压电薄膜发声结构及压电薄膜发声器件的制作方法

文档序号:37642372发布日期:2024-04-18 18:05阅读:70来源:国知局
压电薄膜发声结构及压电薄膜发声器件的制作方法

本申请属于压电发声,尤其涉及一种压电薄膜发声结构及压电薄膜发声器件。


背景技术:

1、压电式发声器件在电子产品中应用广泛,为广大消费者提供了音频娱乐,增强了音频体验。但随着智能手机、平板电脑等电子产品的发展,传统电磁式发声器件难以满足轻薄、小型化的要求。


技术实现思路

1、本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本申请提出一种压电薄膜发声结构及压电薄膜发声器件,可以实现器件的小型化,且无需贴合或者其他打孔工艺,以实现压电薄膜发声结构的一体化。

2、第一方面,本申请提供了一种压电薄膜发声结构,包括:

3、支撑层,形成有空腔;

4、压电材料层,位于支撑层的一侧,且覆盖空腔;

5、第一电极,位于压电材料层的第一侧,且位于空腔内;

6、第二电极,位于压电材料层与第一侧相对的第二侧,且在层叠方向上与第一电极正对布置;

7、保护层,位于第二电极远离压电材料层的一侧。

8、根据本申请的压电薄膜发声结构,第一电极设置于空腔内部,减小了压电薄膜发声结构在层叠方向上的厚度,使得压电薄膜发声结构更薄,可以实现器件的小型化;且压电薄膜发声结构无需键合或者其他打孔工艺,以实现一体化的制备。

9、根据本申请的一个实施例,支撑层和保护层采用柔性材料形成。

10、根据本申请的一个实施例,支撑层的材料为光刻胶。

11、根据本申请的一个实施例,保护层包括层叠的缓冲层和聚酰亚胺层,缓冲层位于聚酰亚胺层和第二电极之间。

12、根据本申请的一个实施例,支撑层的厚度范围为20~100um。

13、根据本申请的一个实施例,在垂直于压电薄膜发声结构的层叠方向的方向上,第一电极的截面面积与空腔的截面面积相等。

14、根据本申请的一个实施例,压电薄膜发声结构的谐振频率的取值范围为20hz-20khz。

15、根据本申请的一个实施例,在垂直于压电薄膜发声结构的层叠方向的方向上,空腔的截面形状为圆形,圆形的半径大于0.5mm。

16、根据本申请的一个实施例,压电薄膜发声结构还包括:

17、第一绝缘层,位于第一电极远离压电材料层的一侧;

18、第二绝缘层,位于第二电极和压电材料层之间。

19、第二方面,本申请提供了一种压电薄膜发声器件,该压电薄膜发声器件包括多个上述的压电薄膜发声结构。

20、根据本申请的压电薄膜发声器件,第一电极设置于空腔内部,减小了压电薄膜发声结构在层叠方向上的厚度,使得压电薄膜发声结构更薄,可以实现器件的小型化;且压电薄膜发声结构无需键合或者其他打孔工艺,以实现一体化的制备。

21、根据本申请的一个实施例,在垂直于压电薄膜发声结构的层叠方向的方向上,至少两个压电薄膜发声结构的空腔的截面面积不同。

22、本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本申请的实践了解到。



技术特征:

1.一种压电薄膜发声结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的压电薄膜发声结构,其特征在于,所述支撑层和所述保护层采用柔性材料形成。

3.根据权利要求2所述的压电薄膜发声结构,其特征在于,所述支撑层的材料为光刻胶。

4.根据权利要求2所述的压电薄膜发声结构,其特征在于,所述保护层包括层叠的缓冲层和聚酰亚胺层,所述缓冲层位于所述聚酰亚胺层和所述第二电极之间。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的压电薄膜发声结构,其特征在于,所述支撑层的厚度范围为20~100um。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的压电薄膜发声结构,其特征在于,在垂直于所述压电薄膜发声结构的层叠方向的方向上,所述第一电极的截面面积与所述空腔的截面面积相等。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的压电薄膜发声结构,其特征在于,所述压电薄膜发声结构的谐振频率的取值范围为20hz-20khz。

8.根据权利要求7所述的压电薄膜发声结构,其特征在于,在垂直于所述压电薄膜发声结构的层叠方向的方向上,所述空腔的截面形状为圆形,所述圆形的半径大于0.5mm。

9.根据权利要求1-4中任一项所述的压电薄膜发声结构,其特征在于,所述压电薄膜发声结构,还包括:

10.一种压电薄膜发声器件,其特征在于,包括多个根据权利要求1-7中任一项所述的压电薄膜发声结构。

11.根据权利要求10所述的压电薄膜发声器件,其特征在于,在垂直于所述压电薄膜发声结构的层叠方向的方向上,至少两个所述压电薄膜发声结构的空腔的截面面积不同。


技术总结
本申请公开了一种压电薄膜发声结构及压电薄膜发声器件,属于压电发声技术领域。本申请提供了一种压电薄膜发声结构,包括:支撑层,形成有空腔;压电材料层,位于支撑层的一侧,且覆盖空腔;第一电极,位于压电材料层的第一侧,且位于空腔内;第二电极,位于压电材料层与第一侧相对的第二侧,且在层叠方向上与第一电极正对布置;保护层,位于第二电极远离压电材料层的一侧。根据本申请的压电薄膜发声结构,第一电极设置于空腔内部,减小了压电薄膜发声结构在层叠方向上的厚度,使得压电薄膜发声结构更薄,可以实现器件的小型化;且压电薄膜发声结构无需键合或者其他打孔工艺,以实现一体化的制备。

技术研发人员:崔钊,张超,宋梦亚,侯东飞,赵坤
受保护的技术使用者:京东方科技集团股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/4/17
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