低频无极荧光灯电子镇流器的制造方法
【专利摘要】一种低频无极荧光灯电子镇流器，工作频率为50KHz至300KHz之间，解决了现有同类产品采用他激式高频逆变电路所存在的成本较高、可靠性较低的问题，其特征是设计了自激振荡兼输出的高频逆变电路，省去了他激式电路中的由集成电路IC组成的振荡兼驱动电路以及为该电路提供低压供电的低电压直流稳压电源电路，显著地降低了电路的功耗与成本，也有效降低了电路的故障率而提高了可靠性，适合用于驱动各种功率的低频无极荧光灯。
【专利说明】低频无极荧光灯电子镇流器
所属【技术领域】
[0001]本发明涉及一种低频无极荧光灯电子镇流器，属于照明电器【技术领域】，尤其是一种采用自激振荡兼输出的高频逆变电路的低频无极荧光灯电子镇流器。
技术背景
[0002]低频无极荧光灯，包括闭合管型无极荧光灯(如矩形管、方形管、圆环形管及椭圆环形管)与泡型无极荧光灯，其工作频率多为50KHZ-300KHZ。因其工作频率远低于高频无极荧光灯的2.65MHz，故得“低频无极荧光灯”之名。
[0003]现有的低频无极荧光灯电子镇流器均采用他激式高频逆变电路，其中组成高频逆变电路的振荡兼驱动电路与半桥推挽输出电路是分开的(如专利“低频无极灯电子镇流器”，专利号201010611686.X与专利“一种低频无极灯电子镇流器”，专利号201120004901.X)。图2是现有的低频无极荧光灯电子镇流器的典型电路的原理图。这种现有电路结构的缺点是其振荡兼驱动电路需要低电压直流供电而必须增加一个低压直流稳压电源电路(如图2中的虚线包围部分4);此外，其振荡兼驱动电路均由某种专用集成电路IC及其附属电路所构成(如图2中的虚线包围部分5)，至今此类IC用于这种低频无极灯电子镇流器电路均存在频率响应不够高的缺陷，不能良好地直接驱动半桥推挽输出电路中的场效应晶体管而需另加高频耦合变压器，使驱动波形不易调整到理想状态，且容易受干扰而出现意外受控所产生的种种故障。上述两方面的缺陷使现有低频无极荧光灯电子镇流器的可靠性降低且成本升高。
【发明内容】
[0004]为了解决现有的低频无极荧光灯电子镇流器存在的上述问题，本发明的设计方案是将低频无极荧光灯电子镇流器电路中的高频逆变电路设计为自激振荡兼输出的电路结构，具体设计乃是将高频逆变电路的输出电压引出少部分通过高频反馈变压器直接反馈至输入端，即反馈至半桥推挽电路的场效应晶体管FET的栅极与源极之间，调整好初、次极线圈的圈数匝比与同名端的连接，实现充分的正反馈而驱动场效应管产生高频振荡并输出高频电压。本发明的自激振荡兼输出的高频逆变电路如图1中的虚线包围部分3所示，为了更清楚地表明本发明的特征，图中未包含与常规电路类似的异常状态保护电路。
[0005]低频无极荧光灯电子镇流器采用了本发明公开的自激振荡兼输出的高频逆变电路之后，省去了现有电路中的低电压稳压电源电路，也省去了容易受干扰的IC驱动电路，不仅有效降低了电路的成本与功耗，还有效提高了电路可靠性。
[0006]下面结合附图与实施例对本发明进一步加以说明。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1是本发明的电路原理图。图中的虚线包围部分I是电路输入端的电磁兼容电路EMC、虚线包围部分2是功率因数校正电路PFC、虚线包围部分3是自激振荡兼输出的高频逆变电路。如图所示，在高频逆变电路3中，高频反馈变压器Tl的初级线圈NI通过Cl连接到输出端O。Tl的次级线圈N2、N3分别连接到对应的场效应管FETl与FET2的栅极与源极之间。实现了将输出电压的一部分反馈至高频逆变电路的输入端，如图连接N1、N2、N3的同名端，实现充分的正反馈而产生自激振荡。
[0008]图2是作为对比的现有低频无极荧光灯电子镇流器的典型电路原理图。其中的虚线包围部分4是提供直流低电压的稳压电源部分、虚线包围部分5是采用IC的振荡兼驱动电路部分。
【具体实施方式】
[0009]本发明的实施例为40W低频无极荧光灯电子镇流器电路，电路原理图如图1所示。电路的虚线包围部分I与虚线包围部分2分别是常规的电磁兼容电路EMC与功率因数校正电路PFC，因其与常规荧光灯电路中的类似电路相同，故无需介绍。本发明专利实施例涉及的自激振荡兼输出的高频逆变电路如图1中的虚线包围部分3 (未包括异常状态保护电路)所示，其工作频率为180KHz-250KHz，电路中各元器件的具体参数如下:
[0010]场效应管FET为IRF830 ;反馈电容Cl为CBB81型，容量330PF，耐压2500V ;反馈分压C2为CBB81型，容量500PF，耐压200V ;高频反馈变压器Tl的初、次级匝NI: N2: N3= 3:2:2。其他元器件参数与同类产品的常规电路一样。
【权利要求】
1.一种低频无极荧光灯电子镇流器，工作频率为50KHZ至300KHZ之间，由电磁兼容电路EMC、功率因数校正电路PFC、与高频逆变电路所构成，其特征是其中的高频逆变电路是一种自激振荡兼输出的半桥推挽式逆变电路，其电路结构为:从高频逆变电路的输出端(O)通过反馈电容(Cl)连接至高频反馈变压器(Tl)的初级(NI)，高频反馈变压器(Tl)的次级(N2)、(N3)分别连接至逆变电路的输入端，即分别连接至半桥推挽电路的二只场效应晶体管(FETl)、(FET2)的栅极与源极之间，实现充分的正反馈而驱动场效应管组成的半桥推挽电路产生高频振荡并输出高频电压。
2.如权利要求1所述的一种低频无极荧光灯电子镇流器，工作频率为50KHz至300KHz之间，其特征是其中连接至高频逆变电路输出端(O)的反馈电容(Cl)的容量为IOPF至InF之间；其中连接反馈电容(Cl)的高频反馈变压器(Tl)的初、次级匝数比N1: N2: N3为1:1:1至3:1:1之间；其中的反馈分压电容(C2)的容量为O至InF之间。
【文档编号】H05B41/295GK103547052SQ201210247374
【公开日】2014年1月29日 申请日期:2012年7月13日 优先权日:2012年7月13日
【发明者】李先栗, 李博 申请人:李博