技术简介：
本实用新型针对单晶炉排气口易堵塞、漏硅时高温熔硅流入不锈钢管道导致炉底损坏的问题，提出改进排气口结构的解决方案。通过采用L形异型排气管，将集气端开口竖直向上设置，并在侧壁设置集气孔，有效减少废气孔堵塞几率，阻止熔硅进入不锈钢管道，从而保护炉底并提升单晶寿命与合格率。
关键词：排气口改进,L形异型管,防堵塞
专利名称：一种改进排气口的单晶炉的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种单晶炉，特别是一种改进排气口的单晶炉。
背景技术：
目前大多数单晶炉热系统设计都专注于改善晶体生长速度和单晶棒的质量，然而对于太阳能级单晶硅来说，最重要的通过改变热场结构和晶体生长环境来改变单晶寿命，提高单晶合格率。太阳能级单晶提高单晶合格率，通常有三种方法一是通过改变热场结构来改变单晶参数；二是通过改变晶体生长环境来提高单晶寿命；三是通过工艺改进改善单晶参数。三种方法互相制约、相辅相成缺一不可。对于光伏产业要实现高产量、高品质、低成本，必须在改进热系统提高单晶品质上下功夫。如①改变单晶炉气场对流循环方向和废气排出高度，减少废气孔堵塞的几率，提高单晶寿命、阻止漏硅时高温熔硅直接流入不锈钢管道，有效保护不锈钢炉底，减少事故造成的经济损失，节约生产成本。
实用新型内容本实用新型的目的是提供一种减少废气孔堵塞的几率，提高单晶寿命，阻止漏硅时高温熔硅直接流入不锈钢管道，有效保护不锈钢炉底的改进排气口的单晶炉。为了完成上述目的，本实用新型采用的技术方案是一种改进排气口的单晶炉，包括炉体和位于炉体下部的排气管，其特征在于所述的排气管整体为L形的异型管，所述的排气管包括设置在炉体内的集气端和炉体外的排气端，所述的集气端的开口在炉体内竖直向上设置。所述的集气 端的在侧壁靠近开口的上部设有集气孔。所述的集气端为方形管壁圆形内径。本实用新型的有益效果是采用整体为L形的异型管做排气管，排气管的集气端开口在炉体内竖直向上设置，可以减少废气孔堵塞的几率，阻止漏硅时高温熔硅直接流入不锈钢管道，有效保护不锈钢炉底。
图1是本实用新型的结构示意图。图2是图1中排气管的结构示意图。图3是图2的剖视图。图4是图3的俯视图。图中，1、炉体，2、排气管，3、集气端，4、排气端，5、集气孔。
具体实施方式本实用新型为一种改进排气口的单晶炉，采用整体为L形的异型管做排气管，排气管的集气端开口在炉体内竖直向上设置，可以减少废气孔堵塞的几率，阻止漏硅时高温熔硅直接流入不锈钢管道，有效保护不锈钢炉底。
以下结合附图对本实用新型做进一步说明。具体实施例，如图1至图4所示，一种改进排气口的单晶炉，包括炉体I和炉体I下部的排气管2，排气管2整体为L形的异型管，排气管2包括设置在炉体I内的集气端3和炉体I外的排气端4，集气端3的开口在炉体I内竖直向上设置，集气端3的在侧壁靠近开口的上部设有集气孔5，集气端3为方形管壁圆形内径。由于采用整体为L形的异型管做排气管，排气管的集气端开口在炉体内竖直向上设置，可以减少废气孔堵塞的几率，阻止漏硅时高温熔硅直接流入不锈钢管道`，有效保护不锈钢炉底。
权利要求1.一种改进排气口的单晶炉，包括炉体(I)和位于炉体(I)下部的排气管(2)，其特征在于所述的排气管(2)整体为L形的异型管，所述的排气管(2)包括设置在炉体(I)内的集气端(3)和炉体(I)外的排气端(4)，所述的集气端(3)的开口在炉体(I)内竖直向上设置。
2.根据权利要求1所述的一种改进排气口的单晶炉，其特征在于所述的集气端(3)的在侧壁靠近开口的上部设有集气孔(5 )。
3.根据权利要求1所述的一种改进排气口的单晶炉，其特征在于所述的集气端(3)为方形管壁圆形内径。
专利摘要本实用新型涉及一种改进排气口的单晶炉，包括炉体(1)和炉体(1)下部的排气管(2)，其特征在于所述的排气管(2)整体为L形的异型管，所述的排气管(2)包括设置在炉体(1)内的集气端(3)和炉体(1)外的排气端(4)，所述的集气端(3)的开口在炉体(1)内竖直向上设置。本实用新型的有益效果是采用整体为L形的异型管做排气管，排气管的集气端开口在炉体内竖直向上设置，可以减少废气孔堵塞的几率，阻止漏硅时高温熔硅直接流入不锈钢管道，有效保护不锈钢炉底。
文档编号C30B35/00GK202898603SQ20122055032
公开日2013年4月24日 申请日期2012年10月25日 优先权日2012年10月25日
发明者李广哲, 赵聚来, 陶建涛, 李杰涛, 吴双华, 焦鹏 申请人:宁晋晶兴电子材料有限公司