一种mocvd石墨盘的制作方法
【专利摘要】一种MOCVD石墨盘，涉及MOCVD外延片生产【技术领域】，本实用新型包括大石墨盘和小石墨盘，在大石墨盘上设有通气小孔和栓，在小石墨盘中心的背部设置与栓匹配的支撑凹槽，小石墨盘通过支撑凹槽和栓的配合，布置在大石墨盘上方；在小石墨盘上设置有中心片槽和边缘片槽，边缘片槽沿中心片槽的外周均布；每个边缘片槽的深度分别一致，每个边缘片槽的深度均大于中心片槽的深度。本实用新型通过对现有小石磨盘进行改良，设计中心和边缘深度不一致的片槽，中心片槽的深度小于边缘片槽的深度，改善了由于栓导热造成的小盘中心局部温度较高，从而降低小石墨盘中心和边缘温度差异，最终获得均匀性很好的外延片。
【专利说明】—种MOCVD石墨盘
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及MOCVD外延片生产【技术领域】，特别是MOCVD外延生产设备——石墨盘的设计。
【背景技术】
[0002]MOCVD是指金属有机物化学气相沉积设备，目前广泛应用于II1-V化合物半导体薄膜材料的生长。载气把Mo有机源带入反应室，在衬底上反应，形成薄膜材料。衬底放置于石墨盘上，通过灯丝或者射频进行加热，加热温度为50(Tl200 °C。石墨盘由高纯石墨组成，并包裹SiC。加热单元在石墨盘下面。
[0003]目前Aixtron公司的G5 MOCVD外延石墨盘的设计为，小石墨盘放置于大石墨盘上，栓通过小石墨盘上的孔支撑小石墨盘。外延生长过程中，载气(H2或者N2)通过大石墨盘上的通气小孔吹起小石墨盘，让其进行自转。小石墨盘上有I个中心片槽和6个对称的边缘片槽。大石墨盘底部的加热单元通过载气，把热量传递到置于小石墨盘盘片槽的衬底上。
[0004]由于栓是由导热性很好的钛金属构成，小石墨盘盘上中心片的中心温度会明显高于边缘温度，同时又会高于边缘片的温度。这样会导致中心片中心波长比边缘短，同时中心片波长比边缘片短。小石墨盘内部温度不均匀造成小石墨盘生长的外延片均一性不好。
实用新型内容
[0005]本实用新型目的在于针对以上问题，提高一种提高小石墨盘内部温度分布均匀性MOCVD石墨盘。
[0006]本实用新型包括大石墨盘和小石墨盘，在大石墨盘上设有通气小孔和栓，在小石墨盘中心的背部设置与栓匹配的支撑凹槽，所述小石墨盘通过支撑凹槽和栓的配合，布置在大石墨盘上方；在小石墨盘上设置有中心片槽和边缘片槽，所述边缘片槽沿中心片槽的外周均布；每个所述的边缘片槽的深度分别一致，每个所述的边缘片槽的深度均大于中心片槽的深度。
[0007]本实用新型通过对现有小石磨盘进行改良，设计中心和边缘深度不一致的片槽，中心片槽的深度小于边缘片槽的深度，改善了由于栓导热造成的小盘中心局部温度较高，从而降低小石墨盘中心和边缘温度差异，最终获得均匀性很好的外延片。
[0008]本实用新型所述中心片槽的深度为10?10000微米，每个边缘片槽的深度分别为10?10000微米，每个所述的边缘片槽的深度与中心片槽的深度之间的差值分别为10?10000微米。通过进一步优化小石磨盘中心片槽和边缘片槽的厚度差异，可以降低小石墨盘中心片的温度，以获得均一性很好的外延片。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1为本实用新型的结构示意图。
[0010]图2为图1的俯视图。【具体实施方式】
[0011]如图1、2所示，本实用新型包括大石墨盘I和小石墨盘2，在生产时大石墨盘I下方布置有加热单元3 ;在大石墨盘I上设有通气小孔4和栓5，在小石墨盘2中心的背部设置与栓4匹配的支撑凹槽6，小石墨盘2通过支撑凹槽6和栓4的配合，布置在大石墨盘I上方；在小石墨盘2上设置有一个中心片槽7和六个边缘片槽8 ;所述六个边缘片槽8沿中心片槽7的外周均布；每个所述的边缘片槽的深度分别一致且均大于中心片槽的深度。
[0012]中心片槽7的深度为10?10000微米，每个边缘片槽8的深度分别为10?10000微米，边缘片槽8与中心片槽7之间的深度差值为10?10000微米。
【权利要求】
1.一种MOCVD石墨盘，包括大石墨盘和小石墨盘，在大石墨盘上设有通气小孔和栓，在小石墨盘中心的背部设置与栓匹配的支撑凹槽，所述小石墨盘通过支撑凹槽和栓的配合，布置在大石墨盘上方；在小石墨盘上设置有中心片槽和边缘片槽，所述边缘片槽沿中心片槽的外周均布；其特征在于:每个所述的边缘片槽的深度分别一致，每个所述的边缘片槽的深度均大于中心片槽的深度。
2.根据权利要求1所述的一种MOCVD石墨盘，其特征在于:所述中心片槽的深度为10?10000微米，每个边缘片槽的深度分别为10?10000微米，每个所述的边缘片槽的深度与中心片槽的深度之间的差值分别为10?10000微米。
【文档编号】C30B25/12GK203820925SQ201420202917
【公开日】2014年9月10日 申请日期:2014年4月24日 优先权日:2014年4月24日
【发明者】李鸿渐, 李盼盼, 李志聪, 孙一军, 王国宏 申请人:扬州中科半导体照明有限公司