磁罩的远离所述振膜的一侧。

15、根据本公开的第二方面，提供了一种终端设备，所述终端设备包括如第一方面所述的扬声器。

16、本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：本公开提供了一种扬声器及终端设备，扬声器包括层叠设置的振膜和磁路系统，磁路系统包括至少一组被设置为海尔贝克磁阵列的磁铁阵列，沿振膜的厚度方向，磁路系统的一侧为磁场增强侧，磁路系统的另一侧为磁场减弱侧，振膜设置于磁路系统的磁场增强侧。本公开中的磁铁阵列产生的磁场具有单向性，远离振膜的一侧磁场强度较弱，磁场不易外溢，对位于磁场减弱侧的电子器件的影响较小，避免对电子器件的工作过程功能产生影响；同时，由于将振膜设置在磁路系统的磁场增强侧，能够增强作用于振膜的磁场强度，从而提升扬声器的音效，提高了扬声器的性能与用户的使用体验。

17、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

技术特征：

1.一种扬声器，其特征在于，所述扬声器包括层叠设置的振膜和磁路系统，所述磁路系统包括至少一组磁铁阵列，所述磁铁阵列被设置为海尔贝克磁阵列；

2.根据权利要求1所述的扬声器，其特征在于，每组所述磁铁阵列包括至少一个阵列单元，每个所述阵列单元包括依次排列的第一磁铁、第二磁铁和第三磁铁；

3.根据权利要求2所述的扬声器，其特征在于，每组所述磁铁阵列包括多组阵列单元时，所述磁铁阵列还包括第四磁铁，所述第四磁铁设置于相邻的两组所述阵列单元之间；

4.根据权利要求1至3任一项所述的扬声器，其特征在于，所述磁路系统包括多组所述磁铁阵列时，多组所述磁铁阵列并排设置。

5.根据权利要求1至3任一项所述的扬声器，其特征在于，所述扬声器还包括音圈，所述音圈设置于所述振膜的朝向所述磁路系统的一侧。

6.根据权利要求5所述的扬声器，其特征在于，所述音圈通过刻蚀后填充或者金属印刷方式设置于所述振膜的表面。

7.根据权利要求5所述的扬声器，其特征在于，所述振膜包括走线通道，所述走线通道贯穿所述振膜，所述音圈的自由端部穿过所述走线通道。

8.根据权利要求1所述的扬声器，其特征在于，所述扬声器还包括隔磁罩，所述隔磁罩设置于所述磁路系统的远离所述振膜的一侧。

9.根据权利要求8所述的扬声器，其特征在于，所述扬声器还包括电路板，所述电路板设置于所述隔磁罩的远离所述振膜的一侧。

10.一种终端设备，其特征在于，所述终端设备包括如权利要求1至9任一项所述的扬声器。

技术总结
本公开提供了一种扬声器及终端设备，扬声器包括层叠设置的振膜和磁路系统，磁路系统包括至少一组被设置为海尔贝克磁阵列的磁铁阵列，沿振膜的厚度方向，磁路系统的一侧为磁场增强侧，磁路系统的另一侧为磁场减弱侧，振膜设置于磁路系统的磁场增强侧。本公开中的磁铁阵列产生的磁场具有单向性，远离振膜的一侧磁场强度较弱，磁场不易外溢，对位于磁场减弱侧的电子器件的影响较小，避免对电子器件的工作过程功能产生影响；同时，由于将振膜设置在磁路系统的磁场增强侧，能够增强作用于振膜的磁场强度，从而提升扬声器的音效，提高了扬声器的性能与用户的使用体验。

技术研发人员：郝选
受保护的技术使用者：北京小米移动软件有限公司
技术研发日：20230310
技术公布日：2024/1/12