技术简介：
本专利针对传统正方形硅片切割后边角料浪费、材料利用率低的问题，提出采用长方形结构设计，四个顶角均为直角的单晶或多晶硅片。通过改变硅片形状，提升硅棒体利用率，减少生产损耗，降低制造成本，同时优化电池组拼装空间利用效率。
关键词：高纯度硅片,长方形结构,材料利用率
专利名称：一种高纯度硅片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及晶态硅技术领域，尤其涉及一种高纯度的晶态硅片。
背景技术：
晶态娃分为单晶娃和多晶娃，它们均具有金刚石晶格，晶体硬而脆，具有金属光泽，能导电，但导电率不及金属，且随温度升高而增加，具有半导体性质。单晶硅在日常生活中是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。电视、电脑、冰箱、电话、手表、汽车，处处都离不开单晶硅材料，单晶硅作为科技应用普及材料之一，已经渗透到人们生活中的各个角落。多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异 主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。现有技术中闻纯度的娃片，无论是单晶娃还是多晶娃，其形状通常都是正方形，该正方形的四个角都是圆角，这主要是由单晶硅片的制造工艺所决定的，而且硅片在使用过程中容易损坏，现在对于已经损坏的单晶硅片通常都是做废弃处理，造成了极大的浪费，而事实上，这些已经损坏的单晶硅片在进行重新切割后部分是可用的。
实用新型内容本实用新型的目的在于，提出一种高纯度硅片，其采用长方形结构设置，可以避免正方形浪费硅片，可对硅棒体进行更多的利用。为实现上述目的，本实用新型提供了一种高纯度硅片，其包括硅片本体，所述硅片本体为单晶硅片或多晶硅片，该硅片本体为四个顶角均为直角的长方形结构。具体的，所述硅片本体可以采用4. 5英寸X3. 5英寸的长方形结构设置。或者，所述硅片本体还可以采用3. 5英寸X5英寸的长方形结构设置。此外，所述硅片本体还可以采用6英寸X 4英寸的长方形结构设置。本实用新型的高纯度硅片，其采用长方形的结构设计，且长方形的四个顶角均采用直角设置，不仅可以避免正方形设置浪费硅片的缺点，且可以对硅棒体进行更多的利用，减少损耗，可以在一定程度上降低生产成本。
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。[0011]图I为本实用新型的高纯度硅片一种具体实施例的结构示意图。
具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。如图I所示，本实用新型提供一种高纯度硅片，其包括硅片本体10，所述硅片本体10可以为单晶硅片或多晶硅片，该硅片本体10为四个顶角均为直角的长方形结构。该直角设置的长方形结构，可以使得硅片的表面积更大，在利用本实用新型制成的电池拼装成电池组的时候，电池与电池之间的间隙几乎没有，因此，本实用新型相对现有的正方形结构的硅片而言，还具有发电功率高，利用其制成电池后在拼装时安装空间的利用更为充分的优点。·[0014]本实用新型的高纯度硅片在具体制作时，硅片本体10的长度与宽度均需小于硅棒体(未图示)的直径。作为本实用新型的一种选择性实施例，该硅片本体10可以采用4. 5英寸X3. 5英寸的长方形结构设置。或者，所述硅片本体10还可以采用3. 5英寸X5英寸的长方形结构设置。此外，作为本实用新型的另一种选择性实施例，所述硅片本体10还可以采用6英寸X4英寸的长方形结构设置。在本实用新型其它具体实施例中，该硅片本体10的长度与宽度均可根据硅棒体的直径及实际的尺寸需求进行具体制作。该长方形结构设置的硅片本体10可以避免正方形设置浪费硅片的缺点，且可以对硅棒体进行更多的利用，减少资源损耗，可以在一定程度上降低生产成本。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种高纯度硅片，包括硅片本体，其特征在于，所述硅片本体为单晶硅片或多晶硅片，该硅片本体为四个顶角均为直角的长方形结构。
2.如权利要求I所述的一种高纯度硅片，其特征在于，所述硅片本体采用4.5英寸X 3. 5英寸的长方形结构设置。
3.如权利要求I所述的一种高纯度硅片，其特征在于，所述硅片本体采用3.5英寸X5英寸的长方形结构设置。
4.如权利要求I所述的一种高纯度硅片，其特征在于，所述硅片本体采用6英寸X4英寸的长方形结构设置。·
专利摘要本实用新型涉及晶态硅技术领域，具体公开了一种高纯度硅片，其包括硅片本体，所述硅片本体为单晶硅片或多晶硅片，该硅片本体为四个顶角均为直角的长方形结构。本实用新型的高纯度硅片，其采用长方形的结构设计，且长方形的四个顶角均采用直角设置，不仅可以避免正方形设置浪费硅片的缺点，且可以对硅棒体进行更多的利用，减少损耗，可以在一定程度上降低生产成本。
文档编号C30B29/06GK202786508SQ201220414958
公开日2013年3月13日 申请日期2012年8月21日 优先权日2012年8月21日
发明者夏学军 申请人:云南三奇光电科技有限公司