专利名称：发光装置及电子仪器的制作方法
技术领域：
本发明涉及以有机EL(电致发光)装置和无机EL装置为代表的发光装置及搭载了该发光装置的电子仪器。
背景技术：
底部出射型有机EL装置，例如玻璃等透明的基板上借助于绝缘膜设置多个发光元件(像素)，在与各像素对应的区域内形成配线等。由各像素发生的光透过该基板出射。这种基板在使来自发光层的光向外部透过的同时，往往使来自外部的光也入射到有机EL装置内部。在有机EL装置的内部，各像素的发光部分与其以外像素间的面积比例如为4∶6左右，自外部透过基板入射光的大部分，被像素间设置的配线反射。而且，即使不被配线反射，也往往被透过像素等形成阴极的共用电极所反射。因此，当驱动有机EL装置时，在显示面上因来自像素的发光与被配线和共用电极的反射光混合显示，所以引起对比度降低。
为了抑制这种对比度的降低，正如专利文献1所公开的那样，过去有人提出采用在配线之间配置吸收光的有机材料作为黑色矩阵(黑底)，使入射光不能达到配线和共用电极的方法，以及将圆偏光板重叠在显示部上，使被内部反射的光不会向外部泄漏的方法。
专利文献1特开平10-214043号公报然而，因圆偏光板价格昂贵，使采用该圆偏光板的发光装置成本增大。另一方面，在上述专利文献1记载的方法中，需要将黑色矩阵图案化得将配线之间掩埋，由于制造工序繁杂而难于实施，而且黑色矩阵含有元素碳，所以在配线彼此之间存在碳使电学上导通的可能性增高。
发明内容
鉴于上述情况，本发明的目的在于提供一种不经繁杂的制造工序，同时能抑制配线与阴极的光反射的情况下能够实现对比度的提高，此外还能降低制造成本的发光装置，以及搭载了该发光装置的电子仪器。
为了达成上述目的，本发明涉及的发光装置，是具有透明基板、设置在所述基板一侧并由电信号而发光的发光层、和所述发光层上传导所述电信号用的导电部，所述发光层的光透过所述基板出射的发光装置，其特征在于，在所述导电部与所述基板之间，在与所述导电部所定的距离内，设置使通过所述基板入射的一部分入射光反射，透过剩余入射光的光的半透半反射层。
本发明中，透过基板的入射光，一部分由光的半透半反射层反射，其余的透过半透半反射层因被导电部反射而返回。因此，通过使光的半透半反射层与导电部之间距离处于所定距离，能使被光的半透半反射层反射的光与被导电部反射的光产生干涉作用而消失。这样一来，当驱动该发光装置时，由于看不到来自导电部的反射光，所以能够提高对比度。而且本发明中，例如由于无需图案化得将配线间掩埋，所以不必采用圆偏光板。因此本发光装置能够在不经繁杂的制造工序的条件下以低成本制造。
而且在光的半透半反射层与导电部之间能够插入各种透明的绝缘材料，所以材料的选择自由。此外，例如像黑色矩阵那样配置吸收光部分的情况下，被转换成的热量因被该光吸收材料蓄热而对发光装置产生有害影响的担心，在本发明中由于配置光的半透半反射层，光因干涉而互相抵消，所以没有蓄热问题，因而能够稳定驱动发光装置。特别是将本发明用于有机EL装置的情况下，能够在对发光层不产生有害影响的情况下驱动装置。
其中有关“所定距离”，优选使被光的半透半反射层反射的光与被导电部反射的光因互相干涉而消失的距离，例如产生0次干涉的距离。但是，当光的半透半反射层与导电部因过于接近而难于插入绝缘材料的情况下，也可以采用一次干涉和二次干涉的距离。而且，入射光的“一部分”和“其余”用词，是就入射光的强度和光量的“一部分”和“其余”而言的，而不是指波长成分的“一部分”和“其余”。
而且，所述光的半透半反射层，优选设置得与所述导电部的图案具有大体相同的图案。这种情况下，也可以使形成的图案与导电部的形状相同。这样，在制作导电部和光的半透半反射层时可以重复同样的操作，无需设置特别的制造工序。而且还可以在比导电部更广的范围内形成光的半透半反射层。这样，例如也可以使来自倾斜方向的光透过和反射，进一步提高对比度。
本发明优选具有与所述导电部和所述发光层电连接的晶体管，所述导电部相当于所述晶体管的栅极线和源线中的至少一方。通常在TFT有源矩阵型发光装置中，分别在各发光层形成晶体管，在各晶体管上形成配线的栅极线或源线等。这样对于在发光层间形成多个配线的TFT有源矩阵型发光装置而言，由于能够抑制在该配线的反射，所以本发明的意义极大。
所述导电部优选是所述发光层的共用电极。根据本发明，由于透过发光层后被共用电极反射的光能够互相抵消，所以对比度更加良好。这种情况下，光的半透半反射层优选在与成为阴极的共用电极具有所定距离之处形成。
另外，优选这样设置所述光的半透半反射层，当所述所定距离为d1、所述入射光的波长为λ1、所述导电部与所述光的半透半反射层之间区域的折射率为n1、0以上的整数为m1时，所述距离d1可以表示为d1＝λ1(1/2+m1)/2n1…………(式1)。
本发明通过采用所谓“布喇格”公式计算所定距离d1，因配置光的半透半反射层而能提高干涉的精度。
其中上述(式1)中的λ1值优选为处于可见光中心波长附近的值。即使在可见光中中心波长附近的光也能被人以高灵敏度识别。根据本发明，由于能够抑制该中心波长附近光的反射，所以与抑制其他波长光反射的情况相比反射光更减少。这样能够进一步提高对比度提高效果。
而且优选将所述光的半透半反射层的透过率与反射率设定得，使被所述光的半透半反射层反射的反射光强度，与透过所述光的半透半反射膜被所述导电部反射后，再次透过所述光的半透半反射膜返回的光强度大体相等。这样，被光的半透半反射层反射的光与被导电部反射的光将几乎完全消失。
此外，所述光的半透半反射层优选由金属构成。本发明的光的半透半反射层，由于处于引起光干涉所需的必要部位上，所以折射率、层厚等物理特性将会发生变化，因而不好。金属除水银等液体金属以外，即使在高温下也具有比树脂难于变形的性质。因此，当驱动该发光装置时，很难因发热而变形，由于折射率、层厚等物理特性不变，所以能够维持高对比度的状态。作为本发明可以采用的金属，例如优选铝等反射型强的金属。将这种金属制成薄膜层的情况下，也能使光透过。这种情况下，为了提高膜质在铝中也可以加入例如铜和钕等。
本发明的其他方式涉及的发光装置，是具有透明基板、设置在所述基板一侧并由电信号而发光的发光层、和处于所述发光层上传导所述电信号用的导电部，来自所述发光层的光透过所述基板出射的发光装置，其特征在于，其中具备被设置在所述导电部与所述基板之间将来自所述基板侧的光反射的反射层和，被设置在所述光反射层与所述基板之间处于与所述光反射层间隔所定的距离内，使通过所述基板入射的一部分入射光透过，反射剩余入射光的光的半透半反射层。
本发明中，透过光的半透半反射层的光由于不会被导电部反射，而另外设置用于反射该光的光反射层，所以不受导电部设置的约束，能够在任意场所设置该光反射层。例如不仅在形成了导电部的区域，而且还可以在发光层周边全部区域内形成光的半透半反射层。而且关于构成光反射层的材料，不管是否具有导电性，可以选择反射特性特别优良的最佳材料。
而且所述光的半透半反射层优选设置得与所述光反射层图案具有大体相同的图案。这种情况下，也可以使光的半透半反射层的形状形成得与光反射层的形状相同。这样在制作光的半透半反射层和光反射层的情况下可以重复同样的工序，无需设置特别制造工序。而且还可以在比光反射层更广的范围内形成光的半透半反射层。这样一来，也能将例如来自倾斜方向的光透过·反射，对比度进一步提高。
而且优选使光反射层和所述光的半透半反射层设置得，当将所述所定距离为d2、所述入射光的波长为λ2、所述光反射层与所述光的半透半反射层之间区域的折射率为n2、0以上的整数为m2时，所述距离d2可以表示为d2＝λ2(1/2+m2)/2n2…………(式2)。
本发明通过采用所谓“布喇格”公式计算所定距离d2，因配置光反射层和所述光的半透半反射层而能提高干涉的精度。
此外，所述(式2)中的λ2值优选为处于可见光中心波长附近的值。根据本发明，由于能够抑制视觉灵敏度高的该中心波长附近光的反射，所以与抑制其他波长光反射的情况相比能够进一步减少反射光。这样能够使对比度提高效果进一步提高。
而且优选将所述光的半透半反射层的透过率与反射率设定得，使被所述光的半透半反射层反射的反射光强度，与透过所述光的半透半反射膜被所述光反射层反射后再次透过所述光的半透半反射膜的光强度大体相等。这样能够使被光的半透半反射层反射的光与被光反射层反射的光几乎完全互相抵消。
所述光的半透半反射层优选由金属构成。当驱动该发光装置时很难因发热而变形，由于折射率、层后等物理特性也不变，所以能够维持高对比度的状态。
本发明涉及的电子仪器，其特征在于，其中搭载有上述发光装置。
这样，能够得到一种对比度高、制造成本低的电子仪器。
图1是表示本发明的第一种实施方式涉及的有机EL装置全体结构的立体图。
图2是有机EL装置的平面图。
图3是表示图2中A-B方向上有机EL装置的构成的截面图。
图4是表示图2中C-D方向上有机EL装置构成的截面图。
图5是将图4的一部分放大的截面放大图。
图6是示意表示有机EL装置的等效电路的示意图。
图7(a)是未设半反射镜时的有机EL装置的说明图，(b)是表示显示画面的平面图。
图8(a)是设置半反射镜的有机EL装置的原理说明图，(b)是表示显示画面的平面图。
图9是表示本发明的第二种实施方式涉及的有机EL装置全体构成的截面图。
图10是表示本发明涉及的电子仪器的构成的立体图。
图中K…像素区域，L…像素间，1…EL装置，2…基板，3…EL元件，11…基底保护层，12…硅膜，13…栅绝缘层，14、37、50…半反射镜，4…共用电极，51…第一透明层，52…反射层，53…第二透明层，3000…移动电话机，3003…显示部具体实施方式
(第一种实施方式)以下基于
本发明的第一种实施方式。以下各图中为了将各种部件绘成图中能够识别的尺寸，对比例做了适当变更。
图1是示意表示有机EL装置全体构成的立体图。
有机EL装置1，具有在基板2上形成的电路元件和配线以及绝缘层等的基体10，在此基体10上形成的有机EL元件3，和在基体10的端部上安装的外部电路4。在外部电路4供给的电信号下有机EL元件3发光，能够显示图像或动画等。而且形成密封部分5将有机EL元件3和基体10覆盖。在以下本实施方式中，以本身是形成了薄膜晶体管(Thin filmTransistorTFT)的有源矩阵型的，而且由有机EL元件3发生的光透过基体10取出的底部出射型的有机EL装置1为例加以说明。
图2是图1的有机EL装置1的平面图。此图中，省略了图1的有机EL元件3和密封部分5。图3是表示有机EL装置1沿着A-B截面的截面图。图4是表示有机EL装置1沿着C-D截面的截面图。图5是表示有机EL装置1的实际显示区域P的截面放大图。
如图2所示，基体10被区分为像素部7(一点划线之内的区域)和周缘部8(一点划线之外的区域)，在像素部7内，被进一步区分为实际显示区域P(二点划线之内的区域)和虚设区域Q(一点划线与二点划线之间的区域)。而且像素部7的实际显示区域P被区分成来自有机EL元件3的光透过的像素区域K，和配置电极和配线等的像素间L。
以下参照图3、4和5加以说明。作为基体10构成要素的基板2例如是用玻璃、石英、树脂(塑料片、塑料膜)等制成的透明基板。本实施方式涉及的有机EL装置1由于是底部出射型的，为了取出光基板2需要是透明的。其中，由于将基板2制成透明的，所以外部光往往透过基板2抵达内部。在基板2的表面2b上例如形成SiO2等透明基底保护层11作为基底。
如图5所示，在像素部7的实际显示区域P内，在基底保护层11上形成硅膜12、第一绝缘层(栅绝缘层)13、半反射镜14、栅配线15、第二绝缘层16、源配线17、漏电极18和第三绝缘层19。这些在像素间L上形成。而且如图3、4所示，在像素部7的虚设区域Q内，在基底保护层11上形成扫描驱动电路20、数据驱动电路21、检查电路22等。而且还形成与外部电路部4连接的电源线(图中未示出)。
硅膜12形成具有通道区域、源区和漏区的驱动用晶体管。硅膜12中，夹持栅绝缘层13并与栅配线15重叠的区域是通道区域12a。在通道区域12a的源侧形成低浓度源区12b和高浓度源区12s，在通道区域12a的漏侧形成有低浓度漏区12c和高浓度漏区12d。因此驱动用薄膜晶体管具有LDD(Light Doped Drain)结构。
在高浓度源区12s和高浓度漏区12d上，形成有与栅绝缘层13和第二绝缘层16连接开孔的接触孔23、24。而且在高浓度漏区12d一侧形成有将第三绝缘层19贯通的接触孔25，使之与像素电极(阳极31)连接。
栅绝缘层13例如是用SiO2和SiN等形成的透明层，将硅膜12和栅配线15连接。
栅配线15和源配线17，如图2所示被分别配置成矩阵状，栅配线15例如用铝或铜等沿着图2的X方向延伸形成，而且源配线17沿着与栅配线15大体正交的图2的Y方向延伸形成的。源配线17借助于接触孔23和源电极17a与高浓度源区12s连接。而且漏电极18与高浓度漏区12d连接的。
第二绝缘层13是主要由SiO2组成的透明层，将栅配线15、源配线17和漏电极18绝缘的。
在栅绝缘层13上形成例如与源配线17同一形状的半反射镜14。半反射镜14，例如用铝等金属制成形成薄膜状的情况下，透过基底保护层11和栅绝缘层13的一部分光朝着基板2反射，其余的光能够透过。为了提高膜质，也可以在铝中添加例如铜或钕等。
优选这样设置半反射镜14，当外部的入射光的波长为λ1，源配线17与半反射镜14之间区域(本实施方式中，第二绝缘层16)的折射率为n1、0以上的整数为m1时，由公式d1＝λ1(1/2+m1)/2n1…………(式1)表示的距离为d1。一旦这样设置，透过基板2被半反射镜14反射的光，与直接透过半反射镜14被源配线17反射的光可以因干涉而消失。
而且在可见光中在中心波长附近的光由于能被人以高灵敏度识别，所以若能抑制中心波长附近的光反射，则与抑制其他波长光的反射情况相比，能够进一步减少反射光。而且，更优选将半反射镜设定得当将λ1定为可见光的中心波长，例如520纳米时算出的d1距离处。本实施方式中，由于第二绝缘层16(SiO2)的折射率为1.46，所以0次干涉(m1＝0)将在d1＝89纳米的距离处产生。因此，应当将半反射镜14设置在从源配线17离89纳米距离之处。
如上所述，为在所定距离设置半反射镜14，例如可以对源配线17与半反射镜14所夹持的第二绝缘层16的膜厚进行适当调整。也就是说，当d1＝89纳米时计算的情况下，将第二绝缘层16的膜厚定为89纳米时，能够将半反射镜14设置在所需的距离之处。
而且通过调节半反射镜14的膜厚(即调整反射率和透过率)，能够改变被此半反射镜14反射的光强度，和透过半反射镜14光的强度。例如，若将半反射镜14的膜厚减薄，则透过光的强度将增大，反射光的强度将减小。反之，若将半反射镜14的膜厚加厚，则透过光的强度将减小，反射光的强度将增大。因此，使透过基板2被半反射镜14反射的光强度，与直接透过反射镜14后被源配线17反射后，再次透过半反射镜的光强度相同的膜厚(例如10纳米)，而且在光的相位相反的距离处形成半反射镜14是适当的。若能这样，则透过半反射镜14被源配线17反射的光，与被半反射镜14反射的光因互相完全干涉而消失。
其中，这里虽然将n1定为第二绝缘层16的折射率，但是例如在栅绝缘层13内设置半反射镜14的情况下，由于该半反射镜14与源配线17之间的区域包含栅绝缘层13和第二绝缘层16，所以其折射率均以d1计算。而且如上所述，也可以使图案形成得使半反射镜14的形状与源配线17的形状相同，还可以通过使半反射镜14形成得比源配线17更广，使来自倾斜方向的光透过和反射。
第三绝缘层19，例如用丙烯系树脂，将源配线17与漏电极18和接触孔25绝缘。其中，也可以使用丙烯系以外的材料，例如SiN、SiO2等。
而且被设置在虚设区域Q上的扫描驱动电路20，具有移位寄存器等存储器和改变信号水平的电位移位器等电路，与栅配线15相连接。数据驱动电路21，除这些移位寄存器和电位移位器以外，还有视频线或模拟移位器等电路，与源配线17相连接。扫描驱动电路20和数据驱动电路21，借助于驱动控制信号线28a、28b(参照图3、4)与驱动部4连接的，通过该外部电路4的控制，向栅配线15和源配线17输出信号。检查电路22，用来检查有机EL装置1动作状况的电路，具备例如将检查结果向外部输出的检查信息输出机构(未图示)等，其构成为能够对制造过程中或出厂时显示装置的质量、缺陷进行检查。而且，扫描驱动电路20和数据驱动电路21以及检查电路22，通过驱动电源配线29a、29b与电源连接。
在周边部8形成与有机EL元件3连接的连接用配线27。这种连接用配线27与外部电路4连接，通过该连接用配线27将来自外部电路4的电信号供给有机EL装置。
另一方面，有机EL元件3具有阳极31、空穴注入层32、发光层33、共用电极(阴极)34、像素开口膜35和有机贮格围堰(bank)36。这些被层叠在上述的基体10上。阳极31、空穴注入层32和发光层33在像素区域K上形成，而像素开口膜35和有机贮格围堰36主要在像素间L上形成。
阳极31，是向空穴注入层32上注入空穴用的透明电极，例如用ITO(铟锡氧化物)等形成，借助于接触孔25与漏电极18连接。
空穴注入层32，是向发光层33输送从阳极31注入的空穴用的层，例如由聚噻吩衍生物、聚吡咯衍生物或其掺杂体等形成的。而且阴极34是根据来自外部电路4的电信号向发光层33注入电子用的层，例如可以用钙等金属形成的。阴极34，具备比实际显示区域P和虚设区域Q更广的面积，形成得分别将其覆盖，形成得将有机EL元件3的外侧覆盖的形状。这种阴极34与连接用配线27相连，借助于连接用配线27与外部电路4连接。其中在制造时为了防止阴极34的腐蚀，也可以在阴极34的上层部分形成例如铝等保护层。
发光层33可以用能够发出荧光或磷光的公知发光材料，例如低分子材料或高分子材料形成。这种发光层33中，因来自空穴注入层的空穴与来自阴极34的电子互相结合而发光。发光层33有发出红色光的层(33R)、发出绿色光的层(336)和发出蓝色光的层(33B)三种。从各发光层33R、336、33B发出的光，透过阳极31、空穴注入层32和基体10时，可以在基板2的实际显示区域P显示图像或动画等。
像素开口膜35是区分像素区域K的绝缘膜。这种像素开口膜35，能使来自阳极31的空穴在开口部35a中移动，同时隔离得使空穴在开口部35a以外不产生移动。
有机贮格围堰层36，是利用喷墨法等液滴喷出法形成空穴注入层32和发光层33时的隔壁，而且将其隔离得相邻的空穴注入层32和发光层33之间不会产生空穴的移动。有机贮格围堰层36，例如可以用丙烯或聚酰亚胺等形成。其中，从基板2内部透过入射到内部的光，抵达阴极34后有时也被该阴极34反射，所以可以在此有机贮格围堰36内设置半反射镜37，使其处于与阴极34距离上述所定距离D1之处。半反射镜37与上述半反射镜14同样，能将透过基板2后入射的一部分光反射，使其余的光透过。
图6是示意表示这样构成的有机EL装置1中配线结构的示意图。
根据这种有机EL装置1，一旦借助于栅配线15使栅信号达到高电压电平，开关用TFTi00就会处于开启状态。于是此时的源配线17的电位将被保持电容101所保持，根据该保持电容101的电位状态决定驱动用TFT12的开启电流值。驱动用TFT12根据此状态使电流从电源线102流入阳极31。阳极31借助于空穴注入层32向发光层33供给空穴，电子从阴极34向发光层33移动。这样电流从阳极31向阴极34流动，发光层33根据此电流量而发光。其中保持电容101也可以利用上述半反射镜14形成。
以下简要说明本发明涉及的有机EL装置1的制造工序。其中在本实施方式中，说明基体10和有机EL元件3像素部7的区域的形成工序，关于形成周缘部8工序的说明省略。
首先，采用公知方法在基板2上形成基底保护层11，在其上形成硅膜12，利用激光退火法进行多晶硅化。用栅绝缘膜13将硅膜12覆盖后，形成栅配线15。
其次在栅绝缘层13上将半反射镜14图案化形成与源配线17大体相同的图案。在半反射镜14上，以使该半反射镜14与源配线17的距离达到上述距离d1所决定的膜厚形成第二绝缘层16。
进而形成接触孔23、24，以及借助于这些接触孔23、24与半导体12的源区12s和漏区12d连接的源电极17a和漏电极18，接着在第二绝缘层16上以与半反射镜14同一图案将源配线17图案化得与半反射镜14重叠。然后在源配线17和漏电极18上形成将全体覆盖的绝缘层19，图案化而形成漏侧的接触孔25。而且，接触孔25在像素区域K上形成以便与阳极31连接。这样可以形成驱动电路部。
以下说明有机EL元件3的形成工序。
在覆盖基体10全面的第三绝缘层19上，使形成阳极31的透明导电膜成膜，将此导电膜图案化得使其在像素区域K上形成阳极31。此时，同时也将形成虚设图案(未图示)。通过本工序，借助于接触孔25在像素区域K中将阳极31和漏电极18连接。
接着在第三绝缘层19的露出部分上，使作为绝缘层的像素开口膜35形成得与阳极31稍微重叠。
在此像素开口膜35上，用将丙烯树脂、聚酰亚胺树脂等抗蚀剂溶解在溶剂中的材料，借助于旋涂法、浸涂法等各种涂布方法形成有机贮格围堰层36。在有机贮格围堰36内也可以将贮格围堰形成工序分成两次，中间形成半反射镜37。
进而将全面在所定温度，例如70～80℃下加热，实施O2等离子体处理。这种等离子体处理是在大气气氛中以氧作反应气体的处理，分别使像素开口膜35的壁面35a、上面35b和阳极31的表面亲液化。而且在大气气氛中通过以四氟甲烷作反应气体的CF4等离子体处理，能使有机贮格围堰36的上面36b和开口部36a具有疏液性。然后将各部分冷却到室温。
接着例如采用喷墨法等液滴喷出法和旋涂法等注入空穴注入层32。然后进行干燥处理和热处理，在阳极31上形成空穴注入层32。注入的液滴在被亲液化处理的有机贮格围堰层36上扩展，开口部35a内被充满，另一方面在经过疏液性处理的有机贮格围堰层36的开口部36a和上面36b上几乎不附着液滴。而且在本工序以后，为了防止空穴注入层32和发光层33氧化，优选在氮气气氛、氩气气氛等惰性气体气氛下进行。
将空穴注入层32干燥退火后，例如用喷墨法在空穴注入层32上喷出发光层形成材料，进行干燥处理和热处理后形成发光层33。本工序中，例如在蓝色显示区域选择性涂布发光层33B的材料，干燥处理后，也同样就绿色(336)和红色(33R)分别在各自的显示区域上每种颜色进行选择性涂布和干燥处理。而且必要时，还可以在发光层33上形成电子注入层。
干燥和退火之后，例如采用蒸镀法等物理气相蒸镀法使钙成膜形成阴极34。阴极34将形成发光层33、有机贮格围堰层36的上面36b、有机贮格围堰层36的外侧部的壁面36c覆盖，与上述的连接用配线27连接。
还有，在阴极34上形成阴极保护层的情况下，利用蒸镀法等物理气相蒸镀法使例如铝等膜在阴极34上成膜。由密封部分5将包括这样形成的驱动电路部的基体10及有机EL元件3的几乎全体密封在罐中，制成有机EL装置1。
以下利用图7(a)、(b)和图8(a)、(b)对本实施例和已有实例进行比较。其中在本图中仅就原理进行表示，细节将被省略。
图7与本实施方式不同，是表示未设置半反射镜14或37的情况，通过基板2入射的光被源配线17或阴极34等所反射，由于与发光层33发出的光同时射出，所以显示对比度显著降低。这种情况用处于像素之间的源配线17阴影的有无来表示。另一方面，在图8所示的本实施方式的情况下，由于设置了半反射镜14或37，所以透过基板2的光，一部分被半反射镜14或37所反射，其余的光透过此半反射镜14或37后，因被源配线17或阴极34反射而返回。但是此时，通过将半反射镜14与源配线间的距离，和半反射镜37与阴极34之间的距离分别定为上述所定的距离d1和d2，被半反射镜14或37反射的光，与因被源配线17或阴极34反射而返回的光，能够在半反射镜外因互相干涉而消失。因此，当驱动该有机EL装置1时，实际显示区域P的反射光由于受到抑制，所以能使对比度提高。而且在本实施方式中，由于也可以在形成了源配线17或阴极34的部分上形成半反射镜14或37，所以无需在栅配线15和源配线17等配线之间将黑色矩阵掩埋，而且也不必采用圆偏光板等。这样，能够在不经复杂的制造工序的前提下提供低成本的有机EL装置。
(第二种实施方式)以下说明本发明涉及的第二种实施方式。与第一种实施方式同样，在以下各图中为了将各种部件绘成图中能够识别的尺寸，对比例做了适当变更。而且关于与第一种实施方式相同的构成要素将赋予同一符号，其说明将被省略。本实施方式中，由于半反射镜的构成与第一种实施方式不同，所以以此点为中心加以说明。
图9是示意表示本实施方式涉及的有机EL装置200的截面图。
有机EL装置200，具有在基板2上形成的电路元件和配线以及绝缘层等的基体10，在此基体10上形成的有机EL元件3，和在基体10的端部2a(图2)上安装的外部电路4。在外部电路4供给的电信号下有机EL元件3发光，能够显示图像或动画等。本实施方式中，是形成了薄膜晶体管(Thin film TransistorTFT)的有源矩阵型的，而且由有机EL元件3发生的光透过基体10取出的底部出射型有机EL装置。因此，本实施方式虽然与第一种实施方式大体相同，但是在基体10的基底保护层11上形成半反射镜50、第一透明层51、反射层52和第二透明层53这一点上不同。
半反射镜50，例如，通过用钼等金属事先形成得将像素间L全体覆盖，制成薄膜状，一部分透过基板2和基底保护层11的光朝向基板2反射，其余的能够透过。而且反射层52与半反射镜50同样例如用钼等金属形成得，将第一透明层51夹持并与半反射镜50重叠。反射层52形成得几乎足以使透过反射镜50的光全反射的厚度，例如50纳米左右。
第一透明层51被设置在基底保护层11上将半反射镜50覆盖，第二透明层53被设置在第一透明层51上将反射镜52覆盖。第一透明层51和第二透明层53例如用SiO2等透明材料形成。
半反射镜50与反射层52既可以具有同一形状，半反射镜50也可以形成得比反射层52更宽。而且半反射镜50与反射层52之间的距离d2，当入射光的波长为λ2，第一透明层51的折射率为n2、0以上的整数为m2时，可以设定为由公式
d2＝λ2(1/2+m2)/2n2…………(式1)表示的d2。这样设置的情况下，与第一种实施方式同样，透过基板2被半反射镜50反射的光，与直接透过半反射镜50被反射层52反射的光，将因与再次透过半反射镜50的光互相干涉而消失。
将第一透明层51调整到与上述距离d2吻合的厚度不难，而且当将λ2设定在可见光中心波长520nm的情况下，能够有效提高对比度这一点与第一种实施方式也相同。此外，若将半反射镜50形成得能使被半反射镜50反射的光强度与二次透过半反射镜50后返回的光强度达到几乎相等的膜厚(换言之，反射率和透过率)，则从能够几乎完全使之干涉和衰减的观点来看，与第一种实施方式也相同。
而且在形成半反射镜50的工序中，在基底保护层11的实际显示区域P上，在一面形成钼薄膜后，由于可以借助于图案化法除去像素部K的一部分，所以形成得极为容易。就反射层52而言也能同样形成。
综上所述，根据本实施方式，由于透过半反射镜50的光不被源配线17或阴极34所反射，需要另外设置使该光反射用的反射层52，所以能够不受源配线17或阴极34配置上的约束，可以在任意区域上设置该反射层52。例如不仅形成了源配线17的区域，而且也可以在像素间L的全部区域上形成半反射镜50和反射层52。此外，关于构成反射层52的材料，因为可以不管是否具有导电性，所以能够选择反射特性良好的最佳材料。
(电子仪器)以下列举移动电话机作为实例，说明本发明涉及的电子仪器。
图10是表示移动电话机3000全体构成的立体图。
移动电话机3000具有筐体3001、设有多个操作按钮的操作部3002、显示图像或动画、文字等的显示部3003。在显示部3003上可以搭载本发明涉及的有机EL装置1。
本实施例，由于搭载了如上所述不经复杂的制造工序就能抑制外部光反射的有机EL装置1，所以可以得到对比度高、制造成本低的电子仪器。
另外，本发明的技术范围并不限于上述实施方式，可以在不超出本发明要点的范围内作适当的变更。例如上述实施方式中，虽然就源配线17或阴极34形成了半反射镜14，但是例如也可以就栅配线15或电源线102形成作为反射光对策的半反射镜。这样，由于也能抑制栅配线15或电源线102的反射，所以能够进一步提高对比度。
权利要求
1.一种发光装置，是具有透明基板、设置在所述基板一侧并由电信号而发光的发光层、和所述发光层上传导所述电信号用的导电部，所述发光层的光透过所述基板出射的发光装置，其特征在于，在所述导电部与所述基板之间，在与所述导电部所定的距离内，设置使通过所述基板入射的一部分入射光反射，透过剩余入射光的光的半透半反射层。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，将所述光的半透半反射层设置得与所述导电部的图案具有大体相同的图案。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，其中具有与所述导电部和所述发光层电连接的晶体管，所述导电部相当于所述晶体管的栅极线和源线中的至少其中之一。
4.根据权利要求1或2所述的电致发光装置，其特征在于，所述导电部是所述发光层的共用电极。
5.根据权利要求1～4中任何一项所述的发光装置，其特征在于，将所述光的半透半反射层设置得，当所述所定距离为d1、所述入射光的波长为λ1、所述导电部与所述光的半透半反射层之间区域的折射率为n1、0以上的整数为m1时，所述距离d1可以表示为d1＝λ1(1/2+m1)/2n1…………(式1)。
6.根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于，其中式1中的λ1值为处于可见光中心波长附近的值。
7.根据权利要求1～6中任何一项所述的发光装置，其特征在于，将所述光的半透半反射层的透过率与反射率设定得，使被所述光的半透半反射层反射的反射光强度，与透过所述光的半透半反射膜被所述导电部反射后，再次透过所述光的半透半反射层返回的光强度大体相等。
8.根据权利要求1～7中任何一项所述的发光装置，其特征在于，所述光的半透半反射层由金属构成。
9.一种发光装置，是具有透明基板、设置在所述基板一侧并由电信号而发光的发光层、和所述发光层上传导所述电信号用的导电部，来自所述发光层的光透过所述基板出射的发光装置，其特征在于，具备被设置在所述导电部与所述基板之间，将来自所述基板侧的光反射的光反射层；在所述光反射层与所述基板之间，与所述光反射层间隔所定的距离而设置，使通过所述基板入射的一部分入射光反射，透过剩余入射光的光的半透半反射层。
10.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于，将所述光的半透过的半反射层设置得与所述反射层图案具有大体相同的图案。
11.根据权利要求9或10中所述的发光装置，其特征在于，将所述光反射层和所述光的半透半反射层设置得，当将所述所定距离为d2、所述入射光的波长为λ2、所述光反射层与所述光的半透半反射层之间区域的折射率为n2、0以上的整数为m2时，所述距离d2可以表示为d2＝λ2(1/2+m2)/2n2…………(式2)。
12.根据权利要求11所述的发光装置，其特征在于，其中式2中的λ2值为处于可见光中心波长附近的值。
13.根据权利要求9～12中任何一项所述的发光装置，其特征在于，将所述光的半透半反射层的透过率与反射率设定得，使被所述光的半透半反射层反射的反射光强度，与透过所述光的半透半反射膜被所述光反射层反射后，再次透过所述光的半透半反射膜的光强度大体相等。
14.根据权利要求9～12中任何一项所述的发光装置，其特征在于，其中所述光的半透半反射层由金属构成。
15.一种电子仪器，其特征在于，其中搭载了权利要求1～14中任何一项所述的发光装置。
全文摘要
提供一种不经复杂的制造工序就能抑制配线和阴极的光反射，提高对比度，而且还能降低制造成本的发光装置及搭载了该发光装置的电子仪器。透过基板(2)的入射光，一部分被半反射镜(14)或(37)反射，其余透过此半反射镜(14)或(37)，被源配线(17)或阴极(34)反射而返回。因此，通过将半反射镜(14)与源配线(17)，半反射镜(37)与阴极(34)之间的距离分别设定在各自所定距离，被半反射镜(14)或(37)反射的光，与被源配线(17)或阴极(34)反射的光能够因互相干涉而消失。
文档编号H05B33/26GK1722920SQ200510072809
公开日2006年1月18日 申请日期2005年5月23日 优先权日2004年7月13日
发明者小林英和 申请人:精工爱普生株式会社