一种旋转喷淋湿法蚀刻装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种旋转喷淋湿法蚀刻装置，其包括：用于将晶片传送入喷淋工位的传送带、用于旋转晶片的旋转装置、设置在晶片上方的上部喷头和设置在晶片下方的下部喷头。通过传送带将晶片传送至喷淋工位，上部喷头和下部喷头将药液成雾状喷淋到晶片表面，同时旋转装置带动晶片旋转。从而能够改善声表面谐振器晶片指条宽度的均匀性和指条边缘线条的平整，提高芯片的良品率。
【专利说明】—种旋转喷淋湿法蚀刻装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及声表面谐振器晶片加工【技术领域】，尤其涉及一种旋转喷淋湿法蚀刻装置。
【背景技术】
[0002]湿法化学腐蚀是最早用于微机械结构制造的加工方法。所谓湿法腐蚀，就是将晶片置于液态的化学腐蚀液中进行腐蚀，在腐蚀过程中，腐蚀液将把它所接触的材料通过化学反应逐步浸蚀溶掉。用于化学腐蚀的试剂很多，有酸性腐蚀剂，碱性腐蚀剂以及有机腐蚀剂等。根据所选择的腐蚀剂，又可分为各向同性腐蚀和各向异性腐蚀剂。各向同性腐蚀的试剂很多，包各种盐类(如CN基、NH基等)和酸，但是由于受到能否获得高纯试剂，以及希望避免金属离子的玷污这两个因素的限制，因此广泛采用HF—HN03腐蚀系统。各向异性腐蚀是指对硅的不同晶面具有不同的腐蚀速率。基于这种腐蚀特性，可在硅衬底上加工出各种各样的微结构。各向异性腐蚀剂一般分为两类，一类是有机腐蚀剂，包括EPW(乙二胺、邻苯二酚和水)和联胺等，另一类是无机腐蚀剂，包括碱性腐蚀液，如KOH、NaOH, NH40H等。
[0003]与干法比较而言，湿法的腐蚀速率快、各向异性差、成本低，腐蚀厚度可以达到整个硅片的厚度，具有较高的机械灵敏度。
[0004]然而，现有的湿法蚀刻的方法大多采用混酸加热浸泡法，缺点是采用此方法生产出来的晶片指条宽度不均匀，指条边缘线条容易弯曲变形。
[0005]有鉴于此，现有技术有待改进和提高。
实用新型内容
[0006]鉴于现有技术的不足，本实用新型目的在于提供一种旋转喷淋湿法蚀刻装置。旨在解决现有湿法蚀刻生产的晶片指条宽度不均匀，指条边缘线条容易弯曲变形的问题。
[0007]本实用新型的技术方案如下:
[0008]一种旋转喷淋湿法蚀刻装置，其中，包括:
[0009]用于将晶片传送入喷淋工位的传送带；
[0010]用于旋转晶片的旋转装置；
[0011]设置在晶片上方的上部喷头；
[0012]设置在晶片下方的下部喷头；
[0013]传送带将晶片传送至喷淋工位，上部喷头和下部喷头将药液成雾状喷淋到晶片表面，同时旋转装置带动晶片旋转。
[0014]所述的旋转喷淋湿法蚀刻装置，其中，还包括一用于控制旋转装置的旋转速度和角度的控制装置，所述控制装置连接旋转装置。
[0015]所述的旋转喷淋湿法蚀刻装置，其中，还包括一用于将药液从药液槽抽出到上部、下部喷头的加压泵。
[0016]所述的旋转喷淋湿法蚀刻装置，其中，传送带上设置有一用于调节传送带速度的调节装置。
[0017]有益效果:
[0018]本实用新型的旋转喷淋湿法蚀刻装置，通过传送带将晶片传送至喷淋工位，上部喷头和下部喷头将药液成雾状喷淋到晶片表面，同时旋转装置带动晶片旋转。从而能够改善声表面谐振器晶片指条宽度的均匀性和指条边缘线条的平整，提高芯片的良品率。
【专利附图】
【附图说明】
[0019]图1为本实用新型的旋转喷淋湿法蚀刻装置的实施例的示意图。
[0020]图2为本实用新型的旋转喷淋湿法蚀刻装置的实施例中传送带的示意图。
[0021]图3为本实用新型的旋转喷淋湿法蚀刻装置的实施例中旋转装置的转速与时间对应的示意图。
【具体实施方式】
[0022]本实用新型提供一种旋转喷淋湿法蚀刻装置，为使本实用新型的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本实用新型进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0023]请参阅图1，其为本实用新型的旋转喷淋湿法蚀刻装置的实施例的示意图。如图所示，所述旋转喷淋湿法蚀刻装置包括:用于将晶片10传送入喷淋工位的传送带(图中未示出)、用于旋转晶片10的旋转装置(图中未示出)、设置在晶片10上方的上部喷头100和设置在晶片10下方的下部喷头200
[0024]具体来说，传送带将晶片10传送至喷淋工位，上部喷头100和下部喷头200将药液成雾状喷淋到晶片10表面，同时旋转装置带动晶片10旋转(图中的旋转方向为顺时针旋转，也可以设计为逆时针旋转)。
[0025]请继续参阅图2，其为本实用新型的旋转喷淋湿法蚀刻装置的实施例中传送带的示意图。如图所示，所述传送带300带动晶片10运动，进一步地，传送带300上设置有一用于调节传送带速度的调节装置。
[0026]更进一步地，所述的旋转喷淋湿法蚀刻装置中，还包括一用于控制旋转装置的旋转速度和角度的控制装置，所述控制装置连接旋转装置。如图3所示，所述旋转的转速和时间的对应关系:其喷淋过程分为5个阶段:STEP1、STEP2、STEP3、STEP4和STEP5。每一阶段均设置一转速:N1、N2、N3、N4和N5。
[0027]下面通过一个具体的例子来说明上述旋转喷淋湿法蚀刻装置是如何工作的:
[0028]首先，配置药液:磷酸:4L 硝酸:0.4L醋酸:2L 水:0.05L
[0029]然后，准备好配药桶，带上手套以及防护眼镜，按磷酸一醋酸一硝酸一水的顺序倒入配药桶内，盖上盖子，摇匀，配药桶上下左右来回翻动至少20次以上。再加入药液槽内加热至55±0.5°C并使用循环泵将药液循环流动以保持受热均匀。
[0030]接着，通过传送带将晶片传送至酸浸室处，再通过加压泵将药液从药液槽抽出，通过上部喷头、下部喷头将药液成雾状喷淋到晶片表面，同时旋转装置带动晶片按照设定的程序进行旋转。
[0031]酸浸完后，晶片经过喷淋水洗干燥后完成。[0032]综上所述，本实用新型公开的旋转喷淋湿法蚀刻装置，其包括:用于将晶片传送入喷淋工位的传送带、用于旋转晶片的旋转装置、设置在晶片上方的上部喷头和设置在晶片下方的下部喷头。通过传送带将晶片传送至喷淋工位，上部喷头和下部喷头将药液成雾状喷淋到晶片表面，同时旋转装置带动晶片旋转。从而能够改善声表面谐振器晶片指条宽度的均勻性和指条边缘线条的平整,提闻芯片的良品率。
[0033]应当理解的是，本实用新型的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。
【权利要求】
1.一种旋转喷淋湿法蚀刻装置，其特征在于，包括: 用于将晶片传送入喷淋工位的传送带； 用于旋转晶片的旋转装置； 设置在晶片上方的上部喷头； 设置在晶片下方的下部喷头； 传送带将晶片传送至喷淋工位，上部喷头和下部喷头将药液成雾状喷淋到晶片表面，同时旋转装置带动晶片旋转。
2.根据权利要求1所述的旋转喷淋湿法蚀刻装置，其特征在于，还包括一用于控制旋转装置的旋转速度和角度的控制装置，所述控制装置连接旋转装置。
3.根据权利要求1所述的旋转喷淋湿法蚀刻装置，其特征在于，还包括一用于将药液从药液槽抽出到上部、下部喷头的加压泵。
4.根据权利要求1所述的旋转喷淋湿法蚀刻装置，其特征在于，传送带上设置有一用于调节传送带速度的调节装置。
【文档编号】C30B33/10GK203661002SQ201320857684
【公开日】2014年6月18日 申请日期:2013年12月24日 优先权日:2013年12月24日
【发明者】霍俊标, 刘绍侃, 张雪奎 申请人:深圳华远微电科技有限公司