电子部件连接结构及连接方法
【专利摘要】本发明提供一种，可以改善连接信赖性的电子部件的连接结构及连接方法。电子部件的连接结构，电子部件以跨在离开配置的2个引线框架（2，3）的方式配置，且通过导电性接合部件（5）而被连接在2个引线框架（2，3）上，其中，电子部件（4）包含2个电极（41b），该2个电极（41b）至少被设置在电子部件（4）的下表面上的一部分上，且分别与所述2个引线框架（2，3）对置，2个引线框架（2，3）各自包含承受面（21）被设置在对应的电极（41b）的正下方，且具有随着从支承电子部件（4）的自身的支点朝向另一方的引线框架而离开该电子部件（4）的形状，而使导电性接合部件停留在2个引线框架（2，3）的各个承受面（21）和对应的电极（41）之间。
【专利说明】电子部件连接结构及连接方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种电子部件连接结构及连接方法，其中电子部件被架桥在离开配置的2个引线框架上、而使该电子部件通过导电性接合部件被连接在2个引线框架上。
【背景技术】
[0002]在日本特开2007-234737号公报公开了一种技术、即在芯片电容器的连接结构中，在各个引线框架设置薄壁的应力缓和部。根据该技术，发生在导电性接合部件的应力会被薄壁的应力缓和部缓和。
[0003]发生在导电性接合部件上的应力集中在芯片电容器和引线框架之间。连接信赖性在很大程度上受到停留在其之间的导电性接合部件的厚度的影响。在该导电性接合部件的厚度比较薄的情况下，即使采用了薄壁的应力缓和部的方法，连接信赖性也会降低。
【发明内容】
[0004]本发明的目的为，提供可以改善连接信赖性的电子部件的连接结构及连接方法。
[0005]本发明的一个方面为电子部件的连接结构。电子部件的连接结构，所述电子部件以跨在离开配置的2个引线框架的方式配置，且通过导电性接合部件而被连接在2个引线框架上，其中，所述电子部件包含2个电极，该2个电极至少被设置在电子部件的下表面的一部分上，且分别与所述2个引线框架对置，所述2个引线框架各自包含承受面，该承受面被设置在对应的电极的正下方，且具有随着从支承电子部件的自身的支点朝向另一方的引线框架而离开该电子部件的形状，所述导电性接合部件停留在所述2个引线框架的各个所述承受面和所对应的所述电极之间。
[0006]本发明的另一个方面为电极部件的连接方法。电子部件的连接方法，其形成电子部件的连接结构，所述电子部件以跨在离开配置在基板上的2个引线框架的方式设置，且通过导电性接合部件而被连接在所述2个引线框架上，其中，所述电子部件包含2个电极，该2个电极至少被设置在所述电子部件的下表面的一部分上，所述2个引线框架各自包含承受面，该承受面在配置了所述电子部件的情况下离开所述电子部件，所述方法包括如下步骤:将所述2个引线框架离开配置在基板上，以使所述承受面位于所述基板的相反侧，在所述2个引线框架上分别设置导电性接合部件，以所述电子部件的所述2个电极各自以与导电性接合部件接触的状态下跨在所述2个引线框架的方式配置该电子部件，熔融所述导电性接合部件而使该导电性接合部件停留在所述电子部件的所述2个电极各自和对应的引线框架的承受面之间。
[0007]根据本发明，可以改善连接信赖性。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1是表示电子部件的连接结构的一例的剖视图。
[0009]图2是放大主要部分而示出的剖视图。[0010]图3是芯片电容器的仰视图。
[0011]图4是用于表示电子部件的连接方法的引线框架配置工序的剖视图。
[0012]图5是表示连接准备工序后的临时连接工序的剖视图。
[0013]图6是表示电子部件的连接结构的比较例的剖视图。
[0014]图7是表示电子部件的连接结构的其他例子的剖视图。
[0015]图8是表示电子部件的连接结构的第I方式的侧视图。
[0016]图9是引线框架的俯视图。
[0017]图10是表示电子部件的连接结构的第2方式的侧视图。
[0018]图11是引线框架的俯视图。
[0019]图12是表示电子部件的连接结构的第3方式的侧视图。
[0020]图13是引线框架的俯视图。
【具体实施方式】
[0021 ] 以下，对电子部件的连接结构的一个实施方式进行说明。
[0022]如图1所示，在基板I的上表面上离开配置有板状的2个引线框架2、3。各个引线框架2，3通过例如嵌件成形而被集成到基板I。在2个引线框架2、3上架桥有为电子部件的一例的芯片电容器4。芯片电容器4通过为导电性接合部件的焊锡5而被连接在2个引线框架2、3上。
[0023]如图2所示，在芯片电容器4的两端的表面上分别设置有(仅图示右侧的电极41)2个电极41，该2个电极41从上表面经由侧面而连续到下表面上。各个电极41包含:电极41a，其通过将电极41的第I端部向内侧折入形成，且与芯片电容器4的上表面抵接；以及电极41b，其通过将与电极41的第I端部对置的第2端部向内侧折入形成，且与芯片电容器4的下表面抵接。在引线框架2的、位于电子41的正下方的部分上设置有承受面21，其在芯片电容器4不通过焊锡5而直接连接在引线框架2上的情况下，与该芯片电容器4接触而从支承芯片电容器4的支点向其他的引线框架3离开该芯片电容器4。S卩、在引线框架2中，与基板I对置的整个对置面为平坦，与芯片电容器4对置的对置面具有由承受面21形成的凹部。在引线框架3上也形成有同样的凹部。2个引线框架2、3离开配置在基板I上，以使2个凹部对置。各个凹部通过冲裁加工形成。
[0024]如图3所示，在被设置在芯片电容器4的下表面上的2个电极41b中，位于最里侧的缘部上的角部被称为角部42 (—共为4个)。与这些4个角部42对应形成有2个引线框架2、3的承受面21。引线框架2的承受面21从支承芯片电容器4的上述支点通过电极41b的2个角部42的正下方而向与该引线框架2成对的其他的引线框架3延伸。同样地，引线框架3的承受面21从支承芯片电容器4的上述支点通过电极41b的2个角部42的正下方而向引线框架2延伸。由此，各个电极41b通过足够的焊锡5而被电气及机械连接到引线框架2、3上。
[0025]以下，对得到该连接结构的电子部件的连接方法进行说明。
[0026]如图4所示，在引线框架配置工序中，各个引线框架2、3通过嵌件成形而被集成到基板I上，以使承受面21位于基板I的相反侧。
[0027]如图5所示，在连接准备工序中，颗粒状的焊锡5以临时固定的方式配置在各个引线框架2、3上，在临时连接工序中，以使各个电极41接触到焊锡5的状态将芯片电容器4架桥在2个引线框架2、3上。
[0028]在本连接工序中，熔融颗粒状的焊锡5而使已被熔融的各个焊锡5的一部分停留在芯片电容器4的电极41和引线框架2、3的承受面21之间。由此，可以得到图1中所示的芯片电容器4的连接结构。
[0029]以下，对电子部件的连接结构的作用进行说明。
[0030]如图6所示，在相对于本例的比较例中，被离开配置在基板101上的2个引线框架102、103上没有形成承受面21。芯片电容器104被架桥在这些2个引线框架102、103上，并且该芯片电容器104通过焊锡105而被连接在2个引线框架102、103上。在焊锡105上产生的应力集中到芯片电容器104和各个引线框架102、103之间，并且停留在芯片电容器104和各个引线框架102、103之间的焊锡5的厚度比较薄。
[0031]相对于此，在本例中，在各个引线框架2、3上形成有承受面21，并且焊锡5积极地停留在该承受面21和芯片电容器4的电极41之间。在焊锡5产生的应力虽然集中在芯片电容器4和各个引线框架2、3之间，但是停留在芯片电容器4和各个引线框架2、3之间的焊锡5的厚度厚于比较例。由此，应力被分散并被缓和的，并随着确保焊锡量使得强度增加。
[0032]如上述说明，根据本实施方式，可以获得以下效果。
[0033](I)可以使焊锡5积极地停留在芯片电容器4的各个电极41b、和对应的引线框架
2、3的承受面21之间。由此，可以对集中到芯片电容器4和各个引线框架2、3之间的应力进行分散和缓和。因此，可以改善连接信赖性。
[0034](2)由于焊锡5停留在施加最大应力的各个电极41b的2个角部42的正下方，所以自然而然地增加在该部分的焊锡5厚度。因此，可以抑制发生裂纹。
[0035](3)各个引线框架2、3的承受面21从支承芯片电容器4的支点通过电极41b的角部42的正下方而向与该引线框架2、3成对的其他的引线框架3、2延伸。即、2个支点的间隔被设定为短于芯片电容器4的长度。如此使得2个引线框架2、3之间的间隔变窄，使得芯片电容器4的搭载变得容易。
[0036](4)由于预先在被离开配置在基板I上的一对引线框架2、3上设置颗粒状的2个焊锡5 (下侧)，之后将芯片电容器4设置在焊锡5的上侧，所以被熔融的焊锡5容易停留在承受面21的凹部中。因此，易于发挥上述(1)、(2)的效果。
[0037](5) 2个引线框架2、3的承受面21以对应于芯片电容器4的4个角部42对称性地形成。因此，可以均等地得到应力缓和等的效果。
[0038]另外，上述实施方式可以具体变更为如下方式。
[0039]如图7所示，2个承受面21也可以通过向基板I弯曲而形成，以使2个引线框架2、3的相互对置的2个顶端部离开芯片电容器4。在该情况下，焊锡5被停留在承受面21和电极41之间。由于承受面21线性倾斜，所以使芯片电容器4的定位变得更容易。
[0040]各个引线框架2、3的承受面21也可以正好从支承芯片电容器4的支点延伸到2个角部42的正下方。或是，以使停留在承受面21和电极41之间的焊锡5适当地确保厚度为条件，各个引线框架2、3的承受面21也可以从上述支点延伸到2个角部42的跟前。
[0041]如图8以及图9所示，各个引线框架2、3的承受面21也可以从对应的引线框架2、3的进深方向的跟前向里连续形成。上述进深方向被规定为相对于芯片电容器4从引线框架2向引线框架3架桥的方向正交的方向。芯片电容器4的搭载区域被规定为各个引线框架2、3的上表面的除了承受面21以外的内侧区域。
[0042]如图10以及图11所示，也可以仅在分别与2个引线框架2、3的4个角部42对应的4个区域上形成4个承受面21。由于相比图8以及图9的构成可以得到被引线框架2的2个部分的承受面21夹着的内侧区域25、和被引线框架3的2个部分的承受面21夹着的内侧区域35双方，所以可以扩大芯片电容器4的搭载区域而使芯片电容器4的搭载稳定性得到改善。
[0043]如图12以及图13所示，也可以仅在分别与2个引线框架2、3中的4个角部42对应的4个区域上设置4个承受面21，并且4个承受面21配合动作而使焊锡5停留在芯片电容器4的下表面的4个角、和4个承受面21之间。由于相比图8以及图9的构成可以得到被引线框架2的2个承受面夹着的内侧区域25、被引线框架3的2个承受面21夹着的内侧区域35双方，所以可以扩大芯片电容器4的搭载区域而使改善芯片电容器4的搭载稳定性得到改善。由于相比图10以及图11的构成焊锡5也停留在芯片电容器4的下表面的4个角的正下方而使其厚度增加，所以可以抑制发生裂纹。
[0044]电子部件并不仅限于芯片电容器4。
[0045]导电性接合部件并不仅限于焊锡5。
【权利要求】
1.一种电子部件的连接结构，所述电子部件以跨在离开配置的2个引线框架的方式配置，且通过导电性接合部件而被连接在2个引线框架上，其中， 所述电子部件包含2个电极，该2个电极至少被设置在电子部件的下表面的一部分上，且分别与所述2个引线框架对置， 所述2个引线框架各自包含承受面，该承受面被设置在对应的电极的正下方，且具有随着从支承电子部件的自身的支点朝向另一方的引线框架而离开该电子部件的形状， 所述导电性接合部件停留在所述2个引线框架的各个所述承受面和所对应的所述电极之间。
2.根据权利要求1所述的电子部件的连接结构，其中， 所述2个电极各自包含2个角部， 所述2个引线框架的各个所述承受面包含被配置在对应的所述电极的2个角部的正下方的一部分。
3.根据权利要求1或2所述的电子部件的连接结构，其中， 所述2个引线框架的各个所述承受面从所述支点经由对应的所述电极的2个角部的正下方而向另一个所述引线框架延伸。
4.根据权利要求1-3中任意一项所述的电子部件的连接结构，其中， 所述2个引线框架的各个所述承受面被设置为，只与对应的所述电极的2个角部相对应。
5.根据权利要求1-4中任意一项所述的电子部件的连接结构，其中， 所述2个电极各自从所述电子部件的侧面向内侧折入而连续到所述电子部件的下表面， 所述2个电极各自包含位于所述电子部件的下表面上的最里侧的缘部、和位于所述电子部件的下表面上的最外侧的缘部， 所述2个电极各自的所述位于最里侧的缘部的2个端部分别与对应的电极的2个角部相对应， 所述2个电极各自的所述位于最外侧的缘部的2个端部分别与处于对应的电极侧的所述电子部件的2个角部相对应， 所述2个引线框架的各自的所述承受面被设置为，只与对应的所述电极的2个角部相对应， 所述2个引线框架的2个承受面配合动作而使所述导电性接合部件停留在所述2个承受面各自和与所述电子部件的下表面对应的2个角部之间。
6.根据权利要求1-4中任意一项所述的电子部件的连接结构，其中， 所述2个电极各自从所述电子部件的侧面向内侧折入而连续到所述电子部件的下表面， 所述2个电极各自包含位于所述电子部件的下表面上的最里侧的缘部， 所述2个电极各自的所述位于最里侧的缘部的2个端部分别与对应的电极的2个角部相对应， 所述2个引线框架各自的所述承受面被设置为，与对应的电极的2个角部相对应。
7.根据权利要求1-6中任意一项所述的电子部件的连接结构，其中，所述2个引线框架的2个承受面具有对称性。
8.一种形成电子部件的连接结构的电子部件的连接方法，所述电子部件以跨在离开配置在基板上的2个引线框架的方式设置，且通过导电性接合部件而被连接在所述2个引线框架上，其中， 所述电子部件包含2个电极，该2个电极至少被设置在所述电子部件的下表面的一部分上， 所述2个引线框架各自包含承受面，该承受面在配置了所述电子部件的情况下离开所述电子部件， 所述方法包括如下步骤: 将所述2个引线框架离开配置在基板上，以使所述承受面位于所述基板的相反侧， 在所述2个引线框架上分别设置导电性接合部件， 以所述电子部件的所述2个电极各自以与导电性接合部件接触的状态下跨在所述2个引线框架的方式配置该电子部件， 熔融所述导电性接合部件而使该导电性接合部件停留在所述电子部件的所述2个电极各自和对应的引线框架的承受面之间。
【文档编号】H05K1/18GK104010439SQ201410062005
【公开日】2014年8月27日 申请日期:2014年2月24日 优先权日:2013年2月26日
【发明者】伊藤肇 申请人:株式会社东海理化电机制作所