专利名称：像素电路、像素驱动方法以及电子机器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种形成图像的电光学装置的像素电路、电光学装置的像素电路的驱动方法以及采用电光学装置的电子机器。
背景技术：
作为电光学装置，周知有液晶显示装置或有机EL(电致发光)显示装置等。有机EL显示装置，其构成像素的电光学元件由有机EL材料组成，具有自然光、宽视野角、薄型、高速响应、低消费电能这样的优点特征，同时因通过采用多晶硅TFT(薄膜晶体管)的周边电路，因而实现更加小型化、轻巧化而备受注目。
然而，由于这种有机EL显示装置的像素间的亮度存在零散，为对其抑制，提出了以电流编程方式为首的各种驱动方式(例如专利文献1)。
电流编程方式具有特征为由于在TFT饱和区域使TFT工作，因此能够对TFT以及有机EL发光元件(以下称作“OLED”)的特性的零散进行补偿。
但是，以往的电流编程方式中，产生的问题在于，因低灰度区域的写入不足、或驱动晶体管的工作点的变动随着给OLED提供的电流的变化会产生灰度偏差。
这里，本发明人提出了一种“电流编程式的时间灰度方式”(特愿2003-367501号)。
该技术，是一种对于具有保持电容器、驱动晶体管、电光学元件的像素提供数据电流，并基于依据其数据电流值由驱动晶体管提供的驱动电流对电光学元件进行驱动的电光学元件的驱动方法，该方法包含与输入的灰度数据无关，将预定的一定值的数据电流提供给所述像素，并对所述电光学元件进行驱动的步骤，和基于灰度数据设置所述电光学元件的驱动时间。这样，就可以消除写入不足、工作点的变动。
但是，在实际的OLED显示屏中使用所述提案的技术的情况下，对于构成显示屏的各个像素，必须对各像素一个一个控制发光时间，因此控制工作或电路构成变得很复杂。
专利文献1美国专利第6229506B1号说明书。
发明内容
本发明其目的在于提供一种更简单地构成控制工作或电路构成的电光学装置的驱动电路、驱动方法以及电子机器。
为实现所述目的，本发明的像素电路，在使电光学元件发光的像素电路中，包含晶体管，其被插入到所述电光学元件的驱动电流路径中；电流值设定电路，其设定所述驱动电流路径的电流值；电平保存机构，其存储所供给的像素信号的电平；和比较电路，其将所存储的像素信号电平和所供给的倾斜电平信号进行比较，并基于比较结果对所述晶体管的工作进行控制。
再有，本发明的像素电路，在使电光学元件发光的像素电路中，包含晶体管，其被插入到所述电光学元件的驱动电流路径中；电流值设定电路，其设定所述驱动电流路径的电流值；和比较电路，对于包含在时间轴上先行的一连串像素信号所组成的像素列信号部分和其后续的倾斜电平信号部分的复合信号，从该复合信号中抽出的1个像素信号，并将其电平和后续的倾斜电平信号进行电平比较，基于比较结果对所述晶体管的工作时间进行控制。
优选，所述电流值设定电路包含驱动晶体管，其被插入到所述驱动电流路径中；电流供给源，其向所述驱动晶体管提供给定值的电流；和电容器，其向所述驱动晶体管提供所述给定值的电流时，保存该驱动晶体管的栅极电压。
优选，所述电光学元件是有机EL发光元件。
本发明的电子机器，在图像显示器中含有上述像素电路。
本发明的像素驱动方法，在使在基板上二维配置的多个像素发光的像素驱动方法中，包含预先设定向各像素提供的电流强度的步骤；将各像素应显示的像素信号存储在各像素的区域的步骤；和对所供给的倾斜电平信号和各像素的像素信号的电平进行比较而根据所述电流强度对各像素的发光时间进行控制的步骤。
本发明的像素驱动方法，在使像素发光的像素驱动方法中，包含预先设定向像素提供的电流强度的步骤；存储所述像素应显示的像素信号的步骤；和将所供给的倾斜电平信号和所述像素的像素信号进行比较而根据所述电流强度对所述像素的发光时间进行控制的步骤。
本发明的像素驱动方法，在使在基板上二维配置的多个电光学元件发光的像素驱动方法中，包含预先设定向各电光学元件提供的电流强度的步骤；从包含在时间轴上先行的一连串像素信号组成的像素列信号部分和其后续的倾斜电平信号部分的复合信号中，选择与各电光学元件的配置区域对应的像素信号并存储其电平的步骤；和将与各电光学元件的配置区域分别对应的各像素信号的电平和所供给的倾斜电平信号进行比较，并根据所述电流强度对各电光学元件的发光时间进行控制的步骤。
本发明的像素驱动方法，在使电光学元件发光的像素驱动方法中，包含预先设定向所述电光学元件供给的电流强度的步骤；从包含在时间轴上先行的一连串像素信号组成的像素列信号部分和其后续的倾斜电平信号部分的复合信号中，抽出1个像素信号并存储其电平的步骤；和对所存储的所述像素信号的电平和所述倾斜电平信号的电平进行比较，根据所设定的所述电流强度对所述电光学元件的发光时间进行控制的步骤。
本发明中，采用电流编程方式的分时驱动方式，由于其构成为使用比较机构(比较电路)作为像素的发光时间控制，因此可以避免烦杂的控制工作。
并且，本发明中，采用电流编程方式的分时驱动方式，由于其构成为，使用单一输入型的比较机构(比较电路)作为像素的发光时间控制，因此可以避免烦杂的控制工作。并且，能够减少构成像素电路的元件数量以及布线数量。
图1表示说明有机EL显示装置一例的框图。
图2表示说明本发明的像素驱动电路一例的电路图。
图3表示说明图2的像素驱动电路中使用的比较电路一例的电路图。
图4表示比较电路的工作(SEL1电平H、SEL2电平L)的说明图。
图5表示比较电路的工作(SEL1电平L、SEL2电平H)的说明图。
图6表示说明配置成矩阵状的像素驱动电路的工作时序图。
图7表示说明其它的比较电路一例的电路图。
图8表示VREF的其它信号波形例的9表示VREF的其它信号波形例的图。
图10为说明电光学装置(有机EL显示装置)一例的框图。
图11表示说明本发明的实施例1的像素电路一例的电路图。
图12表示说明给图11的像素电路提供的信号的时序图。
图13表示说明像素电路的工作的说明图，同图(a)表示信号SEL1电平“H”以及信号SEL2电平“L”的情况；同图(b)表示信号SEL1电平“L”、信号SEL2电平“H”的情况。
图14表示实施例2的像素电路的电路图，图15表示说明给图14的像素电路提供的信号时序图。
图16表示可应用电光学装置的电子机器一例的示意图。
图17为可应用电光学装置的电子机器一例的示意图。
图中10-有机EL显示装置(电光学装置)，11-数据驱动部，12-扫描驱动部，13-有源矩阵部，14-切换部，20-像素电路，23-比较电路，24-PMOS反相器电路，25-NMOS反相器电路。
具体实施例方式
本发明中，在驱动电光学元件的像素时，预先设定根据电流编程方式给各像素提供的电流强度，并且，先将各像素应显示的像素信号存储在像素的区域。接着，将倾斜电平信号提供给所有像素，并与各个像素的像素信号的电平进行比较。基于其结果根据预先设定的电流强度对各像素的发光时间进行控制。这样，就能够根据比较简单的控制顺序进行操作，实现多灰度的显示器。
以下，关于本发明的实施例参照附图进行说明。
实施例1图1为本发明的电光学装置的一例的有机EL显示装置的电连接的电路框图。同图中，有机EL显示装置10具有数据驱动部11、扫描驱动部12以及有源矩阵部13。有源矩阵部13其构成为使后述的多个像素电路20配列成矩阵状。数据驱动部11其给各像素电路20提供相当于图像的各个像素亮度的模拟数据信号VDAT。扫描驱动部12给各行的各像素电路20提供写入时选择信号SEL1以及发光时选择信号SEL2。并且，各像素电路20从未图示的信号源接受所提供的一定的编程电流IPRG以及参照电位VREF，并从电源接受所提供的OLED的电源电压VOEL。
如后述，通过扫描驱动部12依次选择有源矩阵部13的各行的像素电路组，并通过数据驱动部向各行的像素电路组写入相当于发光时间的信号电平VDAT。通过对各像素电路中保存的信号电平VDAT和给各像素电路提供的倾斜电压电平VREF进行比较，决定作为像素的OLED的发光时间。
图2表示所述的像素电路20的构成例。像素电路20，由用于实现电流编程的电流编程电路21、对OLED进行驱动的驱动电路22、比较电路23构成，各电路中所示的晶体管，为薄膜晶体管(TFT)。
电流编程电路21，由在有机EL电源电压VOEL和编程电流源IPRG之间串联连接的保持电容器CS、NMOS晶体管T21以及T22构成。保持电容器CS的两端连接在后述的驱动电路22的驱动晶体管TDRV的栅极-源极之间。晶体管T21以及T22的公共连接部与PMOS的驱动晶体管TDRV的漏极连接，并给两个晶体管的栅极提供写入时选择信号SEL1。
驱动电路22，由在有机EL的电源电压源VOEL和阴极电压源VCAT之间串联连接的、PMOS晶体管TDRV、给栅极提供发光时选择信号SEL2的NMOS晶体管T23、给栅极由比较电路23提供的NMOS发光时间控制晶体管TETC、和OLED构成。
电流编程电路21中，若写入时选择信号SEL1为导通(电平H)、发光时选择信号SEL2为截止(电平L)，则使晶体管T21以及T22导通，并使驱动晶体管TDRV成二极管连接。若有编程电流IPR从编程电流源IPRG向驱动晶体管TDRV流动，则将电流IPR流动的晶体管TDRV的栅极电压存储在保持电容器CS中。这样，就可设定OLED的发光时间。
向比较电路23，输入与发光时间对应的该像素的模拟数据信号VDAT以及参照电位VREF。其输出端与发光时间控制晶体管TETC的栅极端子连接。比较电路23，在数据信号VDAT超过倾斜电压的参照电位VREF的期间内，输出为电平H。另外，当晶体管TETC由PMOS晶体管构成的情况下，数据信号VDAT超过倾斜电压的参照电位VREF的期间内，输出为电平L。
图3表示比较电路23的构成例。如图所示的有机EL电源VOEL以及电源VSS(0V)之间PMOS晶体管T231以及NMOS晶体管T232通过输出端子OUT串联连接。输入端子VDAT和电源VSS之间串联连接有NMOS晶体管T234以及T235。晶体管T234以及T235的连接点和晶体管T23 1的栅极之间连接有数据信号保持电容器CSD。输入端子VREF和电源VSS之间串联连接有NMOS晶体管T237以及T236。晶体管T237以及T236的连接点和晶体管T232的栅极之间连接有参照电位保持电容器CSR。晶体管T231以及晶体管T232的两个栅极相互连接，并通过NMOS晶体管T233与输出端子OUT连接。
给晶体管T233、T235、T236的各栅极提供写入时选择信号SEL1、给晶体管T234以及T237的栅极提供发光时选择信号SEL1。
在给比较电路23提供的写入时选择信号SEL1成为电平“H”、发光时选择信号SEL2成为电平“L”的情况下，比较电路23，使晶体管T233、T235以及T236导通、使T234以及T237成非导通状态，其如图4所示。根据给VDAT端子提供的模拟数据信号VDAT对数据保持电容器CSD充电，并保存该数据信号的电平。另一方面，使参照电位保持电容器CSR的一端与电源VSS连接。比较电路23的输出成为由CMOS反相器的特性决定的反相器中心VN。
并且，在写入时选择信号SEL1成为电平“L”，发光时选择信号SEL2成为电平“H”的情况下，比较电路23，使晶体管T233、T235以及T236成非导通状态，T234以及T237成导通状态，其如图5所示。输入端子VREF以及电源VSS之间串联连接有参照电位保持电容器CSR以及数据保持电容器CSD。数据保持电容器CSD的电荷极性翻转后连接，参照电位保持电容器CSR以及数据保持电容器CSD的连接点为由PMOS晶体管T231以及NMOS晶体管T232组成的CMOS反相器的输入端。
在初始状态，CMOS反相器的输入成为反相器中心VN，并维持中间的状态。其结果，形成OELD的负载电流电路并使显示元件发光。
接着，若给输入端子提供参照电位信号VREF，则对参照电位保持电容器CSR充电，使数据保持电容器CSD的负电荷被抵消，且CMOS反相器的输入向正方向变化。当数据保持电容器CSD和参照电位保持电容器CSR相等时，CMOS反相器的输入VN’，成为VN’＝VN+0.5(VREF-VDAT)。若参照电位信号VREF的电平超过数据保持电容器CSD中保存的电平，则CMOS反相器的输入成为正电压电平，晶体管T231成非导通状态，晶体管T232成导通状态，输出端子OUT将电源VSS(电平L)向输出端子OUT输出。若向输出端子OUT输出电平L，则晶体管TETC成非导通状态，OLED的负载电流电路被截断而使显示元件熄灯。
这样，比较电路23，将模拟数据信号VDAT蓄积在保持电容器CSD，并将参照电位VREF保存在保持电容器CSR。然后，当数据信号VDAT比参照电位VREF大时，输出OUT成为电平H。相反，当数据信号VDAT比参照电位VREF还小时，则输出OUT成为电平L。如上所述，比较电路23的输出OUT成为晶体管TETC的栅极输入。因此，就能够依据给该像素提供的模拟数据信号VDAT的电平相应地对OLED的发光时间进行控制。
图6为说明从数据信号的写入到发光为止一连串的工作的时序图。另外，写入时选择信号SEL1与有源矩阵部13对应设置为n行。发光时选择信号SEL2也设置成n行，但仅显示1行的SEL2(*)。从数据驱动部11输出的模拟数据信号VDAT仅表示有源矩阵部13的1列的信号。由于参照电位VREF为由各像素公共的波形，因此仅表示一个信号。
如图所示，相当于像素的1个画面的显示处理期间的1帧期间分为写入期间和发光期间。在前半部分的写入期间，将扫描驱动部12、各行的写入时选择信号SEL1(1)～SEL1(n)依次设定为电平H。数据驱动部11与写入时选择信号SEL1(1)～SEL1(n)同步，给各行的像素提供模拟数据信号VDAT，并将模拟数据信号VDAT的信号电平存储在各像素的保持电容器CSD。在写入期间内，还给各像素提供编程电流IPRG，如上所述，通过与所提供的写入选择信号SEL1以及发光时选择信号SEL2对应的驱动电路的工作，由于驱动晶体管TDRV使该编程电流IPRG流动，因此将必要的栅极电压蓄积在保持电容器CS上。
在后半部分的发光期间，各行的发光时选择信号SEL2(1)～SEL2(n) (图中作为SEL2(*)表示)全部为电平H，所有像素的发光时选择信号全部为电平H，并将参照电位VREF提供给保持电容器CSR(参照图5)。本实施例中，参照电位VREF是随着时间经过而电平上升的扫描信号。比较电路23，对在先前的写入期间存储的模拟数据信号VDAT和参照电位VREF进行比较。
在数据信号VDAT比参照电位VREF大的情况下，比较电路的输出OUT成为电平H，发光时间控制晶体管TETC成导通状态。其结果，进入向OLED提供在写入期间存储的编程电流IPRG后，该OLED成为发光状态。另一方面，当数据信号VDAT比参照电位VREF小的情况下，比较电路的输出OUT为截止状态。其结果，进入没有给OLED提供编程电流IPRG，OLED为非发光状态。由于将参照电位VREF作为扫描信号，因此能够根据在写入期间存储的数据信号VDAT的大小对OLED的发光时间进行控制。
实施例2比较电路的构成并不限定于图2所述。例如，如图7所示，可以使一部分的晶体管T236以及T237由多个像素公用(共用)。同图中，与图3对应的部分附加同一符号。工作由于与图3的比较电路相同，省略对其说明。比较电路只要工作相同，即使构成不同也可。
实施例3给比较电路提供的参照电位，可以采用各种方式。图8所示的例中，作为参照电位VREF，可使用在1帧周期的中央部位，信号电平为最小值的M状的信号波形。尽管是这样的扫描信号，也能够依据在数据保持电容器CSD中保存的模拟数据信号VDAT的信号电平相应地对OLED的发光电流IOLED的供给时间(发光时间)进行控制。
并且，在给如图9所示的比较电路提供的参照电位的例中，作为参照电位VREF，可使用在1帧周期中信号电平为最小值的2个地方的W状的信号波形。通过采用这样的扫描信号，就能够控制使OLED的发光电流IOLED的供给时间(发光时间)进一步变少。即，能够使OLED发光时和非发光时的间隔变短。这样，在图像再生时，能够得到视觉上更加流畅的显示图像。
还有，虽然未图示，也可以采用作为参照电位VREF的锯齿状的信号波形。
根据所述的实施例，在根据采用电流编程的分时灰度方式对OLED进行驱动时，通过使用作为时间控制机构的比较电路就能够同时对构成有源矩阵的各像素的灰度进行控制。还可以避免各个像素的烦杂的控制工作，同时可抑制根据以往的电流编程方式产生的灰度偏差。
并且，通过采用所述实施例的像素的驱动电路，预先设定给像素提供的电流强度，将各像素应显示的像素信号存储在各像素的区域，并对所供给的倾斜电平信号和各像素的像素信号的电平进行比较，根据电流强度对各像素的发光时间进行控制，成为可执行使在基板上二维配置的多个像素发光的像素驱动方法。
实施例4关于本发明的实施例4参照图10乃至图13进行说明。
本实施例中，在像素电路的电光学元件的电流路径中设置发光时间控制晶体管(TFT)。使发光时间控制晶体管的栅极-漏极之间短路，存储阈值的同时将相当于发光时间的模拟信号存储在各像素电路中。并将参照电位(扫描信号)同时提供给所有像素电路，根据模拟信号和参照电位的大小关系，对发光时间控制晶体管的导通/截止工作进行控制，由此对各像素电路的电光学元件的发光时间进行控制。
图10表示作本发明的电光学装置的一例的有机EL显示装置10的电连接的电路框图。同图中，有机EL显示装置10具有数据驱动部11、扫描驱动部12、有源矩阵部13以及切换部14。有源矩阵部13由后述的多个像素电路20配置成矩阵状而构成。数据驱动部11输出相当于图像的各像素的亮度的模拟数据信号VDAT。切换部14，选择性地切换模拟数据信号VDAT以及从未图示的信号源输出的参照电位VREF并提供给各像素电路20。扫描驱动部12，向各行的各像素电路20提供写入时选择信号SEL1以及发光时选择信号SEL2。并且，各像素电路20从后述的电流源接受所提供的一定的编程电流IPRG，并从电源接受所提供的OLED的电源电压VOEL。
扫描驱动部12依次对有源矩阵部13的各行像素电路组进行选择。其中，切换部14，选择数据驱动部11的输出，并向各行的像素电路组写入相当于各像素的发光时间的信号电平VDAT。若向所有像素电路20写入像素数据(模拟数据信号)结束，则切换部14选择参照电位VREF并提供给所有像素电路20。通过对所有像素电路20中保存的信号电平VDAT和给所有像素电路20中提供的倾斜电压电平VREF进行比较，决定作为像素的OLED的发光时间。
图11表示所述像素电路20的构成例。像素电路20，由用于实现电流编程的电流编程电路21、对OLED进行驱动的驱动电路22、PMOS反相器电路24构成。各电路中所示的晶体管为薄膜晶体管(TFT)。
电流编程电路21，由在有机EL电源电压VOEL和编程电流源IPRG之间串联连接的、保持电容器CS、NMOS晶体管T21以及T22构成。保持电容器CS的两端均连接在后述的驱动电路22的驱动晶体管TDRV的栅极-源极之间。晶体管T21以及T22的公共连接部与PMOS的驱动晶体管TDRV的漏极连接，并给两个晶体管的栅极提供写入时选择信号SEL1。
驱动电路22，由在有机EL的电源电压源VOEL和阴极电压源VCAT之间串联连接的、PMOS晶体管TDRV、给栅极提供发光时选择信号SEL2的NMOS晶体管T23、和OLED构成。
PMOS反相器电路24，由在OLED电流路径中设置的发光时间控制晶体管TETC、在发光时间控制晶体管TETC的栅极-漏极之间连接的阈值初始化晶体管TINI以及与发光时间控制晶体管TETC的栅极连接的数据信号保持电容器CD构成。通过数据信号保持电容器CD向发光时间控制晶体管TETC提供复合信号VDAT/VREF。给阈值初始化晶体管TINI的栅极提供写入选择信号SEL1。
如后述，PMOS反相器电路24作为对模拟数据信号VDAT的电平和参照电位VREF的电平进行比较的比较器发挥功能。
复合信号VDAT/VREF，根据切换电路14的工作，由在1帧周期的前半部分承载像素列数据的模拟数据信号(VDAT)部分；和作为在1帧周期的后半部分的倾斜电平信号(扫描信号)的参照电位VREF部分构成(参照后述的图12)。
PMOS反相器电路24，在模拟信号VDAT比参照电位VREF小的情况下，发光时间控制晶体管TETC成导通状态。模拟信号VDAT比参照电位VREF小的情况下，发光时间控制晶体管TETC成非导通状态。
在电流编程电路21中，若写入时选择信号SEL1成导通状态(电平H)，发光选择信号SEL2成截止状态(电平L)，则晶体管T21以及T22成导通状态，驱动晶体管TDRV成二极管连接。若有编程电流IPR从编程电流源IPRG向驱动晶体管TDRV流动，则将电流IPR流动的晶体管TDRV的栅极电压(阈值电压)存储在保持电容器CS中。这样，就可设定有机EL显示元件的发光电流。
图12为对从数据信号的写入到发光为止的一连串工作进行说明的时序图。作为扫描驱动部12的输出的写入时选择信号SEL1与有源矩阵13对应设置成n行。发光时选择信号SEL2也设置成n行，但图中只表示作为1行的SEL2(*)。从切换部14输出的复合信号VDAT/VREF仅表示有源矩阵部13的1列的信号。
如图所示，将相当于像素的1个画面的显示处理期间的1帧期间分成前半部分的写入期间和后半部分的发光期间。在写入期间，扫描驱动部12，将各行的写入时选择信号SEL1(1)～SEL1(n)依次设定为电平H。
如图13(a)所示，阈值初始化晶体管TINI成导通状态，发光时间控制晶体管TETC的栅极-漏极之间短路，成二极管连接的发光时间控制晶体管TETC的栅极电压VG中出现阈值电压。
并且，切换部14与写入时选择信号SEL1(1)～SEL1(n)同步向各行的像素提供复合信号的模拟数据信号VDAT，并将模拟数据信号VDAT的信号电平存储在各像素的保持电容器CD。在写入期间内，还向各像素提供编程电流IPRG。如上所述，与写入时选择信号SEL1电平H以及发光时选择信号SEL2电平L对应通过使晶体管T21以及T22成导通状态，晶体管T23成非导通状态，由于驱动晶体管TDRV流动该编程电流IPRG，因此将必要的栅极电压蓄积在保持电容器CS。
如图12所示，在后半部分的发光期间，各行的发光时选择信号SEL2(1)～SEL(n)(图中作为SEL2(*)表示)同时为电平H，所有像素的发光时选择信号SEL2同时为电平H，通过切换部14的切换工作，将复合信号VDAT/VREF的参照电位VREF提供给保持电容器CD。本实施例中，参照电位VREF为随着时间经过而电平下降的扫描信号。
PMOS反相器电路24，根据在之前的写入期间在数据信号保持电容器CD中保存的模拟数据信号VDAT和参照电位VREF的大小关系，决定发光时间控制晶体管TETC的工作。
在数据信号VDAT比参照电位VREF小的情况下，如图13(b)所示，发光时间控制晶体管TETC成导通状态，其结果，给OLED提供在写入期间存储的编程电流IPRG后，该OLED成为发光状态。
另一方面，在数据信号VDAT比参照电位VREF大的情况下，发光时间控制晶体管TETC成非导通状态。其结果，不给OLED提供编程电流IPRG，该OLED成非发光状态。
由于将实施例中的参照电位VREF作为扫描信号，因此可根据在写入期间存储的数据信号VDAT的大小对OLED的发光时间进行控制。
这样，实施例的像素驱动方法，预先设定给各电光学元件提供的电流强度(编程电流方式)、从含有在时间轴上先行的一连串的像素信号组成的像素列信号部分和此后续的倾斜电平信号部分的复合信号中选择与各电光学元件的配置区域对应的像素信号并存储其电平，并对在各电光学元件的配置区域分别对应的各像素信号的电平和所提供的倾斜电平信号的电平进行比较，并根据电流强度对各电光学元件的发光时间进行控制。
实施例5图14以及图15表示本发明的第5实施例。图14中，对于与图11所示的像素电路20对应的部分附加同一符号，并省略该部分说明。
本实施例中，第4实施例的PMOS反相器电路24由NMOS反相器电路25构成。NMOS反相器电路25由NMOS发光时间控制晶体管TETC、在发光时间控制晶体管TETC的栅极-漏极之间连接的阈值初始化晶体管TINI以及数据信号保持电容器CD构成。其它电路构成与图11所示的构成相同。
该NMOS反相器电路25中，当模拟信号VDAT比参照电位VREF大的情况下，使发光时间控制晶体管TETC成导通状态。相反，在模拟信号VDAT比参照电位为VREF小的情况下，发光时间控制晶体管TETC成非导通状态。
这里，如图15的时序图所示，通过使参照电位VREF的扫描变化方向与第4实施例的情况相反(增加方向)，即使在采用NMOS反相器电路25的情况下，也能够得到与第4实施例的像素电路20相同的作用。
根据所述实施例，根据采用电流编程的分时灰度方式对OLED进行驱动时，通过应用作为时间控制机构的单通道反相器，就能够同时对构成有源矩阵的各像素的灰度进行控制。还可以避免各像素的烦杂的控制工作，同时抑制在以往的电流编程方式中出现的灰度偏差。并且，与采用双输入的比较电路作为发光时间的控制机构的情况相比，能够大幅度减少元件数量以及布线数量。容易确保作为显示装置的重要的开口率。根据元件数量的减少而可靠性提高的观点，成为优选。
并且，通过使用所述实施例的像素驱动电路，预先设定给各电光学元件提供的电流强度，并从含有在时间轴上先行的一连串的像素信号组成的像素列信号部分和其后续的倾斜电平信号部分的复合信号中选择与各电光学元件的配置区域对应的像素信号并存储其电平，并对在各电光学元件的配置区域分别对应的各像素信号的电平和所提供的倾斜电平信号进行比较，根据电流强度对各电光学元件的发光时间进行控制，就能够实现使在基板上二维配置的多个电光学元件发光的像素驱动方法。
实施例6图16以及图17表示应用所述的电光学装置(图像显示器)的电子机器一例的示意图。
图16(A)为应用于移动电话机的一例，该移动电话机230含有天线部231、声音输出部232、声音输入部233、操作部234、以及本发明的电光学装置200。这样本发明的电光学装置就可以作为显示部利用。
图16(B)为应用于摄像机的一例，该摄像机240含有受像部241、操作部242、声音输入部243、以及本发明的电光学装置200。
图16(C)为应用于移动型个人计算机(所谓PDA)的一例，该计算机250含有相机部251、操作部252、以及本发明的电光学装置200。
图16(D)为应用于头置显示器的一例，该头置显示器260含有头戴带261、光学容纳部262以及本发明的电光学装置200。
图16(E)为应用于背投型投影仪的一例，该投影仪270，在筐体271中包含光源272、合成光学系统273、反射镜274、275、屏幕276、以及本发明的电光学装置200。
图16(F)为应用于前投型投影仪的一例，该投影仪280，在筐体282中含有光学系统281以及本发明的电光学装置200，且可在屏幕283上显示图像。
图17(A)为应用于电视机的一例，该电视机300，具有本发明的电光学装置200。另，对于个人计算机等中采用的监视装置也同样适用本发明的电光学装置。图17(B)为应用于滚动式电视机的一例，该滚动式电视机310具有本发明的电光学装置200。
权利要求
1.一种像素电路，其使电光学元件发光，包含晶体管，其被插入到所述电光学元件的驱动电流路径中；电流值设定电路，其设定所述驱动电流路径的电流值；电平保存机构，其存储所供给的像素信号的电平；和比较电路，其将所存储的像素信号电平和所供给的倾斜电平信号进行比较，并基于比较结果对所述晶体管的工作进行控制。
2.一种像素电路，其使电光学元件发光，包含晶体管，其被插入到所述电光学元件的驱动电流路径中；电流值设定电路，其设定所述驱动电流路径的电流值；和比较电路，对于包含在时间轴上先行的一连串像素信号所组成的像素列信号部分和其后续的倾斜电平信号部分的复合信号，从该复合信号中抽出的1个像素信号，并将其电平和后续的倾斜电平信号进行电平比较，基于比较结果对所述晶体管的工作时间进行控制。
3.根据权利要求1或2所述的像素电路，其特征在于，所述电流值设定电路包含驱动晶体管，其被插入到所述驱动电流路径中；电流供给源，其向所述驱动晶体管提供给定值的电流；和电容器，其向所述驱动晶体管提供所述给定值的电流时，保存该驱动晶体管的栅极电压。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的像素电路，其特征在于，所述电光学元件是有机EL发光元件。
5.一种电子机器，其特征在于，图像显示器中含有权利要求1～4中任一项所述的像素电路。
6.一种像素驱动方法，使在基板上二维配置的多个像素发光，包含预先设定向各像素提供的电流强度的步骤；将各像素应显示的像素信号存储在各像素的区域的步骤；和对所供给的倾斜电平信号和各像素的像素信号的电平进行比较而根据所述电流强度对各像素的发光时间进行控制的步骤。
7.一种像素驱动方法，使像素发光，包含预先设定向像素提供的电流强度的步骤；存储所述像素应显示的像素信号的步骤；和将所供给的倾斜电平信号和所述像素的像素信号进行比较而根据所述电流强度对所述像素的发光时间进行控制的步骤。
8.一像种素驱动方法，使在基板上二维配置的多个电光学元件发光，包含预先设定向各电光学元件提供的电流强度的步骤；从包含在时间轴上先行的一连串像素信号组成的像素列信号部分和其后续的倾斜电平信号部分的复合信号中，选择与各电光学元件的配置区域对应的像素信号并存储其电平的步骤；和将与各电光学元件的配置区域分别对应的各像素信号的电平和所供给的倾斜电平信号进行比较，并根据所述电流强度对各电光学元件的发光时间进行控制的步骤。
9.一种像素驱动方法，使电光学元件发光，包含预先设定向所述电光学元件供给的电流强度的步骤；从包含在时间轴上先行的一连串像素信号组成的像素列信号部分和其后续的倾斜电平信号部分的复合信号中，抽出1个像素信号并存储其电平的步骤；和对所存储的所述像素信号的电平和所述倾斜电平信号的电平进行电平比较，根据所设定的所述电流强度对所述电光学元件的发光时间进行控制的步骤。
全文摘要
提供一种使电光学元件(OLED)发光的像素电路(20)，包含晶体管(TETC)，被插入到所述电光学元件的驱动电流路径中；电流值设定电路(21)，其设定所述驱动电流路径的电流值；电平保存机构(CSD)，其对所供给的像素信号的电平进行存储；和比较电路(23)，其将所存储的像素信号电平和所供给的倾斜电平信号(VREF)进行比较，基于比较结果对晶体管(TETC)的工作进行控制。这样，可以更简单地构成控制工作和电路构成。
文档编号H05B33/02GK1755778SQ200510106999
公开日2006年4月5日 申请日期2005年9月29日 优先权日2004年9月30日
发明者原弘幸 申请人:精工爱普生株式会社