专利名称：Oled灯的制作方法
技术领域：
本发明涉及有机发光二极管(OLEDs)用于区域照明的应用，更具体地，本发明涉及OLED区域照明灯的结构和制造方法。
利用发光二极管(OLEDs)的固态发光器件在需要强度而又长寿命的应用中不断地得到应用。例如，目前固态LEDs已应用到汽车领域中。这些器件典型地通过将多个、小的点光源LEDs与玻璃透镜一起组合成单一组件，当需要具体应用时、该玻璃透镜适合于设计为对光进行控制；例如，参见1999年11月11日公开的WO99/57945。这些多个器件非常昂贵，制造并集成为单一区域照明装置复杂。此外，常规的LEDs提供点光源、而多个点光源应用于区域照明。
通过在一个衬底上的电极之间淀积有机半导体材料来制造有机发光二极管(OLEDs)。这种工艺能够在一个单一衬底上产生具有扩展表面积的光源。现有技术描述了应用电致发光材料作为传统照明的添加物；例如，于2001年1月2日授予给Chien的US6168282。在此情况下，由于从电致发光材料发出光，电致发光器件就不能用于主发光。2001年8月1日公开的EP1120838A2描述了一种用于在一个装配衬底上安装多个有机发光器件以便产生区域照明光源的方法。然而，在一个衬底上安装多个光源的这种方法增加了复杂性，由此增大了区域照明光源的制造成本。
因此，就需要一种改善的、固态平板区域照明器件、以便提供具有高亮度强光的照明并提供简单的制造工艺。
根据本发明提供的一种OLED灯就能满足这种需要，OLED灯包括一个衬底；在衬底上形成的非像素型OLED，OLED包括从衬底的第一边缘向衬底的第二相对边缘延伸的并在衬底上形成的第一电极，在第一电极的顶部上形成的OLED发光结构，邻近衬底的第一边缘处的第一电极的一部分保留暴露状态，以及在OLED发光结构之上形成并延伸到衬底的第二边缘的第二电极；以及位于非像素型(non-pixellated)OLED之上的包封盖，它并保留第一电极和第二电极的暴露部分，用于与灯的电接触连接。
本发明具有提供一种廉价、简单制造具有强光的区域OLED照明光源的优点。
图1说明现有技术OLED的部分剖面图；图2是根据本发明的一个实施例的OLED灯的剖面图；图3是根据本发明的另一个实施例的OLED灯的剖面图；图4是根据本发明的再一个实施例的OLED灯的剖面图；图5是根据本发明的一个实施例的具有多个OLED灯的输送带的顶视图；图6是说明根据本发明的OLED灯的制造方法的示意图；以及图7是现有技术OLED的示意性剖面图。
应当理解，由于各个层太薄并且各个层的厚度差异太大，所以附图没有按比例来绘制。
图1是现有技术OLED的示意图，现有技术OLED包括设置在两个电极14和16例如分别是阴极和阳极之间的有机发光层12。有机发光结构12包括结构中的多层并依据由电源17施加在电极上的电压而发光。OLED发光器典型地包括例如玻璃或塑料的衬底20。应当理解，如果有机发光层12的多层结构反置，那么相对于衬底20、阴极和阳极的相对位置就可以同样相反地设置。
参照图2，根据本发明的一个实施例，OLED灯包括衬底20；形成在衬底上的非像素型OLED，OLED包括在衬底上形成并从衬底的第一边缘22向衬底20的第二相对边缘26延伸的第一电极14。第一电极可以但不必自始自终延伸至衬底20的第一边缘。在第一电极14的顶部上形成OLED发光结构12，OLED发光结构12保留暴露出邻近衬底的第一边缘22的第一电极的一部分。第二电极16形成在OLED发光结构12之上并向衬底的第二边缘26延伸。第二电极可以但不必一直延伸至衬底的第二边缘。包封盖18位于非像素型OLED之上、保留暴露出第一电极14和第二电极16用于使电接触与灯连接的一部分。包封盖18可以是一个涂敷层或一个气密封盖，并且包封盖18可以一直延伸至边缘22和26但必须暴露出电极14和16的至少一部分以便电接触可以与电极连接。在此使用的术语“非像素型(non-pixellated)”意思是OLED发光层以及第一和第二电极在衬底的延伸区域之上是连续的并且不被分割为许多小的可以单独被激活以形成图象的子部分或像素。因为可以通过系列淀积台的线形源将各层提供到移动的衬底上、这些淀积台与衬底通过淀积台的移动方向垂直设置，因此具有上述结构的OLED灯自身提供了易于在连续的生产线上制造。由于结构简单，所以对在各个淀积台处掩蔽衬底要求有限，并且可以利用作为淀积台的一部分的固定掩膜来实现适合的掩蔽。
在操作中，通过提供从部分22和26的左侧和右侧上暴露的电极14和16到电源(未示出)的连接器来向本发明的OLED灯供电。通过提供电源，电流就穿过包封盖18之下的电极和OLED发光结构12而产生光。
本发明可以进一步扩展到包括多个叠置的OLED发光结构12。利用多个叠置的OLED结构可以增加结构数倍的总输出光量、但也增加了OLED灯10所需的电流。OLED发光结构的数量可以增加，直到到达电极14和16的实际电流承载容量为止，或直到电极14和16的透明性减退为止，或直到OLED发光层12使更多的层不合实用为止。
参照图3，在多层OLED灯中，第二OLED发光结构12`位于第二电极16之上。与第一电极14电接触的第三电极14`位于第二OLED发光结构12`之上并且如图2中所示用盖18包封这些多层。这种多层排列可以进一步扩展为如图4中所示的更多层。参照图4，在第三电极14`上淀积第三OLED发光结构12``。与第二电极16电连接的第四电极16`位于第三OLED发光结构12``之上。包封盖(encapsulating cover)18位于第四电极16`之上。可以任意地扩展该交替的各个电极成对共同连接的电极对14和16之间重复设置的OLED发光结构12的这种步骤。为了用直流工作，可以将OLED发光结构的极性从一种结构替换为下一种结构，由此所有的OLED结构同时发光。在这种排列中，OLED层以并联电方式连接，所有OLEDs按相同方向对齐。这种排列具有一种优点，即如果一个OLED发光结构失效开路，而其它OLED发光结构仍可以继续工作。从OLED灯输出的光的方向就不受OLED发光结构的极性的影响。
如果用交流电驱动具有上述排列的OLED灯，那么所有的OLED发光结构就仅在交流电的一半周期内同时发光。这就会产生实质上的闪烁。减少闪烁的一种方法是排列OLED发光结构的极性，由此它们中的一些发光结构在交流电的每一个半周期内都发光。通过在叠层体中以相同的方式来构成所有的OLED发光结构就可以获得这种结构。这种排列具有相同的优点，即如果一个OLED结构开路，而其它OLED发光结构仍可以继续工作。已经观察到，用交流电驱动具有延长OLED灯的寿命的附加优点。
通过选择OLED发光结构中使用的材料就可以控制多层OLED灯的色温以便发射不同颜色的光。
如上所述，光源10通常发射穿过衬底20和包封盖18的光。在本发明的一个可替换的实施例中，可以在衬底20或包封盖18之一上设置反射层以便使光分别直接穿过包封盖或衬底，由此光源就只从一侧发光，因此就可以控制光源的方向。可选择地，在衬底上淀积的电极或邻近包封盖的电极可以是反射性的。
参考图5和6，本发明特别适合于简单的制造工艺。通过提供淀积设备，只在衬底的左侧和中心部分、中心部分或中心和右侧部分之上淀积材料，就可以构成简单的制造工艺。如图6中所示，多个淀积台70可以沿薄板输送带(webtransport)72排列以便顺次地在衬底20上淀积材料74、由此依次产生一系列的OLED灯。
本发明可以应用在连续的输送带(web)工艺中，在连续的输送带工艺中在连续的输送带衬底上形成OLED灯。如图5中所示，在衬底上通过周期性地中断淀积电极和发光材料来形成OLED灯。可以连续地淀积包封盖材料，并且各个OLED灯56可以通过切割OLED灯之间的衬底从连续的衬底50中分离出来。通过划线或穿孔线就可以设置灯之间的分离部60，并且各个灯可以保持连接直到使用前才通过沿划线或穿孔线分裂而被人为或机械地从叠层体或卷绕体分离。因此，就可以从可折叠的叠层体中或卷绕体中移走各个要用的灯，从而经济、便捷地提供多个灯。
本发明的优点是不必严格限制掩蔽就获得了在区域之中的适合淀积。例如，可以在连续带中涂敷包封涂层，而分别保留电极14和16的暴露部分52和54。通过许多公知的方法包括但不限于通过例如US5276380和EP0732868中公开的掩膜淀积、整体影像掩蔽、激光切除和选择化学汽相淀积就能够实现这种掩蔽。通常，用简单的影像掩蔽来遮蔽不需要淀积的区域就足够了。如现有技术的公知方法，可以采用垂直于衬底的移动方向排列的具有淀积缝的线形淀积源来淀积材料。可以通过例如公知的涂敷技术来提供包封盖。
此外，OLED灯的各层可以在薄板(web)上连续地进行淀积，并从薄板中切割出各个灯。在此情况下，OLED灯的各层在薄板的传输方向上一直延伸到各边。例如可以通过将各边浸入用于形成包封盖的相同材料中来密封薄板的暴露的边缘。
衬底20可以是刚性的或柔性的。刚性衬底例如玻璃提供强度更高的结构并且通常为平面型，但本发明还可以采用柔性衬底例如可以形成为各种形状的塑料。
本发明具有附加的优点，即光源具有能够有效地储存、封装并装运的紧凑型平面结构。
本发明可以广泛地使用于常规的领域，例如台灯、地灯或枝型吊灯。此外，本发明可以使用在传统的天花板悬挂式的平板型照明装置中。本发明还可以使用在利用DC电源的便携照明装置中。
在一个优选的实施例中，OLED发光结构12由低分子量OLED材料或聚合物OLED材料组成，例如但不限于1988年9月6日授权给Tang等的US4769292和1991年10月29日授权给VanSlyke等的US5061569中公开的材料。
存在各层的多种结构，其中可以成功地实施本发明。典型的结构示出在图7中并由衬底101、阳极103、空穴注入层105、空穴传输层107、发光层109、电子传输层111和阴极113组成。这些层将在以下进行详细描述。应当注意，衬底可以替换为靠近阴极或者衬底实际上可以构成阳极或阴极。在阳极和阴极之间的有机层通常称为有机EL元件。有机层的总体组成厚度优选小于500nm。
OLED的阳极和阴极通过电导体260连接到电压/电流源250。由阳极和阴极之间提供的电位以致阳极比阴极具有更高的正电势来操作OLED。空穴从阳极注入到有机EL元件并且电子在阳极处注入到有机EL元件。有时当OLED工作在AC模式下即在AC周期的一些时间周期内偏压反向并且没有电流流动时就可以实现提高的器件稳定性。在US5552678中就描述了一种AC驱动OLED的实例。
本发明的OLED器件典型地设置在支撑衬底之上，在所述支撑衬底处，阴极或阳极与衬底接触。与衬底接触的电极通常称为底电极。通常，底电极是阳极，但本发明并不限于这种结构。根据发射的光的所需方向、衬底可以透光或反射光。在此情况下，通常采用透明玻璃或透明塑料。在EL发射通过顶电极的应用中，底部支撑的透射特性就不重要，因此底部支撑可以透光或反射光。在此情况下使用的衬底包括但不限于玻璃、塑料、半导体材料、硅、陶瓷和电路板材料。当然，这些器件结构必须设置为透光的顶电极。
当EL发射穿过阳极103时，阳极就应当透明或基本上透明以便有利于发射。在本发明中通常采用的阳极材料为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化锡，但其它金属氧化物也能工作，其它金属氧化物包括但不限于掺杂铝或铟的氧化锌、氧化镁铟和氧化镍钨。除了这些氧化物之外，可以采用金属氮化物例如氮化镓、金属硒化物例如硒化锌、以及金属硫化物例如硫化锌作为阳极。对于EL发射仅穿过阴极电极的应用，阳极的透明特性就不重要并可以采用任何透明或反射的导电金属。这种应用的导体实例包括但不限于金、铱、钼、钯和铂。典型的阳极材料、透明或其它类型都具有4.1eV或更大的功函数。所需的阳极材料通常通过适合的方法例如蒸发、溅射、化学汽相淀积或电化学方法进行淀积。可选择地，可以在提供其它各层之前抛光阳极以便降低表面的粗糙度、由此使短路最小化或提高反射性。
虽然不总是必须的，但通常在阳极103和空穴传输层107之间提供一空穴注入层105。空穴注入材料用作提高随后的有机层的薄膜形成特性并且易于将空穴注入到空穴传输层。在空穴注入层中使用的适合材料包括但不限于如US4720432中所述的卟啉化合物、如US6208075中所述的等离子体淀积的碳氟化合物聚合物、以及例如m-MTDATA(4，4`，4``-三[(3-甲苯基)苯氨基]三苯基胺)的一些芳香胺。此外，在有机EL器件中报道使用的空穴注入材料描述在EP0891121A1和EP1029909A1中。
空穴传输层107含有至少一种空穴传输化合物，例如芳香族叔胺，后者可以理解为这样一种化合物，该化合物含有至少一个只与碳原子键合的三价氮原子和至少一个芳环。芳香族叔胺的一种形式可以是芳胺，如单芳胺、二芳胺、三芳胺或聚芳胺。Klupfel等人在US3,180,730中描述了单体三芳胺的例子。Brantley等人在US3,567,450和US3,658,520中公开了其它适用的三芳胺，该三芳胺被一个或多个乙烯基取代基和/或包括至少一个含活泼氢的基团。
更为优选的一类芳香族叔胺至少包括两个芳香族叔胺部分，如在US4,720,432和US5,061,569中公开的。空穴传输层可以由一种或多种芳香族叔胺化合物形成。可用的芳香族叔胺举例如下1，1-双(4-二-对-甲苯基氨基苯)环己烷1，1-双(4-二-对-甲苯基氨基苯)-4-苯基环己烷4，4’-双(二苯氨基)四苯双(4-二甲氨基2-甲苯基)-甲苯
N，N，N-三(对甲苯基)胺4-(二-对-甲苯基氨基)-4’-[4(二-对-甲苯基氨基)-苯乙烯基]均二苯乙烯N，N，N’，N’-四-对-甲苯基-4-4’-二氨基二苯N，N，N’，N’-四苯基-4-4’-二氨基二苯N，N，N’，N’-四-1-萘基-4-4’-二氨基二苯N，N，N’，N’-四-2-萘基-4-4’-二氨基二苯N-苯基咔唑4，4’-双[N-(1-萘基)-N-苯氨基]二苯4，4’-双[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)-氨基]二苯4，4”-双[N-(1-萘基)-N-苯氨基]对-三苯4，4’-双[N-(2-萘基)-N-苯氨基]二苯4，4’-双[N-(3-二氢苊基)-N-苯氨基]二苯1，5-双[N-(1-萘基)-N-苯氨基]萘4，4’-双[N-(9-蒽基)-N-苯氨基]二苯4，4’-双[N-(1-蒽基)-N-苯氨基]-对-三苯4，4’-双[N-(2-菲基)-N-苯氨基]二苯4，4’-双[N-(8-荧蒽基)-N-苯氨基]二苯4，4’-双[N-(2-芘基)-N-苯氨基]二苯4，4’-双[N-(2-并四苯基)-N-苯氨基]二苯4，4’-双[N-(2-苝基)-N-苯氨基]二苯4，4’-双[N-(1-蔻基)-N-苯氨基]二苯2，6-双(二-对-甲苯基氨基)萘2，6-双[二-(1-萘基)氨基]萘2，6-双[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)氨基]萘N，N，N’N’-四(2-萘基)-4-4”-二氨基-对-三苯4，4’-双{N-苯基-N-[4-(1-萘基)-苯基]氨基}二苯4，4’-双[N-苯基-N-(2-芘基)氨基]二苯2，6-双[N，N-二(2-萘基)氨基]芴1，5-双[N-(1-萘基)-N-苯氨基]萘4，4’，4”-三[(3-甲苯基)苯氨基]三苯胺另一类有用的空穴传输材料包括如EP1009041中所述的多环芳香族化合物。可以使用含有两个以上氨基的三芳胺，包括低聚体材料。除此之外，也可以使用聚合的空穴传输材料，如聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、以及例如聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)、也称作PEDOT/PSS的共聚物。
正如US4,769,292和US5,935,721中所详述的一样，有机EL元件中的发光层(LEL)包含一种发光或荧光材料，电子和空穴对在这个区域复合，产生电致发光。发光层可以由单一的材料组成，但更为常见的是由掺杂有辅助化合物或混合物的基质材料组成，光发射主要来自掺杂剂并且可以是任何颜色。发光层中的基质材料可以是如下面所限定的电子传输材料、上述限定的空穴传输材料、或其它一种或多种能够使电子和空穴复合的混合材料。掺杂剂通常选自高荧光性染料，但也可以使用磷光化合物，例如，WO98/5561、WO00/18851、WO00/57676和WO00/70655中记载的过渡金属络合物。典型地将0.01～10％重量的掺杂剂施加到基质材料中。基质材料也可以使用聚合物材料，如聚芴和聚芳乙烯[如聚(对-苯乙烯)，PPV]。在这种情况下，低分子量掺杂剂以分子形式分散在聚合物基质材料中，或通过共聚微量成分将掺杂剂添加到主聚合物中。
选择一种染料作为掺杂剂时，一个重要的关系是比较带隙势能，它表征了分子的占据的最高分子轨道与未占据的最低分子轨道之间的能量差。为了从基质材料向掺杂剂分子实现有效的能量传递，一个必要的条件是掺杂剂的带隙要小于基质材料的带隙。基质材料的主三重态能量级要足够高，使能量能够从基质材料传递到掺杂剂，这对于磷光发光体来说也很重要。
公知使用的主材料和发光分子包括但并不限于在US4,768,292、US5,141,671、US5,150,006、US5,151,629、US5,405,709、US5,484,922、US5,593,788、US5,645,948、US5,683,823、US5,755,999、US5,928,802、US5,935,720、US5,935,721和US6,020,078中公开的一些主材料和发光分子。
8-羟基喹啉(喔星(oxine))的金属络合物及其类似的衍生物组成了一类可用于实现光致发光的主化合物。可用的螯合8-羟基喹啉化合物举例如下CO-1三喔星铝[又名三(8-羟基喹啉)铝(III)]CO-2二喔星镁[又名二(8-羟基喹啉)镁(II)]
CO-3双[苯{f}-8-羟基喹啉]锌(II)CO-4双(2-甲基-8-羟基喹啉)铝(III)-μ-氧代-双(2-甲基-8-羟基喹啉)铝(III)CO-5三喔星铟[又名三(8-羟基喹啉)铟]CO-6三(5-甲基喔星)铝[又名三(5-甲基-8-羟基喹啉)铝(III)]CO-7喔星锂[又名(8-羟基喹啉)锂(I)]CO-8喔星镓[又名三(8-羟基喹啉)镓(III)]CO-9喔星锆[又名四(8-羟基喹啉)锆(IV)]其它种类可用的基质材料包括蒽的衍生物，如US5,935,721中记载的9，10-二-(2-萘基)蒽及其衍生物、US5,121，029中记载的联苯乙烯亚芳基衍生物和吲哚衍生物，例如2，2’，2”-(1，3，5-苯基)三[1-苯基-1H-苯并咪唑]，但并不限于此。咔唑衍生物可特别适用于磷光发光体的基质材料。
可用的荧光掺杂剂包括蒽的衍生物、并四苯、呫吨、苝、红荧烯、香豆素、若丹明，和喹吖啶、二氰甲基吡喃化合物、噻喃化合物、多次甲基化合物、吡喃鎓和噻喃鎓化合物的衍生物、芴衍生物、迫位桥蒽烯衍生物、茚并苝衍生物、双(吖嗪)胺硼化合物、双(吖嗪)甲烷化合物和喹诺酮化合物，但并不限于此。
用于形成本发明有机EL元件的电子传输层111的优选薄膜形成材料为金属螯合物喔星(oxinoid)化合物，其包括喔星(oxine)自身螯合物(通常也称作8-羟基喹啉(8-quinolinol)或8-羟基喹啉(8-hydroxyquinoline))。这类化合物有助于注入并传输电子，表现出高性能，而且在形成薄膜时易于制造。前面已经列举了喔星化合物的例子。
其它的电子传输材料包括如US4,356,429中公开的各种丁二烯衍生物和如US4,539,507中公开的各种杂环发光物质。吲哚和三嗪也可用作电子传输材料。
当发射的光仅通过阳极时，在本发明中使用的阴极113可以由几乎任何种类的导电材料组成。期望材料具有良好的薄膜形成特性以便保证与下面的有机层形成良好的接触、在低电压下促进电子的注入并且具有良好的稳定性。使用的阴极材料通常包含低功函数金属(＜4.0eV)或金属合金。一种优选的阴极材料由Mg∶Ag合金组成，其中银的百分比在1-20％的范围，如US4885221中所述。另一类适合的阴极材料包括双层，该双层包括与有机层(例如，ETL)接触的薄的电子注入层(EIL)，用导电金属的较厚的层来覆盖该电子注入层。这里，EIL优选包括低功函数的金属或金属盐，并且如果这样较厚的覆盖层不须具有低功函数。这样的一种阴极由较厚的Al层之下的LiF薄层组成，如US5677572中所述。其它使用的阴极材料组分包括但不限于在US5059861；5059862和6140763中公开的那些材料。
当发射的光通过阴极时，阴极就必须透明或近似透明。对于这种应用，金属就必须薄或者必须采用透明的导电氧化物或这些材料的组合。可选择的透明阴极更加详细地公开在US4885211、US5247190、JP3234963、US5703436、US5608287、US5837391、US5677572、US5776622、US5776623、US5714838、US5969474、US5739545、US5981306、US6137223、US6140763、US6172459、EP1076368、US6278236和US6284393中。典型地通过蒸发、溅射或化学汽相淀积来淀积阴极材料。
在一些实例中，层109和111可以任意地合为作为支持发光和电子输运功能的单层。现有技术中公知可以将发光掺杂剂添加到空穴传输层中作为主材料。为了产生发射白光的OLED，可以将多种掺杂剂添加到一层或多层中，例如通过发射蓝光的材料和发射黄光的材料、发射深蓝光的材料和发射红光的材料组合，或者发射红光、绿光和蓝光的材料组合。例如，在EP1187235、US20020025419、EP1182244、US5683823、US5503910、US5405709和US5283182中就描述了发射白光的器件。
在本发明的器件中可以采用现有技术中教导的附加层例如电子或空穴阻挡层。空穴阻挡层通常用于提高磷光发射装置的效率，例如在US20020015859中所述。
上述涉及的有机材料适合于通过汽相方法例如升华来淀积，但可以从液体例如从具有任选粘结剂的溶剂进行淀积以便促进薄膜的形成。如果材料是聚合物，利用溶剂淀积、但也可以采用其它方法例如溅射或从供体板(donor sheet)的热转换。将通过升华淀积的材料可以从升华“船皿”蒸发，升华“船皿”通常由钽材料组成，即如US6237529中所述，或者首先在供体板上进行涂敷、然后在最靠近衬底处升华。具有混合材料的各层可以使用各个独立的升华船皿，或预混合材料然后从单一船皿或供体板涂敷。
大多数OLED器件对水汽或氧或两者都敏感，因此通常在惰性气体环境例如氮气或氩气中同时用干燥剂进行密封。干燥剂例如包括矾土、铁矾土、硫酸钙、粘土、硅胶、沸石、碱金属氧化物、碱土金属氧化物、硫酸盐或金属卤化物和高氯酸盐。包封方法和干燥剂包括但不限于US6226890中所述的那些材料。此外，对于包封剂现有技术中已经公知采用阻挡层例如SiOx、Teflon和可交替的无机/聚合物层。
为了提高OLED器件所需的特性，本发明的OLED器件可以采用各种公知的光学效应。这包括优化各层的厚度以便产生最大的光发射，提供介质镜结构，在灯上提供反眩光或提供抗反射涂敷物，在灯上提供偏振介质，或在灯上提供彩色、中性色度，或提供彩色偏转滤色镜。可以在盖或盖的一部分上设置滤色镜、偏振器和反眩光或抗反射涂敷物。
权利要求
1.一种OLED灯，包括a)一个衬底；b)在该衬底上形成的非像素型OLED，该OLED包括i)在该衬底上形成并从该衬底的第一边缘向该衬底相对的第二边缘延伸的第一电极，ii)在第一电极的顶部上形成的OLED发光结构，该OLED发光结构使邻近该衬底的第一边缘的第一电极的一部分保留暴露状态，以及iii)在该OLED发光结构之上形成并延伸到该衬底的第二边缘的第二电极；以及e)位于该非像素型OLED之上的包封盖，它使第一电极和第二电极的一部分保留暴露状态，用于形成灯的电接触。
2.根据权利要求1的OLED灯，其中衬底是刚性玻璃。
3.根据权利要求1的OLED灯，其中衬底是柔性材料。
4.根据权利要求1的OLED灯，其中包封盖是刚性盖。
5.根据权利要求1的OLED灯，其中包封盖是涂敷层。
6.根据权利要求1的OLED灯，其中衬底为矩形，电极和OLED发光层在垂直于第一边缘和第二边缘的方向上延伸至衬底的相对的边缘，并且包封盖在相对边缘附近延伸。
7.根据权利要求1的OLED灯，其中衬底、电极和包封盖是透明的。
8.根据权利要求1的OLED灯，还包括在衬底的相对侧上形成的第二非像素型OLED，并且包封盖位于第二非像素型OLED之上。
9.根据权利要求1的OLED灯，还包括反射层，用于从衬底的一侧直射光。
10.根据权利要求1的OLED灯，其中非像素型OLED进一步包括iv)第二OLED发光结构，形成在第二电极的顶部上并位于第一OLED发光结构之上；以及v)第三电极，形成在第二OLED发光结构之上并电连接到第一电极。
11.根据权利要求10的OLED灯，其中非像素型OLED进一步包括vi)第三OLED发光结构，形成在第三电极的顶部上并位于第二OLED发光结构之上；以及vii)第四电极，形成在第三OLED发光结构之上并电连接到第二电极。
12.一种制造OLED灯的方法，包括步骤a)提供一个衬底；b)在该衬底上形成第一电极，第一电极从该衬底的第一边缘向该衬底相对的第二边缘延伸；c)在第一电极的顶部上形成非像素型OLED发光结构，该非像素型OLED发光结构使邻近该衬底的第一边缘的第一电极的一部分保留暴露状态；d)在OLED发光结构之上形成第二电极，第二电极延伸至该衬底的第二边缘；e)在第一电极、OLED发光结构和第二电极之上设置包封盖，该包封盖保留第一电极和第二电极的暴露部分，用于形成与灯的电接触。
全文摘要
一种OLED灯，包括一个衬底；在该衬底上形成的非像素型OLED；该OLED包括在该衬底上形成并从该衬底的第一边缘向该衬底相对的第二边缘延伸的第一电极，在第一电极的顶部上形成的OLED发光结构，该OLED发光结构保留邻近该衬底的第一边缘的第一电极的部分暴露，以及在该OLED发光结构之上形成并延伸到该衬底的第二边缘的第二电极；以及位于该非像素型OLED之上的包封盖、它保留第一电极和第二电极的暴露部分，用于与灯的电接触连接。
文档编号H05B33/12GK1497750SQ03132750
公开日2004年5月19日 申请日期2003年9月30日 优先权日2002年9月30日
发明者R·S·科克, R S 科克 申请人:伊斯曼柯达公司