一种硅片镀膜色差片的返工方法
【专利摘要】本发明公开了一种硅片镀膜色差片的返工方法，包括湿法刻蚀、水洗、干燥、管式PECVD镀膜和印刷烧结；湿法刻蚀工序为：将色差片用质量浓度为8%-15%的HF溶液进行表面刻蚀，除去硅片表面的氮化硅；管式PECVD镀膜工序分为两次镀膜，第一次镀膜时间为100-160s，SiH4通气量为1000-1300mL/min，NH3通气量为4700-5700mL/min；第二次镀膜时间为600-680s，SiH4通气量为600-770mL/min，NH3通气量为6800-7500mL/min。本发明对洗膜工艺进行了优化，从而可以减少了制绒、扩散步骤，降低了对硅片的损伤和硅片碎片率，减少了原料消耗，降低了生产成本，提高了工作效率。
【专利说明】—种硅片镀膜色差片的返工方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及硅片镀膜色差片的返工方法。
【背景技术】
[0002]太阳能电池主要是将太阳光转换为电能，在实际生活中属于一种绿色能源。太阳能电池片是由原硅片经过清洗硅片表面、制绒、扩散形成PN结、去除磷硅玻璃、沉积氮化硅、印刷、烧结形成的。清洗硅片表面主要是在电池生产工序的第一步，主要是利用在切割硅片过程中形成的损伤层，通过化学药液将硅片表面进行腐蚀，从而在硅片表面形成高低不平的表面以及大量孔洞，从而降低硅片表面的反射率，提升电池转换效率。
[0003]因为氮化硅的沉积大部分使用的管式PECVD (等离子体增强化学气相沉积法)，管式PECVD对于膜厚的均匀性有一定影响，硅片沉积的氮化硅的厚度不同，则呈现的颜色不同，经常造成色差片。色差片出现后，需要用高浓度的HF酸进行干燥，将硅片表面的的氮化硅、PN结去除干净，然后重新制绒、然后扩散、去除磷硅玻璃层、沉积氮化硅、印刷烧结从而形成电池。色差片需要先经过高浓度的酸洗除去硅片表面的氮化硅和PN结，除去硅片的厚度约为5 μ m,重新经过制绒,制绒的深度为2-4 μ m,扩散工序经过800°C以上温度进行反应，均会造成娃片损伤，从而提升娃片的碎片率，增加消耗，提闻生广成本。
【发明内容】
[0004]本发明提供一种硅片镀膜色差片的返工方法，对洗膜工艺进行了优化，从而可以减少了制绒、扩散步骤，降低了对硅片的损伤和硅片碎片率，减少了原料消耗，降低了生产成本，提高了工作效率。
[0005]本发明所采取的技术方案是:
一种硅片镀膜色差片的返工方法，包括湿法刻蚀、水洗、干燥、管式PECVD镀膜和印刷烧结；
湿法刻蚀工序为:将色差片用质量浓度为8%-15%的HF溶液进行表面刻蚀，除去硅片表面的氮化硅。
[0006]优选的，管式PECVD镀膜工序分为两次镀膜，第一次镀膜时间为100-160S，SiH4通气量为 1000-1300 mL/min，NH3 通气量为 4700-5700 mL/min ;第二次镀膜时间为 600_680s，SiH4 通气量为 600-770 mL/min, NH3 通气量为 6800-7500 mL/min。
[0007]优选的，湿法刻蚀工序的带速为1-1.5m/min。
[0008]优选的，湿法刻蚀工序中采用质量浓度为10%_12%的HF溶液进行表面刻蚀。
[0009]优选的，湿法刻蚀工序中HF溶液刻蚀时间为10-30s。
[0010]优选的，干燥工序采用甩干的方法，甩干的时间为50-100S。
[0011]清洗后硅片的干燥采用甩干方法，根据甩干设备的具体情况，甩干时间为50-100S，使娃片表面完全干燥。
[0012]传统工艺对镀膜色差片的处理采用重新制绒和扩散的方式，但是制绒的腐蚀深度为3-5 μ m,重新制绒，将会对硅片表面再次腐蚀，再经过800°C以上的高温扩散，会大大增加硅片的损伤程度，从而提升硅片的碎片率，增加消耗，提高生产成本。本申请降低HF溶液的浓度，清洗时只清洗氮化硅层，不会破坏PN结，因此不用重新制绒和扩散，从根本上降低碎片率，降低消耗。
[0013]采用上述技术方案所产生的有益效果在于:
1、本发明对洗膜工艺进行了优化，从而可以减少了制绒、扩散步骤，降低了对硅片的损伤和硅片碎片率，减少了原料消耗，降低了生产成本，提高了工作效率。
[0014]2、根据洗膜工艺重新优化镀膜工艺，从而达到降低色差片，提升电池合格率的目的。
【具体实施方式】
[0015]实施例1
硅片镀膜色差片的返工方法，按照下述步骤进行:
湿法刻蚀:将色差片用质量浓度为8%的HF溶液进行表面刻蚀30s，除去硅片表面的氮化硅，清洗完毕后用纯水进行表面清洗，去除残液，然后进行甩干100s。
[0016]将甩干的硅片进行管式PECVD镀膜，采用两次镀膜工艺:第一次镀膜时间为160s，SiH4通气量为1000 mL/min，NH3通气量为5700 mL/min ;第二次镀膜时间为650s，SiH4通气量为700 mL/min，NH3通气量为7300 mL/min。镀膜之后的硅片进行印刷烧结，得到成品。
[0017]实施例2
硅片镀膜色差片的返工 方法，按照下述步骤进行:
湿法刻蚀:将色差片用质量浓度为15%的HF溶液进行表面刻蚀10s，除去硅片表面的氮化硅，清洗完毕后用纯水进行表面清洗，去除残液，然后进行甩干50s。
[0018]将甩干的硅片进行管式PECVD镀膜，采用两次镀膜工艺:第一次镀膜时间为100s，SiH4通气量为1300 mL/min，NH3通气量为4700 mL/min ;第二次镀膜时间为630s，SiH4通气量为650 mL/min，NH3通气量为7000 mL/min。镀膜之后的硅片进行印刷烧结，得到成品。
[0019]实施例3
硅片镀膜色差片的返工方法，按照下述步骤进行:
湿法刻蚀:将色差片用质量浓度为10%的HF溶液进行表面刻蚀20s，除去硅片表面的氮化硅，清洗完毕后用纯水进行表面清洗，去除残液，然后进行甩干80s。
[0020]将甩干的硅片进行管式PECVD镀膜，采用两次镀膜工艺:第一次镀膜时间为120s，SiH4通气量为1100 mL/min，NH3通气量为5500 mL/min ;第二次镀膜时间为600s，SiH4通气量为770 111171^11，见13通气量为6800111171^11。镀膜之后的硅片进行印刷烧结，得到成品。
[0021]实施例4
硅片镀膜色差片的返工方法，按照下述步骤进行:
湿法刻蚀:将色差片用质量浓度为12%的HF溶液进行表面刻蚀15s，除去硅片表面的氮化硅，清洗完毕后用纯水进行表面清洗，去除残液，然后进行甩干70s。
[0022]将甩干的硅片进行管式PECVD镀膜，采用两次镀膜工艺:第一次镀膜时间为140s，SiH4通气量为1200 mL/min, NH3通气量为5000mL/min ;第二次镀膜时间为680s，SiH4通气量为600 mL/min，NH3通 气量为7500 mL/min。镀膜之后的硅片进行印刷烧结，得到成品。
【权利要求】
1.一种硅片镀膜色差片的返工方法，其特征在于包括湿法刻蚀、水洗、干燥、管式PECVD镀膜和印刷烧结； 所述湿法刻蚀工序为:将色差片用质量浓度为8%-15%的HF溶液进行表面刻蚀，除去硅片表面的氮化娃。
2.根据权利要求1所述的一种硅片镀膜色差片的返工方法，其特征在于所述管式PECVD镀膜工序分为两次镀膜，第一次镀膜时间为100-160S，SiH4通气量为1000-1300 mL/11^11，順3通气量为4700-5700 mL/min ;第二次镀膜时间为600_680s，SiH4通气量为600-770mL/min, NH3 通气量为 6800-7500 mL/min。
3.根据权利要求1所述的一种硅片镀膜色差片的返工方法，其特征在于所述湿法刻蚀工序的带速为1-1.5m/min。
4.根据权利要求1或3所述的一种硅片镀膜色差片的返工方法，其特征在于所述湿法刻蚀工序中采用质量浓度为10%-12%的HF溶液进行表面刻蚀。
5.根据权利要求4所述的一种硅片镀膜色差片的返工方法，其特征在于所述湿法刻蚀工序中HF溶液刻蚀时间为10-30s。
6.根据权利要求1所述的一种硅片镀膜色差片的返工方法，其特征在于所述干燥工序米用甩干的方法，甩干的时间为50_`00s。
【文档编号】C30B33/10GK103887369SQ201410087084
【公开日】2014年6月25日 申请日期:2014年3月11日 优先权日:2014年3月11日
【发明者】杜玉 申请人:衡水英利新能源有限公司